半导体器件及其形成方法技术

本申请公开一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括多个凸柱，相邻两个所述凸柱之间具有凹槽；在各个所述凹槽底部形成未掺杂的第一半导体层；对所述第一半导体层进行掺杂处理；在掺杂后的所述第一半导体层表面形成掺杂的第一导电结构；对所述第一半导体层进行热处理，以使掺杂后的所述第一半导体层形成第二导电结构，所述第二导电结构和所述第一导电结构形成所述凹槽底部的接触结构。本申请能够避免发生P等杂质元素过度扩散的问题，提升所得半导体器件的可靠性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体结构通常采用焊盘或者接触插塞等导电结构来耦合上下两个功能结构，以图1a所示半导体结构为例，图1b为沿线AA
’
方向的剖面图，图1c为沿线BB
’
方向的剖面图,该半导体结构可以包括衬底110和位于衬底110表面的多个凸柱121，衬底110内设有隔离区111和被隔离区111隔离的多个有源区112；相邻两个凸柱121之间具有凹槽122，凹槽122暴露隔离区111和部分有源区112。专利技术人研究发现，在一些半导体结构中，在凹槽122底部形成接触插塞(如图1b所示123)之后，导电结构之间容易出现短路，影响半导体结构的性能。

技术实现思路

[0003]鉴于此，本申请提供一种半导体器件及其形成方法，以解决在凹槽底部形成焊盘或者接触插塞等导电结构之后，衬底内部的有源区之间容易出现短路的状况，影响半导体结构性能的问题。
[0004]本申请提供一种半导体器件的形成方法，包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括多个凸柱，相邻两个所述凸柱之间具有凹槽；在各个所述凹槽底部形成未掺杂的第一半导体层；对所述第一半导体层进行掺杂处理；在掺杂后的所述第一半导体层表面形成掺杂的第一导电结构；对所述第一半导体层进行热处理，以使掺杂后的所述第一半导体层形成第二导电结构，所述第二导电结构和所述第一导电结构形成所述凹槽底部的接触结构。2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述在各个所述凹槽底部形成未掺杂的第一半导体层，包括：通过第一含硅气体在各个所述凹槽底部执行外延生长，得到第一半导体层。3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一半导体层具有多个孔隙。4.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一含硅气体包括乙硅烷。5.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一半导体层的厚度范围包括30A至45A。6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对所述第一半导体层进行掺杂处理，包括：向所述第一半导体层通入含磷气体，使所述含磷气体与所述第一半导体层反应。7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在掺杂后的所述第一半导体层表面形成掺杂的第一导电结构，包括：在掺杂后的所述第一半导体层表面生长至少一层掺杂层；在所述掺杂层表面生长第二半导体层。8.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在掺杂后的所述第一半导体层表面生长至少一层掺杂层，包括：在掺杂后的所述第一半导体层表面依次生长两层含磷半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：王喜勤，吴家伟，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：