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本发明提供一种闪存单元结构及其制作方法，该闪存单元结构包括衬底、隔离层、栅介质层、第一浮栅导电层、第二浮栅导电层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一源极线、第二源极线及字线层，其中，隔离层的底部嵌于衬底中，且隔离层的顶面高于衬底的顶面，栅介质层位...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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