一种半导体载板的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体载板的制备方法，包括：半导体载板预处理，预处理之后的半导体载板中包括填充在通孔中的载板铜层；在载板铜层上通过刻蚀方法形成M层铜互连层；第M层铜互连层形成之前，在第M

【技术实现步骤摘要】
一种半导体载板的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体载板领域，尤其涉及一种半导体载板的制备方法。

技术介绍

[0002]半导体载板作为半导体芯片的封装材料，在芯片测试和组装中起到非常重要的作用，半导体载板不仅起到保护芯片和增强导热性的作用，也可以连通外部的电路与芯片内部以达到固定连通芯片的作用。
[0003]在半导体载板制备过程中，需要形成多层的铜互连层，以实现连通外部电路和内部芯片的功能。现有技术中在形成铜互连层的时候需要使用到镭射钻孔+电镀填孔工艺，镭射机为高技术设备，设备价格高，采用镭射钻孔方法形成通孔无疑会在增加半导体载板的成本，因此更换新的工艺方案减少镭射，以降低成本成为半导体载板的设计需求。
[0004]同时，随着半导体产品对集成度的要求越来越高，铜互连层的尺寸也越来越小，如何在半导体载板中形成尺寸小且精度高的互连结构也成为了本领域技术人员的研究热点。

技术实现思路

[0005]本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的问题之一。为此，本专利技术的目的在于提供一种半导体载板的制备方法，采用刻蚀方法形成铜互连层，减少镭射加工需求，降低设备投入成本，提高半导体载板的线路良率。
[0006]为了实现上述目的，本申请采用如下技术方案：一种半导体载板的制备方法，包括：半导体载板预处理，预处理之后的半导体载板中包括填充在通孔中的载板铜层；在载板铜层上通过刻蚀方法形成M层铜互连层；第M层铜互连层形成之前，在第M
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1层铜互连层上压合绝缘介质层，使得绝缘介质层的上表面与第M
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1层铜互连层的上表面齐平；M为大于1的整数；在铜互连层上进行阻焊印刷；对半导体载板进行后处理。
[0007]进一步的，在载板铜层上形成M层铜互连层，具体包括：S21：形成第一层铜互连层：在半导体载板表面形成底铜层，在底铜层上沉积干膜，对干膜进行曝光显影，形成第一层铜互连层的缺口，对缺口进行电镀填孔，去除干膜，去除第一层铜互连层之外的底铜层，形成位于载板铜层上的第一层铜互连层；S22：在第一层铜互连层上压合绝缘介质层，在绝缘介质层上形成底铜层，在底铜层上沉积干膜，对干膜进行曝光显影，形成第二层铜互连层的缺口，对缺口进行电镀填孔，去除干膜，去除第二层铜互连层之外的底铜层，形成位于第一层铜互连层上的第二层铜互连层；重复S21
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S22，依次形成第M层铜互连层。
[0008]进一步的，所述底铜层的制备方法包括：采用化学沉积法在半导体载板表面沉积
第一底铜层；采用电镀沉铜的方法在半导体载板表面沉积第二底铜层，所述第一底铜层和第二底铜层共同形成底铜层。
[0009]进一步的，每一层的铜互连层形成之后，均需要进行AOI检测。
[0010]进一步的，在铜互连层上压合绝缘介质层，包括：将绝缘缓存层、半导体载板和绝缘介质层进行压合，其中，在压合过程中，绝缘缓存层和绝缘介质层位于半导体载板的两侧，且绝缘缓存层远离半导体载板的一侧与整平钢板抵接；压合后的半导体载板一侧为表面齐平的绝缘缓存层，另一侧为绝缘介质层；夹紧压合后的半导体载板，对绝缘介质层进行磨板；磨板之后去除绝缘缓存层。
[0011]进一步的，对绝缘介质层进行磨板：在磨板溶液中对半导体载板进行磨板，在磨板过程中调整磨板机的电流，确保半导体载板中各个区域所受到的压力相同。
[0012]进一步的，所述磨板溶液中包括磨粒，所述磨粒为金刚砂。
[0013]进一步的，所述磨板溶液中包括用于散热的导热绝缘化合物。
[0014]进一步的，半导体载板预处理包括：开料，烤板，钻孔，化学沉铜，电镀沉铜。
[0015]进一步的，对半导体载板进行后处理包括：阻焊开窗，化学机械抛光，表面处理，锣板，电测，目检。
[0016]本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：本申请在载板铜层上通过刻蚀方法形成M层铜互连层；且第M层铜互连层形成之前，在第M
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1层铜互连层上压合绝缘介质层，使得绝缘介质层的上表面与第M
