闪存存储器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种闪存存储器及其制造方法，由于至少在控制栅层、第二氧化层、氮化层和第一氧化层形成第一开口的侧壁上形成第一隔绝层和第二隔绝层，如此则先使用第一隔绝层覆盖控制栅层朝向第一开口的尖角，并填充在控制栅层侧壁的内凹部分内，如此以使避免形成的第二隔绝层在对应于尖角的部分断裂，且能够增大对尖角的隔绝能力，以增大最终形成的闪存存储器的控制栅层和字线之间的击穿电压，进而以提升最终形成的闪存存储器的性能。最终形成的闪存存储器的性能。最终形成的闪存存储器的性能。

【技术实现步骤摘要】
闪存存储器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种闪存存储器及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着人们生活水平的提高，电子产品的应用越来越广泛，而电子产品中通常会用到各种半导体产品。随着科技的发展及人们需求的增加，人们对半导体产品的性能要求也越来越高。闪存存储器是常用的半导体结构，闪存存储器的性能提升是半导体领域的技术人员研究的重要课题。
[0003]图1为现有技术中的闪存存储器的结构示意图，如图1所示，现有技术中的闪存存储器包括衬底1，以及形成在衬底1上的浮栅层3、控制栅层5和贯穿浮栅层3和控制栅层5的字线10。在刻蚀形成控制栅层5的过程中，会导致控制栅层5形成朝向字线10的尖角A，该尖角A会导致后续在控制栅层5的侧壁形成氮化硅层9时导致氮化硅层9出现断裂区A。如此，则将导致控制栅层5和字线10之间的击穿电压降低，进而影响闪存存储器的性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种闪存存储器及其制造方法，以解决闪存存储器中控制栅层和字线之间的击穿电压降低而导致的闪存存储器性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存存储器的制造方法，其特征在于，提供衬底；在所述衬底上依次形成浮栅材料层、第一氧化层、氮化层、第二氧化层以及控制栅层，其中所述控制栅层、所述第二氧化层、所述氮化层和所述第一氧化层具有自上而下贯通的第一开口，且所述控制栅层具有朝向第一开口的尖角；依次至少在所述控制栅层、所述第二氧化层、所述氮化层和所述第一氧化层形成所述第一开口的侧壁上形成第一隔绝层和第二隔绝层，并使所述第一隔绝层和所述第二隔绝层覆盖所述尖角。2.如权利要求1所述的一种闪存存储器的制造方法，其特征在于，依次形成所述第一氧化层、所述氮化层、所述第二氧化层以及所述控制栅层方法包括：在所述浮栅材料层上依次形成第一氧化材料层、氮化材料层、第二氧化材料层以及控制栅材料层，并在所述控制栅材料层上形成掩模层，所述掩模层中开设有第一开槽；在所述掩模层的所述第一开槽的侧壁上形成侧墙，以及位于所述第一开槽相对侧壁上的侧墙界定出第二开槽；以所述掩膜层和所述侧墙为掩膜，依次刻蚀所述控制栅材料层、所述第二氧化材料层、所述氮化材料层以及所述第一氧化材料层以形成所述控制栅层、所述第二氧化层、所述氮化层和所述第一氧化层，并使所述第二开槽延伸至所述控制栅层、所述第二氧化层、所述氮化层和所述第一氧化层以及以形成第一开口，且在刻蚀所述控制栅材料层的过程中致使所述控制栅层形成朝向所述第一开口的尖角。3.如权利要求1所述的一种闪存存储器的制造方法，其特征在于，形成所述第一隔绝层和所述第二隔绝层的方法包括：执行第一镀膜工艺以在所述第一开口的底部、侧壁以及所述所述掩膜层的顶部表面形成第一隔绝材料层；刻蚀所述第一隔绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱景润，沈思杰，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：