红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法及红外探测器阵列技术

本发明专利技术涉及红外探测器生产领域，特别是涉及一种红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法及红外探测器阵列，通过在硅读出电路的正面设置第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层进行图形化曝光显影，得到多个暴露出所述硅读出电路上预设的连接PAD的通孔，并对剩余区域的第一光刻胶层进行抗蚀固化；对设置所述第一光刻胶层的硅读出电路的正面设置复合金属层；在所述复合金属层表面设置金属铟层；在所述金属铟层表面上设置图形化的第二光刻胶层；对所述硅读出电路的正面进行刻蚀，至所述第一光刻胶层；去除刻蚀后的所述硅读出电路的正面的残余光刻胶。本发明专利技术保证了最后刻蚀得到的各个互连铟柱的高度均非常近似，大大提升了成品的良品率。大大提升了成品的良品率。大大提升了成品的良品率。

【技术实现步骤摘要】
红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法及红外探测器阵列


[0001]本专利技术涉及红外探测器生产领域，特别是涉及一种红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法及红外探测器阵列。

技术介绍

[0002]碲镉汞是一种制备红外探测器的重要材料，由于其禁带宽度可调，探测光谱范围由短波波段一直延伸到甚长波波段，其具有光电探测效率高等优势，广泛应用于预警探测、红外侦察、成像制导等军事和民事领域。
[0003]随着红外探测器技术的不断进步，碲镉汞红外探测器阵列规模不断提高，从1K
×
1K的百万像素扩展到4K
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4K的千万像素；而像元中心距由15微米逐渐减小到5微米，这导致小像元大规格的红外探测器阵列的铟柱制备较为困难，制备的铟柱高度均匀性变差，导致读出电路与探测器芯片互连后连通率下降、盲元增加，进而影响红外探测器组件的探测性能，甚至于失效。
[0004]因此，如何提升红外探测器阵列的铟柱的高度的一致性，是本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法及红外探测器阵列，以解决现有技术中随着红外探测器阵列规模逐渐增加，像元中心距逐渐缩小的情况下，互连铟柱制备困难，一致性变差的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法，包括：
[0007]在硅读出电路的正面设置第一光刻胶层；
[0008]对所述第一光刻胶层进行图形化曝光显影，得到多个暴露出所述硅读出电路上预设的连接PAD的通孔，并对剩余区域的第一光刻胶层进行抗蚀固化；
[0009]对设置所述第一光刻胶层的硅读出电路的正面设置复合金属层；
[0010]在所述复合金属层表面设置金属铟层；
[0011]在所述金属铟层表面上设置图形化的第二光刻胶层；所述第二光刻胶层仅覆盖所述连接PAD正上方的区域；
[0012]以所述第二光刻胶层作为保护层，对所述硅读出电路的正面进行刻蚀，至所述第一光刻胶层；
[0013]去除刻蚀后的所述硅读出电路的正面的残余光刻胶，得到成品红外探测器阵列互连铟柱。
[0014]可选地，在所述的红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法中，所述第一光刻胶层为光敏型聚酰亚胺层；
[0015]相应地，所述对所述第一光刻胶层进行图形化曝光显影，得到多个暴露出所述硅
读出电路上预设的连接PAD的通孔，并对剩余区域的第一光刻胶层进行抗蚀固化包括：
[0016]对所述光敏型聚酰亚胺层进行图形化曝光显影，得到多个暴露出所述硅读出电路上预设的连接PAD的通孔，并在剩余区域得到抗蚀固化的聚酰亚胺层。
[0017]可选地，在所述的红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法中，所述对设置所述第一光刻胶层的硅读出电路的正面设置复合金属层包括：
[0018]对设置所述第一光刻胶层的硅读出电路的正面离子束溅射沉积复合金属层。
[0019]可选地，在所述的红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法中，所述复合金属层的厚度范围为200纳米至300纳米，包括端点值。
[0020]可选地，在所述的红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法中，所述在所述复合金属层表面设置金属铟层包括：
[0021]在所述复合金属层表面蒸发沉积金属铟层。
[0022]可选地，在所述的红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法中，所述以所述第二光刻胶层作为保护层，对所述硅读出电路的正面进行刻蚀，至所述第一光刻胶层包括：
[0023]以所述第二光刻胶层作为保护层，对所述硅读出电路的正面进行离子束刻蚀，至所述第一光刻胶层。
[0024]可选地，在所述的红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法中，所述第一光刻胶层的厚度范围为0.8微米至1.2微米，包括端点值。
