温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括多个凸柱，相邻两个所述凸柱之间具有凹槽；在各个所述凹槽底部形成未掺杂的第一半导体层；对所述第一半导体层进行掺杂处理；在掺杂后的所述第一半导体层表面形成掺杂的第一导...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。