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本发明公开一种存储器装置、存储器电路及存储器电路的制造方法，其中该存储器装置包括基板、氧化物绝缘层、第一金属氧化物层、第一栅介电层、第二金属氧化物层、第二栅介电层、第一栅极、源极以及漏极。氧化物绝缘层位于基板之上。第一金属氧化物层位于氧化物...
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