【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制造方法
[0001]本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
[0002]半导体结构，例如动态随机存取存储器（DRAM），通常包括多条用于传输信号的位线层。随着半导体结构的集成度的增加和尺寸的减小，为了降低相邻的位线层以及位线层和其他结构之间的寄生电容，通常在位线层的侧壁上形成气隙结构。
[0003]然而，现有的气隙结构制程复杂，容易产生工艺缺陷，难以有效降低寄生电容。
技术实现思路
[0004]本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供初始结构，所述初始结构包括衬底以及位于所述衬底内的有源区；所述衬底上形成有多条位线结构和多条隔离栅栏，所述位线结构和所述隔离栅栏相互交叉以限定出多个暴露所述有源区的开口；其中，所述位线结构包括位线层以及覆盖所述位线层侧壁的牺牲层、至少覆盖所述牺牲层的第一介质层；形成存储节点接触插塞，所述存储节点接触插塞填充所述开口的下部并覆盖所述第一介质层的部分侧壁以及由所述开口暴露的所述有源区；打开所述第一介质层的顶部并...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于：提供初始结构，所述初始结构包括衬底以及位于所述衬底内的有源区；所述衬底上形成有多条位线结构和多条隔离栅栏，所述位线结构和所述隔离栅栏相互交叉以限定出多个暴露所述有源区的开口；其中，所述位线结构包括位线层以及覆盖所述位线层侧壁的牺牲层、至少覆盖所述牺牲层的第一介质层；形成存储节点接触插塞，所述存储节点接触插塞填充所述开口的下部并覆盖所述第一介质层的部分侧壁以及由所述开口暴露的所述有源区；打开所述第一介质层的顶部并去除所述牺牲层，在所述第一介质层和所述位线层的侧壁之间形成间隙；采用选择性快速等离子体氮处理工艺在所述衬底上形成第二介质层，所述第二介质层至少覆盖所述间隙的内壁并封闭所述间隙的顶部开口，所述间隙未被所述第二介质层填充的区域定义为气隙；在所述存储节点接触插塞上形成接触焊盘，所述接触焊盘覆盖部分所述第二介质层。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，提供初始结构，包括：提供衬底；在所述衬底内形成隔离结构，所述隔离结构在所述衬底内限定出多个有源区；在所述衬底上形成多条沿第一方向延伸的位线层；在所述衬底上依次形成牺牲层和第一介质层，所述牺牲层覆盖所述位线层的侧壁，所述第一介质层覆盖所述位线层、所述牺牲层和所述衬底；形成填充层，所述填充层覆盖所述第一介质层并填充相邻的所述位线结构之间的空隙；刻蚀所述填充层，以在所述填充层内形成多条沿第二方向延伸的沟槽；在所述沟槽内填充绝缘材料以形成多条隔离栅栏；去除所述填充层，所述隔离栅栏和所述位线结构相互交叉限定出多个初始开口；刻蚀所述初始开口的底部以暴露出所述有源区，形成所述开口。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，打开所述第一介质层的顶部并去除所述牺牲层，包括：去除所述第一介质层和所述牺牲层的顶部，以暴露所述位线层的顶部和部分侧壁，同时暴露所述牺牲层；去除剩余的所述牺牲层。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，采用包括气态氟化氢的刻蚀气体对剩余的所述牺牲层执行刻蚀工艺，以去除剩余的所述牺牲层。5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用选择性快速等离子体氮处理工艺形成第二介质层，包括：将所述衬底置于第一反应腔内，所述第一反应腔内设置有至少一对交变电磁极板和至少一对交变电极板；向所述第一反应腔内通入第一氮源气体；对所述交变电磁极板和所述交变电极板施加射频信号，以在所述第一反应腔内形成交变磁场和交变电场，所述第一氮源气体被解离为等离子体，所述等离子体在所述交变磁场
和所述交变电场的作用下被引导至所述位线层和所述第一介质层的表面、所述存储节点接触插塞的顶部以及所述间隙的内壁上，且位于所述间隙内壁上部的所述等离子体的密度大于位于所述间隙内壁下部的所述等离子体的密度。6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，采用选择性快速等离子体氮处理工艺形成第二介质层，还包括：将所述衬底置于第二反应腔内；向所述第二反应腔内通入第一硅源气体，所述第一硅源气体被吸附于所述等离子体上；向所述第二反应腔内通入第二氮源气体，以在所述衬底上沉积第二介质层，所述第二介质层覆盖所述位线层和所述第一介质层的表面、所述存储节点接触插塞的顶部以及所述间隙的内壁；其中，覆盖所述间隙内壁上部的所述第二介质层的厚度大于覆盖所述间...
【专利技术属性】
技术研发人员：李双，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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