电子抹除式可复写只读存储器单元及其形成方法技术

本发明专利技术公开一种电子抹除式可复写只读存储器(electrically erasable programmable read only memory,EEPROM)单元及其形成方法，其中该电子抹除式可复写只读存储器单元包含有第一栅极、第二栅极以及抹除栅极。第一栅极以及第二栅极设置于基底上，其中第一栅极包含由下而上堆叠的第一浮置栅极以及第一控制栅极，以及第二栅极包含由下而上堆叠的第二浮置栅极以及第二控制栅极。抹除栅极夹置于第一栅极以及第二栅极之间，其中抹除栅极正下方的第一浮置栅极的一侧边部分以及抹除栅极正下方的第二浮置栅极的一侧边部分均具有多个尖端。的第二浮置栅极的一侧边部分均具有多个尖端。的第二浮置栅极的一侧边部分均具有多个尖端。

【技术实现步骤摘要】
电子抹除式可复写只读存储器单元及其形成方法


[0001]本专利技术涉及一种存储器单元及其形成方法，尤其是涉及一种电子抹除式可复写只读存储器单元及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体存储器装置基本上分为两种：一种为挥发性存储器装置，另一种为非挥发性存储器装置。挥发性存储器装置包含有动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)与静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,SRAM)等。非挥发性存储器装置包含有电子抹除式可复写只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory,EEPROM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric Random Access Memory,FeRAM)、相变随机存取存储器(Phase
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change Random Access Memory,PRAM)、磁性随机存取存储器(Magnetic Random Access Memory,MRAM)以及快闪存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子抹除式可复写只读存储器(electrically erasable programmable read only memory,EEPROM)单元，包含有：第一栅极以及第二栅极，设置于基底上，其中该第一栅极包含由下而上堆叠的第一浮置栅极以及第一控制栅极，以及该第二栅极包含由下而上堆叠的第二浮置栅极以及第二控制栅极；以及抹除栅极，夹置于该第一栅极以及该第二栅极之间，其中该抹除栅极正下方的该第一浮置栅极的一侧边部分以及该抹除栅极正下方的该第二浮置栅极的一侧边部分均具有多个尖端。2.如权利要求1所述的电子抹除式可复写只读存储器(electrically erasable programmable read only memory,EEPROM)单元，还包含：源极线，位于该抹除栅极正下方的该基底中。3.如权利要求1所述的电子抹除式可复写只读存储器(electrically erasable programmable read only memory,EEPROM)单元，其中该抹除栅极正下方的该第一浮置栅极的该侧边部分以及该抹除栅极正下方的该第二浮置栅极的该侧边部分均为二段阶梯侧边部分。4.如权利要求3所述的电子抹除式可复写只读存储器(electrically erasable programmable read only memory,EEPROM)单元，其中各该些二段阶梯侧边部分包含二个阶梯。5.如权利要求1所述的电子抹除式可复写只读存储器(electrically erasable programmable read only memory,EEPROM)单元，还包含：第一字线，设置于相对该抹除栅极的该第一栅极侧边；以及第二字线，设置于相对该抹除栅极的该第二栅极侧边。6.如权利要求5所述的电子抹除式可复写只读存储器(electrically erasable programmable read only memory,EEPROM)单元，还包含：位线，设置于相对该抹除栅极的该第一字线侧边以及相对该抹除栅极的该第二字线侧边的该基底中。7.如权利要求6所述的电子抹除式可复写只读存储器(electrically erasable programmable read only memory,EEPROM)单元，其中位线接触插塞设置于该些位线正上方。8.如权利要求1所述的电子抹除式可复写只读存储器(electrically erasable programmable read only memory,EEPROM)单元，其中相对该抹除栅极的该第一浮置栅极的另一侧边部分以及相对该抹除栅极的该第二浮置栅极的另一侧边部分都具有垂直侧壁。9.如权利要求1所述的电子抹除式可复写只读存储器(electrically erasable programmable read only memory,EEPROM)单元，还包含：第一硬掩模，设置于该第一控制栅极上；以及第二硬掩模，设置于该第二控制栅极上。10.如权利要求9所述的电子抹除式可复写只读存储器(electrically erasable programmable read only memory,EEPROM)单元，其中该第一硬掩模以及该第二硬掩模的顶面高于该抹除栅极的顶面。
11.如权利要求10所述的电子抹除式可复写只读存储器(electrically erasable programmable read only memory,EEPROM)单元，还包含：间隙壁，设置于该第一硬掩模以及该第二硬掩模侧边的该抹除栅极上。12.一种形成电子抹除式可复写只读存储器(electrically erasable programmable read only memory,EEPROM)单元的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈艺夫，任驰，谢朝胜，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：