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公开了一种半导体结构及其制造方法，方法包括：提供包括衬底、有源区多条位线结构和多条隔离栅栏的初始结构，位线结构和隔离栅栏相互交叉限定出多个暴露有源区的开口，位线结构包括位线层以及覆盖位线层侧壁的牺牲层、至少覆盖牺牲层的第一介质层；在开口内形...
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