【技术实现步骤摘要】
本申请涉及红外探测器领域，特别涉及一种红外探测器制造方法及红外探测器。
技术介绍
1、传统的红外探测器制造工艺流程为：1、在如图1所示的晶片1的钝化层1.2表面涂敷光刻胶2，并光刻出离子注入区的图形；2、如图2所示，在该离子注入区的图形位置注入离子；3、如图3所示，在吸收层1.1内形成pn结3；4、如图4所示，在钝化层1.2表面与pn结3对应位置处再次光刻出接触孔的图形；5、如图5所示，在接触孔内填充金属，引出电极4，得到红外探测器芯片；6、如图6所示，进行电极4与读出电路5的铟凸点结构5.1的互连，得到红外探测器。然而，伴随着红外探测器技术的发展，器件阵列规模不断增加，像元间距不断缩小，缩至5μm线宽的产品制造难度进一步提升，主要表现在对图形精度与对准精度要求更高，尤其是注入区与接触孔之间的相对位置关系。如果注入区与接触孔之间的相对位置发生错位则极易导致红外探测器芯片失效。因此，如何提高注入区与接触孔的对准精度，并且降低注入区与接触孔的对准难度，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种红外探测器制造方法及红外探测器，从而提高注入区与接触孔的对准精度，并且降低注入区与接触孔的对准难度。
2、为实现上述目的，本申请提供了一种红外探测器制造方法，其特征在于，包括：
3、在晶片的钝化层背离吸收层的表面形成接触孔，使所述接触孔贯穿所述钝化层；所述晶片包括沿厚度方向依次设置的所述吸收层和所述钝化层；
4、向所述接触
5、形成所述pn结后，在所述接触孔内沉积第一导电材料，使所述第一导电材料填充整个所述接触孔，以形成电极；
6、将所述电极与读出电路进行互连，得到所述红外探测器。
7、可选的，所述在晶片的钝化层背离所述吸收层的表面形成接触孔，使所述接触孔贯穿所述钝化层，包括：
8、在所述晶片的所述钝化层背离所述吸收层的表面涂敷光刻胶，并光刻出接触孔图形；
9、在所述接触孔图形的位置沿所述晶片的厚度方向刻蚀至所述接触孔贯穿所述钝化层；
10、相应的，在所述接触孔内沉积第一导电材料，使所述第一导电材料填充整个所述接触孔后，还包括：
11、去除所述钝化层背离所述吸收层的表面的所述光刻胶。
12、可选的，去除所述钝化层背离所述吸收层的表面的所述光刻胶，包括：
13、将所述晶片放入丙酮溶液中浸泡，去除所述钝化层背离所述吸收层的表面的所述光刻胶。
14、可选的，所述接触孔的深度大于所述钝化层的厚度。
15、可选的，在所述接触孔内沉积第一导电材料，使所述第一导电材料填充整个所述接触孔导电材料后，还包括：
16、在所述接触孔对应的所述钝化层背离所述吸收层的表面制备梯形导电结构；所述梯形导电结构背离所述钝化层的表面的宽度小于所述梯形导电结构靠近所述钝化层的表面的宽度。
17、可选的，在所述接触孔对应的所述钝化层背离所述吸收层的表面制备梯形导电结构，包括：
18、在所述钝化层背离所述吸收层的表面涂敷负光刻胶，并光刻出梯形导电结构图形；所述梯形导电结构图形与所述接触孔的位置对应；
19、在所述梯形导电结构图形的位置制备所述梯形导电结构；
20、形成所述梯形导电结构后，去除所述钝化层背离所述吸收层的表面的所述负光刻胶。
21、可选的，在所述钝化层背离所述吸收层的表面涂敷负光刻胶，并光刻出梯形导电结构图形前，还包括：
22、在所述钝化层背离所述吸收层的表面沉积第二导电材料；
23、相应的，在所述梯形导电结构图形的位置制备所述梯形导电结构，包括：
24、将所述晶片放入电镀液中，以沉积的所述第二导电材料作为电镀阴极，在所述梯形导电结构图形的位置电镀第三导电材料，形成所述梯形导电结构；
25、以所述梯形导电结构作为掩膜结构，去除未被所述梯形导电结构覆盖的所述第二导电材料。
26、可选的，所述去除未被所述梯形导电结构覆盖的所述第二导电材料，包括：
27、通过腐蚀液腐蚀掉未被所述梯形导电结构覆盖的所述第二导电材料。
