封装结构及封装结构的制造方法技术

一种封装结构的制造方法，包括步骤：提供封装基板，所述封装基板包括第一基材层、内侧线路层及内埋电子元件，所述内侧线路层设置于所述第一基材层上，所述内埋电子元件设置于所述内侧线路层上。于所述内埋电子元件的外围包覆屏蔽膜，所述屏蔽膜包括导电粉体。激光照射所述屏蔽膜，使得至少部分所述导电粉体聚集并形成导电屏蔽壳，获得所述封装结构。本申请提供的封装结构的制造方法可实现对内埋电子元件的选择性电磁屏蔽。另外，本申请还提供一种封装结构。封装结构。封装结构。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及封装结构的制造方法


[0001]本申请涉及一种封装结构及封装结构的制造方法。

技术介绍

[0002]系统级封装(System in Package，SIP)是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装壳体内，从而实现一个基本完整的功能，而部分功能芯片需要进行电磁屏蔽，现有技术并未给出内埋的功能芯片的电磁屏蔽方案。

技术实现思路

[0003]为解决
技术介绍
中的问题，本申请提供一种封装结构的制造方法。
[0004]另外，本申请还提供一种封装结构。
[0005]一种封装结构的制造方法，包括步骤：提供一封装基板，所述封装基板包括第一基材层、内侧线路层及内埋电子元件，所述内侧线路层设置于所述第一基材层上，所述内埋电子元件设置于所述内侧线路层上。于所述内埋电子元件的外围包覆一屏蔽膜，所述屏蔽膜包括导电粉体。激光照射所述屏蔽膜，使得至少部分所述导电粉体聚集并形成导电屏蔽壳，获得所述封装结构。
[0006]进一步地，所述封装基板包括屏蔽区以及除所述屏蔽区以外的非屏蔽区，部分所述内埋电子元件设于所述屏蔽区内，另一部分所述内埋电子元件设于所述非屏蔽区，所述制造方法还包括步骤：激光照射屏蔽区内的所述屏蔽膜，以使得所述屏蔽区内的所述导电粉体聚集以形成导电屏蔽壳。
[0007]进一步地，所述封装基板的制造方法包括：提供一内侧覆铜基板，所述内侧覆铜基板包括所述第一基材层及设置于所述基材层上的内侧铜箔层。蚀刻所述内侧铜箔层以形成所述内侧线路层。于所述内侧线路层上设置第一防焊层，所述第一防焊层具有第一开窗，部分所述内侧线路层于所述内侧开窗的底部露出，以及于所述内侧开窗内设置所述内埋电子元件，所述内埋电子元件电性连接所述内侧线路层，获得所述封装基板。
[0008]进一步地，还包括步骤：于所述导电屏蔽壳上设置线路基板，所述线路基板包括第二基材层、外侧线路层以及导通体，所述第二基材层设置于所述导电屏蔽壳上，所述外侧线路层设置于所述第二基材层上，所述导通体贯穿所述第二基材层，所述导通体电性连接所述外侧线路层和所述导电屏蔽壳。
[0009]进一步地，于所述导电屏蔽壳上设置线路基板之前还包括步骤：于所述导电屏蔽壳上设置金属层。
[0010]进一步地，还包括步骤：于所述金属层上设置外侧覆铜基板，所述外侧覆铜基板包括所述第二基材层及外侧铜箔层，所述第二基材层设于所述外侧铜箔层和所述金属层之间。于所述外侧覆铜基板上设置开孔，所述开孔贯穿所述第二基材层和所述外侧铜箔层，部分所述金属层于所述开孔的底部露出。于所述开孔内设置所述导通体，以及蚀刻所述外侧铜箔层以形成所述外侧线路层。
[0011]进一步地，还包括步骤：于所述外侧线路层上盖设置外侧防焊层，所述外侧防焊层具有外侧开窗，部分所述外侧线路层于所述外侧开窗的底部露出，以及于所述外侧开窗内设置外露电子元件。
[0012]一种封装结构，包括封装基板及导电屏蔽壳，所述封装基板包括第一基材层、内侧线路层及内埋电子元件，所述内侧线路层设置于所述第一基材层上，所述内埋电子元件设置于所述内侧线路层上，所述导电屏蔽壳包覆所述内埋电子元件。
[0013]进一步地，所述封装结构还包括线路基板，所述线路基板包括第二基材层、外侧线路层以及导通体，所述第二基材层设置于所述导电屏蔽壳上，所述外侧线路层设置于所述第二基材层上，所述导通体贯穿所述第二基材层，所述导通体电性连接所述外侧线路层和所述导电屏蔽壳。
[0014]进一步地，所述封装结构还包括外露电子元件，所述外露电子元件设置于所述外侧线路层上。
[0015]相较于现有技术，本申请提供的封装结构的制造方法通过在屏蔽区的内埋电子元件上设置含有导电粉体的屏蔽膜，再通过激光照射该屏蔽膜以使导电粉体聚集以形成导电屏蔽壳，该导电屏蔽壳可以用于对内埋电子元件的电磁屏蔽，该过程操作简单，适用性强。
附图说明
[0016]图1为本申请实施例提供的内侧覆铜基板的示意图。
