存储器装置、存储器电路及存储器电路的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种存储器装置、存储器电路及存储器电路的制造方法，其中该存储器装置包括基板、氧化物绝缘层、第一金属氧化物层、第一栅介电层、第二金属氧化物层、第二栅介电层、第一栅极、源极以及漏极。氧化物绝缘层位于基板之上。第一金属氧化物层位于氧化物绝缘层之上。第一栅介电层位于第一金属氧化物层之上。第二金属氧化物层位于第一栅介电层之上。第二栅介电层位于第二金属氧化物层之上。第一栅极位于第二栅介电层之上。第二金属氧化物层位于第一栅极与第一金属氧化物层之间。源极以及漏极电连接第一金属氧化物层。连接第一金属氧化物层。连接第一金属氧化物层。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置、存储器电路及存储器电路的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种存储器装置、存储器电路及存储器电路的制造方法。

技术介绍

[0002]电子可抹除可编程只读存储器(以下简称EEPROM)为一种可在无电源供应的状态下保存数据的存储器装置，其具有存取速度快、容量大以及体积小等优点，因此EEPROM目前已广泛地应用于各种电子产品中。
[0003]在一般的EEPROM中，通过对栅极施加不同的控制栅电压(Vg)，以控制电子是否隧穿至浮置栅中。当电子进入浮置栅中，EEPROM的存储胞将存入「1」。反之，当电子由浮置栅中逃脱，则EEPROM的存储胞将存入「0」。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种存储器装置、存储器电路以及存储器电路的制造方法，其中存储器装置具有存取速度快的优点。
[0005]本专利技术的至少一实施例提供一种存储器装置。存储器装置包括基板、氧化物绝缘层、第一金属氧化物层、第一栅介电层、第二金属氧化物层、第二栅介电层、第一栅极、源极以及漏极。氧化物绝缘层位于基板之上。第一金属氧化物层位于氧化物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：基板；氧化物绝缘层，位于该基板之上；第一金属氧化物层，位于该氧化物绝缘层之上；第一栅介电层，位于该第一金属氧化物层之上；第二金属氧化物层，位于该第一栅介电层之上；第二栅介电层，位于该第二金属氧化物层之上；第一栅极，位于该第二栅介电层之上，其中该第二金属氧化物层位于该第一栅极与该第一金属氧化物层之间；以及源极以及漏极，电连接该第一金属氧化物层。2.如权利要求1所述的存储器装置，其中该第一金属氧化物层包括源极区、漏极区以及位于该源极区与该漏极区之间的沟道区，其中该源极区与该漏极区的电阻率低于该沟道区的电阻率，且该第二金属氧化物层位于该沟道区与该第一栅极之间。3.如权利要求2所述的存储器装置，还包括：缓冲层，位于该基板之上，且该缓冲层中含有氢元素，其中该氧化物绝缘层的第一含氧结构位于该沟道区与该缓冲层之间，且该源极区与该漏极区接触该缓冲层。4.如权利要求3所述的存储器装置，其中该第一金属氧化物层还包括：第一电阻渐变区以及第二电阻渐变区，接触该第一含氧结构的侧面，其中该第一电阻渐变区以及该第二电阻渐变区的电阻率随着远离该沟道区而减少，其中该第一电阻渐变区连接于该沟道区与该源极区之间，且该第二电阻渐变区连接于该沟道区与该漏极区之间。5.如权利要求1所述的存储器装置，其中该第一栅介电层的厚度小于该第二栅介电层的厚度。6.如权利要求1所述的存储器装置，其中在该基板的顶面的法线方向上，该第一栅极完全遮蔽该第二金属氧化物层。7.一种存储器电路，包括：基板；氧化物绝缘层，位于该基板之上，且包括第一含氧结构以及第二含氧结构；第一栅介电层，位于该氧化物绝缘层之上，且包括第一介电结构以及第二介电结构，其中该第二含氧结构与该第二介电结构互相堆叠以构成凸起结构；第二栅介电层，位于该第一栅介电层之上；存储器装置，包括：第一金属氧化物层，位于该第一含氧结构之上；第二金属氧化物层，其中该第一介电结构位于该第一金属氧化物层与该第二金属氧化物层之间；第一栅极，其中该第二栅介电层位于该第二金属氧化物层与该第一栅极之间，且该第二金属氧化物层位于该第一栅极与该第一金属氧化物层之间；以及第一源极以及第一漏极，电连接该第一金属氧化物层；以及薄膜晶体管，包括：第三金属氧化物层，覆盖该凸起结构的顶面以及侧面；
第二栅极，重叠于该第三金属氧化物层，且该第二栅介电层位于该第二栅极与该第三金属氧化物层之间；以及第二源极以及第二漏极，电连接该第三金属氧化物层。8.如权利要求7所述的存储器电路，其中该第三金属氧化物层包括：沟道区，覆盖该凸起结构的该顶面；第一电阻渐变区以及第二电阻渐变区，接触该凸起结构的该侧面，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄震铄，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：