导电部件、电子装置及导电部件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够得到稳定特性的导电部件、电子装置以及导电部件的制造方法。根据实施方式，导电部件包括：包括金属纳米线的第1层、包括聚噻吩部件的第2层、以及包括含有石墨烯骨架的石墨烯部件的第3层。所述第2层设置在所述金属纳米线与所述第3层之间。所述金属纳米线与所述第3层之间。所述金属纳米线与所述第3层之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电部件、电子装置及导电部件的制造方法


[0001]本专利技术的实施方式涉及导电部件、电子装置及导电部件的制造方法。

技术介绍

[0002]含有石墨烯的导电部件被用作电极。期望在导电部件中具有稳定的特性。现有技术文献专利文献
[0003]专利文献1：国际公开第2020/178974号

技术实现思路

专利技术要解决的课题
[0004]实施方式提供能够得到稳定特性的导电部件、电子装置和导电部件的制造方法。解决课题的手段
[0005]根据本专利技术的实施方式，导电部件包括：包括金属纳米线的第1层、包括聚噻吩部件的第2层、包括含有石墨烯骨架的石墨烯部件的第3层。在所述金属纳米线与所述第3层之间设置所述第2层。
附图说明
[图1]图1(a)和图2(b)是例示第1实施方式的导电部件的示意性剖视图。[图2]图2(a)和图2(b)是例示第1实施方式的导电部件的一部分的示意图。[图3]图3是例示第1实施方式的导电部件的一部分的材料的示意图。[图4]图4是例示第1实施方式的导电部件的一部分的材料的示意图。[图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.导电部件，其包括：包括金属纳米线的第1层，包括聚噻吩部件的第2层，和包括含有石墨烯骨架的石墨烯部件的第3层；其中，所述第2层设置在所述金属纳米线与所述第3层之间。2.权利要求1所述的导电部件，其中，所述聚噻吩部件为中性。3.(中性)权利要求1所述的导电部件，其中，所述聚噻吩部件的水溶液的氢离子指数为5以上且7以下。4.权利要求1所述的导电部件，其中，沿着从所述金属纳米线朝向所述第3层的第1方向的所述第3层的厚度为1nm以上且4nm以下。5.权利要求4所述的导电部件，其中，沿着所述第1方向的所述第2层的厚度为10nm以上且100nm以下。6.权利要求4所述的导电部件，其中，沿着所述第1方向的所述第1层的厚度为所述金属纳米线的直径的2倍以上且4倍以下。7.权利要求1所述的导电部件，其中，所述第1层包括多根所述金属纳米线，所述多根金属纳米线的至少2根相互缠绕，所述第1层具有凹凸，所述第2层和所述第3层沿着所述凹凸。8.权利要求1所述的导电部件，其中，所述第1层包括多根所述金属纳米线，所述第2层的至少一部分和所述第3层的至少一部分位于所述多根金属纳米线的2根之间。9.权利要求1所述的导电部件，其还具备基体，在所述基体与所述第3层之间具有所述第1层。10.权利要求1所述的导电部件，其中，在所述石墨烯部件的至少一部分中，所述石墨烯骨架中含有的多个碳原子中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：信田直美，内藤胜之，水口浩司，齐田穰，
申请(专利权)人：东芝能源系统株式会社，
类型：发明
国别省市：