[0017]图2为蚀刻图1所示的第一内侧铜箔层为第一内侧线路层后的示意图。
[0018]图3为图2所示的第一内侧线路层上设置第一内侧防焊层后的示意图。
[0019]图4为本申请实施例提供的封装基板的示意图。
[0020]图5为图4所示的封装基板设置屏蔽膜的示意图。
[0021]图6为激光照射图4所示的局部屏蔽膜以形成导电屏蔽壳后的示意图。
[0022]图7为图6所示的导电屏蔽壳上设置金属层后的示意图。
[0023]图8为图7所示的金属层上设置第一外侧覆铜基板后的示意图。
[0024]图9为图8所示的第一外侧覆铜基板设置第一开孔后的示意图。
[0025]图10为图9所示的第一开孔内设置第一导通体后的示意图。
[0026]图11为蚀刻图10所示的第一外侧铜箔层为第一外侧线路层的示意图。
[0027]图12为图11所示的第一外侧线路层设置第一外侧防焊层的示意图。
[0028]图13为本申请实施例提供的封装结构的示意图。
[0029]主要元件符号说明
[0030]封装结构100
[0031]封装基板10
[0032]第一基材层11
[0033]第一内侧线路层12
[0034]第二内侧线路层13
[0035]内埋电子元件14
[0036]内侧覆铜基板20
[0037]第一内侧铜箔层21
[0038]第二内侧铜箔层22
[0039]第一内侧防焊层23
[0040]第一内侧开窗231
[0041]第二内侧防焊层24
[0042]第二内侧开窗241
[0043]屏蔽膜30
[0044]导电屏蔽壳31
[0045]金属层40
[0046]第一外侧覆铜基板51
[0047]第二基材层511
[0048]第一外侧铜箔层512
[0049]第一开孔513
[0050]第二外侧覆铜基板52
[0051]第三基材层521
[0052]第二外侧铜箔层522
[0053]第二开孔523
[0054]第一导通体61
[0055]第二导通体62
[0056]第一外侧线路层71
[0057]第二外侧线路层72
[0058]第一外侧防焊层81
[0059]第一外侧开窗811
[0060]第二外侧防焊层82
[0061]第二外侧开窗821
[0062]第一外露电子元件91
[0063]第二外露电子元件92
[0064]厚度方向H
[0065]屏蔽区P
[0066]非屏蔽区F
[0067]如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本申请。
具体实施方式
[0068]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供一封装基板，所述封装基板包括第一基材层、内侧线路层及内埋电子元件，所述内侧线路层设置于所述第一基材层上，所述内埋电子元件设置于所述内侧线路层上；于所述内埋电子元件的外围包覆一屏蔽膜，所述屏蔽膜包括导电粉体；激光照射所述屏蔽膜，使得至少部分所述导电粉体聚集并形成导电屏蔽壳，获得所述封装结构。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述封装基板包括屏蔽区以及除所述屏蔽区以外的非屏蔽区，部分所述内埋电子元件设于所述屏蔽区内，另一部分所述内埋电子元件设于所述非屏蔽区，所述制造方法还包括：激光照射屏蔽区内的所述屏蔽膜，以使得所述屏蔽区内的所述导电粉体聚集以形成导电屏蔽壳。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述封装基板的制造方法包括：提供一内侧覆铜基板，所述内侧覆铜基板包括所述第一基材层及设置于所述基材层上的内侧铜箔层；蚀刻所述内侧铜箔层以形成所述内侧线路层；于所述内侧线路层上设置第一防焊层，所述第一防焊层具有第一开窗，部分所述内侧线路层于所述内侧开窗的底部露出；以及于所述内侧开窗内设置所述内埋电子元件，所述内埋电子元件电性连接所述内侧线路层，获得所述封装基板。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括步骤：于所述导电屏蔽壳上设置线路基板，所述线路基板包括第二基材层、外侧线路层以及导通体，所述第二基材层设置于所述导电屏蔽壳上，所述外侧线路层设置于所述第二基材层上，所述导通体贯穿所述第二基材层，所述导通体电性连接所述外侧线路层和所述导电屏蔽壳。5.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭满芝，周雷，刘瑞武，
申请(专利权)人：宏启胜精密电子秦皇岛有限公司，
类型：发明
国别省市：