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本发明提供一种闪存存储器及其制造方法，由于至少在控制栅层、第二氧化层、氮化层和第一氧化层形成第一开口的侧壁上形成第一隔绝层和第二隔绝层，如此则先使用第一隔绝层覆盖控制栅层朝向第一开口的尖角，并填充在控制栅层侧壁的内凹部分内，如此以使避免形成...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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