一种闪存单元结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种闪存单元结构及其制作方法，该闪存单元结构包括衬底、隔离层、栅介质层、第一浮栅导电层、第二浮栅导电层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一源极线、第二源极线及字线层，其中，隔离层的底部嵌于衬底中，且隔离层的顶面高于衬底的顶面，栅介质层位于衬底的上表面，第一、第二浮栅导电层位于栅介质层上并分布于所述隔离层的相对两侧，且分别与隔离层的两侧壁接触，第一、第二源极线位于衬底中并分布于隔离层的相对两侧，且分别与隔离层的两侧壁接触，字线层包括至少两条字线。本发明专利技术利用隔离层将公共源极线隔成两个独立的源极线，并利用不同字线分别控制隔离层两侧的浮置栅极以提高空间利用率，实现了闪存单元结构尺寸的微缩。微缩。微缩。

【技术实现步骤摘要】
一种闪存单元结构及其制作方法


[0001]本专利技术属于半导体集成电路制造
，涉及一种闪存单元结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着科技的进步，各种移动设备中对存储的容量及读写速度的要求也越来越高，因此普通的存储器的劣势越来越越明显。快闪存储器(Flash Memory，简称闪存)以读写速度快、存储容量大、体积小、质量轻、功耗低及不易损坏等特点，受到了用户的青睐。
[0003]闪存单元结构通常由字线(Word Line)、浮置栅极(Floating Gate，FG)、源极线(Source Line)及位线(Bit Line)组成，其通过控制浮置栅极和字线、源极线及位线的配合来完成闪存的写和擦除。在没有电源的情况下，闪存也可以通过浮置栅极长期保存存储数据。
[0004]现有闪存单元结构通常共用源极线，存在芯片微缩困难的问题，在集成时造成了芯片尺寸较大，极大地限制了单位面积闪存芯片的存储容量。
[0005]因此，急需寻求一种在现有工艺下芯片能够微缩、尺寸较小的闪存单元制作方法。
专利
技术实现思路

[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存单元结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，自下而上依次形成栅介质层、浮栅导电层及第一掩膜层于所述衬底上；形成隔离沟槽，所述隔离沟槽在垂直方向上贯穿所述第一掩膜层、所述浮栅导电层及所述栅介质层，并延伸进所述衬底中；形成隔离层于所述隔离沟槽中，并形成第一开口及第二开口于所述第一掩膜层中，所述第一开口与所述第二开口位于所述隔离层的相对两侧并暴露出所述隔离层的侧壁；形成第一绝缘层于所述第一开口的底部，形成第二绝缘层于所述第二开口的底部；去除所述第一掩膜层，并去除所述浮栅导电层未被所述第一绝缘层及所述第二绝缘层遮挡的部分以得到位于所述隔离层相对两侧的第一浮栅导电层与第二浮栅导电层；形成覆盖所述第一绝缘层、所述第二绝缘层及所述隔离层的字线导电层，并图案化所述字线导电层以得到至少两条字线；形成第一源极线与第二源极线于所述衬底中，所述第一源极线与所述第二源极线位于所述隔离层的相对两侧并与所述隔离层的侧壁接触。2.根据权利要求1所述的闪存单元结构的制作方法，其特征在于，形成所述隔离沟槽包括以下步骤：自下而上依次形成抗反射层及第一光刻胶层于所述第一掩膜层上，图案化所述第一光刻胶层，并基于图案化的所述第一光刻胶层图案化所述第一掩膜层；依次去除所述第一光刻胶层及所述抗反射层，并基于图案化的所述第一掩膜层刻蚀所述衬底以形成所述隔离沟槽。3.根据权利要求1所述的闪存单元结构的制作方法，其特征在于，形成所述第一开口及所述第二开口于所述第一掩膜层中包括以下步骤：形成第二光刻胶层于所述第一掩膜层上，并图案化所述第二光刻胶层；基于图案化的所述第二光刻胶层刻蚀所述第一掩膜层直至暴露出所述浮栅导电层以形成所述第一开口及所述第二开口，所述隔离层的顶面仍高于所述第一掩膜层的顶面。4.根据权利要求1所述的闪存单元结构的制作方法，其特征在于：还包括形成隔离侧墙的步骤，所述隔离侧墙位于所述第一浮栅导电层远离所述隔离层的一侧面及所述第二浮栅导电层远离所述隔离层的一侧面，所述字线导电层还覆盖所述隔离侧墙的侧面。5.根据权利要求1所述的闪存单元结构的制作方法，其特征在于：以图形化的光刻胶层为掩膜层通过离子注入以及去胶后的退火形成所述第一源极线和所述第二源极线。6.根据权利要求1所述的闪存单元结构的制作方法，其特征在于：还包括形成第一位线与第二位线于所述衬底中的步...

【专利技术属性】
技术研发人员：高箐遥，黄仁瑞，贺腾飞，朱文明，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：