28、可选的，所述负光刻胶的厚度大于5μm；所述梯形导电结构的厚度为3μm～5μm，且包括两端的值。
29、为实现上述目的，本申请还提供了一种红外探测器，包括：晶片和读出电路；
30、所述晶片包括沿厚度方向依次设置的吸收层和钝化层；所述钝化层背离所述吸收层的表面设置有接触孔，所述接触孔贯穿所述钝化层；所述吸收层与所述接触孔接触的区域形成有pn结；所述接触孔内填充有第一导电材料，作为电极；所述电极与读出电路互连。
31、本申请提供的一种红外探测器制造方法，包括：在晶片的钝化层背离吸收层的表面形成接触孔，使所述接触孔贯穿所述钝化层；所述晶片包括沿厚度方向依次设置的所述吸收层和所述钝化层；向所述接触孔内注入离子，在所述吸收层与所述接触孔接触的区域形成pn结；形成所述pn结后，在所述接触孔内沉积第一导电材料，使所述第一导电材料填充整个所述接触孔，以形成电极；将所述电极与读出电路进行互连，得到所述红外探测器。
32、显然，本申请只在注入离子之前进行了一次打孔，形成了贯穿钝化层的接触孔；然后再在孔内依次注入离子形成pn结，沉积导电材料形成电极。通过该方式规避了小间距，尤其是5μm以下像元间距制备工艺中，注入区与接触孔超高精度要求的加工难度；简化了光刻工艺；同时，由于基于原位成结引出，对准精度100％精确。本申请还提供一种红外探测器，具有上述有益效果。
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1.一种红外探测器制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的红外探测器制造方法，其特征在于，所述在晶片的钝化层背离所述吸收层的表面形成接触孔，使所述接触孔贯穿所述钝化层，包括：
3.根据权利要求2所述的红外探测器制造方法，其特征在于，去除所述钝化层背离所述吸收层的表面的所述光刻胶，包括：
4.根据权利要求1所述的红外探测器制造方法，其特征在于，所述接触孔的深度大于所述钝化层的厚度。
5.根据权利要求1至4任一项所述的红外探测器制造方法，其特征在于，在所述接触孔内沉积第一导电材料，使所述第一导电材料填充整个所述接触孔导电材料后，还包括：
6.根据权利要求5所述的红外探测器制造方法，其特征在于，在所述接触孔对应的所述钝化层背离所述吸收层的表面制备梯形导电结构，包括：
7.根据权利要求6所述的红外探测器制造方法，其特征在于，在所述钝化层背离所述吸收层的表面涂敷负光刻胶，并光刻出梯形导电结构图形前，还包括：
8.根据权利要求7所述的红外探测器制造方法，其特征在于，所述去除未被所述梯形导电结构覆
9.根据权利要求7所述的红外探测器制造方法，其特征在于，所述负光刻胶的厚度大于5μm；所述梯形导电结构的厚度为3μm～5μm，且包括两端的值。
10.一种红外探测器，其特征在于，包括：晶片和读出电路；
...【技术特征摘要】
1.一种红外探测器制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的红外探测器制造方法，其特征在于，所述在晶片的钝化层背离所述吸收层的表面形成接触孔，使所述接触孔贯穿所述钝化层，包括：
3.根据权利要求2所述的红外探测器制造方法，其特征在于，去除所述钝化层背离所述吸收层的表面的所述光刻胶，包括：
4.根据权利要求1所述的红外探测器制造方法，其特征在于，所述接触孔的深度大于所述钝化层的厚度。
5.根据权利要求1至4任一项所述的红外探测器制造方法，其特征在于，在所述接触孔内沉积第一导电材料，使所述第一导电材料填充整个所述接触孔导电材料后，还包括：
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：北京智创芯源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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