一种陶瓷复合硅基环行器的制作方法及其应用技术

本发明专利技术涉及环行器技术领域，尤其涉及IPC H04B领域，更具体地，涉及一种陶瓷复合硅基环行器的制作方法及其应用。本发明专利技术通过深硅刻蚀通孔、制作铁氧体圆片、复合衬底制备、介质桥制作、光刻图形、真空镀膜、光阻剥离、划片分切八个步骤切割得到了陶瓷复合硅基环行器。本发明专利技术为通过采用半导体工艺常用的硅片，在每个硅片通孔中间嵌入铁氧体陶瓷圆片，通过特定的粘接材料连接成一个完成的电路衬底基片，再通过半导体薄膜工艺制作出微带环行器，在两种材料连接处采用介质桥金属化技术，以保证电路连接连续性及可靠性，该环行器具有较宽的工作频段，较高的耐功率性，且一致性好，易集成、成本低，非常适合应用于隔离器、双工器、反射放大器等领域。领域。

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷复合硅基环行器的制作方法及其应用


[0001]本专利技术涉及环行器
，尤其涉及IPC H04B领域，更具体地，涉及一种陶瓷复合硅基环行器的制作方法及其应用。

技术介绍

[0002]传统的全磁铁氧体微带环行器，是在全铁氧体材料上通过薄膜工艺，制作出微带环行器，受制于材料限制，制作出来的微带环行器工作频段不能做的很宽，耐功率性也较差，一致性也不是太好，而且基片材料一般为2～4英寸，采用半导体薄膜工艺制作成本相对较高。
[0003]现有技术中，申请公开号为CN111403884A的专利文件，公开了贴片式环行器的制作方法，通过将金属进行注塑成型，制备得到的贴片式环行器具有较高的制作效率和装配精度，但是其对于环行器工作频段的宽度和耐功率性没有显著提高。
[0004]申请公开号为CN102629705A的专利文件，公开了一种C波段大功率环行器及其制作工艺，该工艺能够提高工作温度范围，提高温度性能，且成本较低，但是其对于环行器工作频段的宽度和耐功率性没有显著提高。

技术实现思路

[0005]为了解决上述问题，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷复合硅基环行器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、深硅刻蚀通孔：通过深硅刻蚀的方式，在硅片上刻蚀出多个圆形通孔；S2、制作铁氧体圆片：将铁氧体棒材磨到圆形通孔直径，再切出若干个圆薄片后采用研磨抛光，制作出铁氧体圆片；S3、复合衬底制备：将铁氧体圆片分别嵌入通孔内，采用粘接材料将铁氧体圆片镶嵌在硅片中，再将粘接好的硅片和铁氧体圆片装进夹具内，高温烧结即得复合衬底；S4、介质桥制作：在复合衬底上旋涂聚酰亚胺涂料，再用光刻/刻蚀工艺制作出聚酰亚胺介质桥；S5、光刻图形：用光刻工艺在聚酰亚胺介质桥表面制作出电路图形；S6、真空镀膜：采用磁控溅射工艺，在有聚酰亚胺介质桥的这面镀膜；S7、光阻剥离：采用lift
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off工艺将光阻剥离；S8、划片分切：采用高精密划片机将制作好的复合衬底电路分切成若干个独立的单元器件，即可。2.根据权利要求1所述的一种陶瓷复合硅基环行器的制作方法，其特征在于，所述通孔直径为2
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5mm。3.根据权利要求2所述的一种陶瓷复合硅基环行器的制作方法，其特征在于，所述铁氧体棒材为镁锰铁氧体棒材、石榴石铁氧体棒材、镍锌铁氧体棒材中的一种或多种。4.根据权利要求3所述的一种陶瓷复合硅基环行器的制作方法，其特征在于，所述粘接材料为...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷敏，周丹，沈健，徐亚龙，
申请(专利权)人：苏州华勤源微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：