红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法及红外探测器阵列技术

本发明专利技术涉及红外探测器生产领域，特别是涉及一种红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法及红外探测器阵列，通过在硅读出电路的正面设置第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层进行图形化曝光显影，得到多个暴露出所述硅读出电路上预设的连接PAD的通孔，并对剩余区域的第一光刻胶层进行抗蚀固化；对设置所述第一光刻胶层的硅读出电路的正面设置复合金属层；在所述复合金属层表面设置金属铟层；在所述金属铟层表面上设置图形化的第二光刻胶层；对所述硅读出电路的正面进行刻蚀，至所述第一光刻胶层；去除刻蚀后的所述硅读出电路的正面的残余光刻胶。本发明专利技术保证了最后刻蚀得到的各个互连铟柱的高度均非常近似，大大提升了成品的良品率。大大提升了成品的良品率。大大提升了成品的良品率。

【技术实现步骤摘要】
红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法及红外探测器阵列


[0001]本专利技术涉及红外探测器生产领域，特别是涉及一种红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法及红外探测器阵列。

技术介绍

[0002]碲镉汞是一种制备红外探测器的重要材料，由于其禁带宽度可调，探测光谱范围由短波波段一直延伸到甚长波波段，其具有光电探测效率高等优势，广泛应用于预警探测、红外侦察、成像制导等军事和民事领域。
[0003]随着红外探测器技术的不断进步，碲镉汞红外探测器阵列规模不断提高，从1K
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1K的百万像素扩展到4K
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4K的千万像素；而像元中心距由15微米逐渐减小到5微米，这导致小像元大规格的红外探测器阵列的铟柱制备较为困难，制备的铟柱高度均匀性变差，导致读出电路与探测器芯片互连后连通率下降、盲元增加，进而影响红外探测器组件的探测性能，甚至于失效。
[0004]因此，如何提升红外探测器阵列的铟柱的高度的一致性，是本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种红外探测器阵列的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法，其特征在于，包括：在硅读出电路的正面设置第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层进行图形化曝光显影，得到多个暴露出所述硅读出电路上预设的连接PAD的通孔，并对剩余区域的第一光刻胶层进行抗蚀固化；对设置所述第一光刻胶层的硅读出电路的正面设置复合金属层；在所述复合金属层表面设置金属铟层；在所述金属铟层表面上设置图形化的第二光刻胶层；所述第二光刻胶层仅覆盖所述连接PAD正上方的区域；以所述第二光刻胶层作为保护层，对所述硅读出电路的正面进行刻蚀，至所述第一光刻胶层；去除刻蚀后的所述硅读出电路的正面的残余光刻胶，得到成品红外探测器阵列互连铟柱。2.如权利要求1所述的红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层为光敏型聚酰亚胺层；相应地，所述对所述第一光刻胶层进行图形化曝光显影，得到多个暴露出所述硅读出电路上预设的连接PAD的通孔，并对剩余区域的第一光刻胶层进行抗蚀固化包括：对所述光敏型聚酰亚胺层进行图形化曝光显影，得到多个暴露出所述硅读出电路上预设的连接PAD的通孔，并在剩余区域得到抗蚀固化的聚酰亚胺层。3.如权利要求1所述的红外探测器阵列的互连铟柱的制备方法，其特征在于，所述对设置所述第一光刻胶层的硅读出电路的正面设置复合金属层包括：对设置所述第一光刻胶层的硅读出电路的正面离子束溅射沉积复合金属层。...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：北京智创芯源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：