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本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。该方法包括：提供基底，基底包括依次层叠的第一衬底、氧化物层、互连结构层、介质结构层以及贯穿介质结构层至互连结构层中的凹槽；在基底的裸露表面上依次形成导电层和光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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