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1层铜互连层的上表面齐平，通过刻蚀方法形成铜互连层，不再需要对半导体载板进行镭射钻孔，使得刻蚀方法不仅能够形成尺寸更小的填充铜的缺口，且避免了镭射的加工需求，能够降低设备投入成本，提高半导体载板的线路良率。
附图说明
[0017]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为实施例2中预处理之后的半导体载板；图2为实施例2中形成第一层铜互连层缺口的示意图；图3为实施例2对第一层铜互连层缺口进行电镀沉铜的示意图；图4为实施例2中形成第一层铜互连层的示意图；图5为实施例2中压合绝缘介质层的示意图；图6为实施例2中形成第二层铜互连层缺口的示意图；图7为实施例2对第二层铜互连层缺口进行电镀沉铜的示意图；图8为实施例2中形成第二层铜互连层的示意图；图9为实施例2中阻焊印刷的示意图；图10为实施例2中最终形成的半导体载板；
附图标号：1、载板铜层；2、干膜；3、底铜层；4、第一层铜互连层的缺口；5、第一层铜互连层；6、第二层铜互连层的缺口；7、第二层铜互连层；8、阻焊印刷层；9、绝缘介质层。
具体实施方式
[0020]为了对本专利技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本专利技术的具体实施方式。以下描述中，需要理解的是，“前”、“后”、“上”、“下”、“左”、“右”、“纵”、“横”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“头”、“尾”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系、以特定的方位构造和操作，仅是为了便于描述本技术方案，而不是指示所指的机构或元件必须具有特定的方位，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0021]还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，“安装”、“相连”、“连接”、“固定”、“设置”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。当一个元件被称为在另一元件“上”或“下”时，该元件能够“直接地”或“间接地”位于另一元件之上，或者也可能存在一个或更多个居间元件。术语“第一”、“第二”、“第三”等仅是为了便于描述本技术方案，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量，由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0022本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体载板的制备方法，其特征在于，包括：半导体载板预处理，预处理之后的半导体载板中包括填充在通孔中的载板铜层；在载板铜层上通过刻蚀方法形成M层铜互连层；第M层铜互连层形成之前，在第M
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1层铜互连层上压合绝缘介质层，使得绝缘介质层的上表面与第M
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1层铜互连层的上表面齐平；M为大于1的整数；在铜互连层上进行阻焊印刷；对半导体载板进行后处理。2.根据权利要求1所述的一种半导体载板的制备方法，其特征在于，在载板铜层上形成M层铜互连层，具体包括：S21：形成第一层铜互连层：在半导体载板表面形成底铜层，在底铜层上沉积干膜，对干膜进行曝光显影，形成第一层铜互连层的缺口，对缺口进行电镀填孔，去除干膜，去除第一层铜互连层之外的底铜层，形成位于载板铜层上的第一层铜互连层；S21：在第一层铜互连层上压合绝缘介质层，在绝缘介质层上形成底铜层，在底铜层上沉积干膜，对干膜进行曝光显影，形成第二层铜互连层的缺口，对缺口进行电镀填孔，去除干膜，去除第二层铜互连层之外的底铜层，形成位于第一层铜互连层上的第二层铜互连层；重复S21
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S22，依次形成第M层铜互连层。3.根据权利要求2所述的一种半导体载板的制备方法，其特征在于，所述底铜层的制备方法包括：采用化学沉积法在半导体载板表面沉积第一底铜层；采用电镀沉铜的方法在半导体载板表面沉积第二底铜层，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜怡锋，王康兵，徐华胜，刘龙江，
申请(专利权)人：深圳明阳电路科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：