[0025]可选地，在所述的红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法中，所述第二光刻胶层的厚度范围为2微米至3微米，包括端点值。
[0026]可选地，在所述的红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法中，所述去除刻蚀后的所述硅读出电路的正面的残余光刻胶包括：
[0027]利用电感耦合等离子体去除刻蚀后的所述硅读出电路的正面的残余光刻胶。
[0028]一种红外探测器阵列，所述红外探测器阵列中的互连铟柱为通过如上述任一种所述的红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法得到的铟柱。
[0029]本专利技术所提供的红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法，通过在硅读出电路的正面设置第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层进行图形化曝光显影，得到多个暴露出所述硅读出电路上预设的连接PAD的通孔，并对剩余区域的第一光刻胶层进行抗蚀固化；对设置所述第一光刻胶层的硅读出电路的正面设置复合金属层；在所述复合金属层表面设置金属铟层；在所述金属铟层表面上设置图形化的第二光刻胶层；所述第二光刻胶层仅覆盖所述连接PAD正上方的区域；以所述第二光刻胶层作为保护层，对所述硅读出电路的正面进行刻蚀，至所述第一光刻胶层；去除刻蚀后的所述硅读出电路的正面的残余光刻胶，得到成品红外探测器阵列互连铟柱。
[0030]本专利技术相比于现有技术，采用所述复合金属层及所述第一光刻胶层作为刻蚀的牺牲层，配合先进行整面金属铟层的设置，再刻蚀得到金属铟柱，保证了最后刻蚀得到的各个互连铟柱的高度均非常近似，也即保证了铟柱的高度及形貌的一致性，在当今先进传感器的像元中心距缩小到10至5微米的情况下，也能保证红外探测器芯片与读出电路互连的连通率，大大提升了成品的良品率。本申请同时还提供了一种具有上述有益效果的的红外探测器阵列。
附图说明
[0031]为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1为本专利技术提供的红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法的一种具体实施方式的流程示意图；
[0033]图2为本专利技术提供的红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法的另一种具体实施方式的流程示意图；
[0034]图3为本专利技术提供的红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法的还一种具体实施方式的工艺流程图。
具体实施方式
[0035]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0036]本专利技术的核心是提供一种红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法，其一种具体实施方式的流程示意图如图1所示，包括：
[0037]S101：在硅读出电路的正面设置第一光刻胶层。
[0038]所述第一光刻胶层的厚度范围为0.本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法，其特征在于，包括：在硅读出电路的正面设置第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层进行图形化曝光显影，得到多个暴露出所述硅读出电路上预设的连接PAD的通孔，并对剩余区域的第一光刻胶层进行抗蚀固化；对设置所述第一光刻胶层的硅读出电路的正面设置复合金属层；在所述复合金属层表面设置金属铟层；在所述金属铟层表面上设置图形化的第二光刻胶层；所述第二光刻胶层仅覆盖所述连接PAD正上方的区域；以所述第二光刻胶层作为保护层，对所述硅读出电路的正面进行刻蚀，至所述第一光刻胶层；去除刻蚀后的所述硅读出电路的正面的残余光刻胶，得到成品红外探测器阵列互连铟柱。2.如权利要求1所述的红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层为光敏型聚酰亚胺层；相应地，所述对所述第一光刻胶层进行图形化曝光显影，得到多个暴露出所述硅读出电路上预设的连接PAD的通孔，并对剩余区域的第一光刻胶层进行抗蚀固化包括：对所述光敏型聚酰亚胺层进行图形化曝光显影，得到多个暴露出所述硅读出电路上预设的连接PAD的通孔，并在剩余区域得到抗蚀固化的聚酰亚胺层。3.如权利要求1所述的红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法，其特征在于，所述对设置所述第一光刻胶层的硅读出电路的正面设置复合金属层包括：对设置所述第一光刻胶层的硅读出电路的正面离子束溅射沉积复合金属层。...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：北京智创芯源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：