半导体结构的制作方法以及半导体结构技术

本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。该方法包括：提供基底，基底包括依次层叠的第一衬底、氧化物层、互连结构层、介质结构层以及贯穿介质结构层至互连结构层中的凹槽；在基底的裸露表面上依次形成导电层和光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理和显影处理，形成第一光刻胶部，并对第一光刻胶部进行第一烘烤处理，第一烘烤处理满足预定条件，预定条件包括以下至少之一：烘烤时间范围为80s~90s，烘烤温度为130℃~140℃；去除第一光刻胶部覆盖部分之外的导电层以及部分第一光刻胶部，剩余的导电层形成焊盘，剩余的第一光刻胶部形成第二光刻胶部。该方法解决了现有技术中半导体结构制作工艺复杂且成本较高的问题。半导体结构制作工艺复杂且成本较高的问题。半导体结构制作工艺复杂且成本较高的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法以及半导体结构


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。

技术介绍

[0002]在半导体工艺以及微纳加工领域，光刻工艺是不可或缺的加工环节。传统的光刻工艺包含涂胶、曝光、显影三个主要加工步骤。首先将光刻胶均匀地涂布在基底表面，再通过曝光机曝光掩膜图形，最后通过显影，实现将掩膜图形从掩膜板到基底上的转移，半导体产品中，采用光刻胶工艺形成焊盘时，在形成光刻胶之前先形成硬掩膜层，目前基于BSI技术的CMOS图像传感器的装置(如芯片、模组等)的设计逐渐向高像素、高灵敏度、小尺寸等方向发展，简化半导体制作的工艺变得越来越重要。
[0003]在
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部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
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的理解，因此，
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中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

技术实现思路

[0004]本申请的主要目的在于提供一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，以解决现有技术中半导体结构制作工艺复杂且成本较高的问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括依次层叠的第一衬底、氧化物层、互连结构层、介质结构层以及贯穿所述介质结构层至所述互连结构层中的凹槽；在所述基底的裸露表面上依次形成导电层和光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光处理和显影处理，在所述凹槽底壁的部分所述导电层的远离所述氧化物层的表面上形成第一光刻胶部，并对所述第一光刻胶部进行第一烘烤处理，所述第一光刻胶部的远离所述氧化物层的表面低于所述凹槽外的所述导电层的远离所述氧化物层的表面，所述第一烘烤处理满足预定条件，所述预定条件包括以下至少之一：烘烤时间范围为80s~90s，烘烤温度为130℃~140℃；去除所述第一光刻胶部覆盖部分之外的所述导电层以及部分所述第一光刻胶部，剩余的所述导电层形成焊盘，剩余的所述第一光刻胶部形成第二光刻胶部，所述第二光刻胶部覆盖所述焊盘。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在去除所述第一光刻胶部覆盖部分之外的所述导电层以及部分所述第一光刻胶部，分别形成焊盘以及第二光刻胶部之后，所述方法还包括：采用化学机械研磨法去除部分所述介质结构层；去除所述第二光刻胶部。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基底的裸露表面上依次形成导电层和光刻胶层之前，所述方法还包括：在所述基底的裸露表面上形成粘合层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基底的裸露表面上形成所述导电层之后，在所述导电层的裸露表面上形成所述光刻胶层之...

【专利技术属性】
技术研发人员：张昭，吴则贤，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：