一种晶圆级双面化学沉积槽制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶圆级双面化学沉积槽，包括用于对晶圆化学沉积的镀槽；连接于所述镀槽内壁的第一阳极和第二阳极；以及，连接于所述镀槽内壁的阴极杆；夹具，所述夹具包括多组用于调节晶圆位置的夹持部，以通过所需晶圆正反膜层厚度，选择晶圆所处夹具的位置。本实用新型专利技术通过将晶圆固定在不同位置的夹持部，从而对晶圆的位置进行调节，通过调整晶圆与第一阳极和第二阳极距离，以控制晶圆这方面化学沉积厚度，使得在晶圆进行双面镀膜时，使得两侧的镀膜能够根据需要加工成不同的厚度。得两侧的镀膜能够根据需要加工成不同的厚度。得两侧的镀膜能够根据需要加工成不同的厚度。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆级双面化学沉积槽


[0001]本技术涉及晶圆加工
，具体涉及一种晶圆级双面化学沉积槽。

技术介绍

[0002]金层耐蚀性强，导电性好，易于焊接，耐高温，并具有一定的耐磨性(如掺有少量其他元素的硬金)，因而，它广泛应用于精密仪器仪表、印刷板、集成电路、电子管壳、电接点等要求电参数性能长期稳定的零件，在集成电路的制作过程中，晶圆化学沉积金是关键过程之一，金层的好坏直接影响芯片的性能与使用，该工序是将晶圆连接负电极，并放置在连接正电极的溶液中，通过电场作用将溶液中金离子沉积在晶圆表面。随着半导体工业的发展，对晶圆使用度的要求也越来越高，晶圆的化学沉积也从单面化学沉积向着双面化学沉积发展。
[0003]目前晶圆的化学沉积一般为单面垂直化学沉积，而高端的晶圆已开始采用双面化学沉积，双面化学沉积目前还处于探索阶段，大部分用于双面厚度相同的金层，而随着半导体行业的发展，目前越来越多的需求面向双面不同厚度金层的器件，但是如何让晶圆获得双面不同的电流密度进而获得不同厚度的金层仍然是目前技术面临的一大难题。
[0004]因此，本领域技术人员提供了一种晶圆级双面化学沉积槽，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

技术实现思路

[0005]为解决上述技术问题，本技术提供一种晶圆级双面化学沉积槽，包括：
[0006]用于对晶圆化学沉积的镀槽；
[0007]连接于所述镀槽内壁的第一阳极和第二阳极；
[0008]以及，连接于所述镀槽内壁的阴极杆；
[0009]夹具，所述夹具包括多组用于调节晶圆位置的夹持部，以通过所需晶圆正反膜层厚度，选择晶圆所处夹具的位置。
[0010]进一步的，所述第一阳极和第二阳极呈平行状态设置在镀槽内部。
[0011]进一步的，所述夹持部包括用于固定晶圆的第一夹持件和第二夹持件。
[0012]进一步的，所述夹具还包括设置于所述镀槽内部的连接架，且连接架与所述第一夹持件和第二夹持件相连接。
[0013]进一步的，所述连接架上设置有用于和阴极杆相连接的悬挂部。
[0014]进一步的，所述悬挂部包括与所述阴极杆形状相适配的悬挂架，且悬挂架与所述连接架之间固定连接。
[0015]进一步的，所述悬挂架可活动地悬挂在所述阴极杆外部。
[0016]本技术的技术效果和优点：
[0017]1、通过将晶圆固定在不同位置的夹持部，从而对晶圆的位置进行调节，通过调整晶圆与第一阳极和第二阳极距离，以控制晶圆这方面化学沉积厚度，使得在晶圆进行双面
镀膜时，使得两侧的镀膜能够根据需要加工成不同的厚度；
[0018]2、通过悬挂架的设置，便于对阴极杆进行搭接放置，便于对晶圆进行加工操作以及取料操作。
附图说明
[0019]图1是本技术的立体结构示意图；
[0020]图2是本技术的夹具立体结构示意图；
[0021]图3是本技术的侧视剖面结构示意图；
[0022]图4是本技术夹具的工作状态结构示意图。
[0023]图中：1、夹具；11、第一夹持件；12、第二夹持件；2、阴极杆；3、第一阳极；4、第二阳极；5、镀槽。
具体实施方式
[0024]下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。本技术的实施例是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本技术限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本技术的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本技术从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
[0025]以下为本技术提供的一种实施例：
[0026]根据附图1和附图3所示，一种晶圆级双面化学沉积槽，包括用于对晶圆化学沉积的镀槽5；连接于所述镀槽5内壁的第一阳极3和第二阳极4；以及，连接于所述镀槽5内壁的阴极杆2；
[0027]具体的，所述第一阳极3和第二阳极4呈平行状态设置在镀槽5内部，通过平行设置，可使得晶圆在镀槽5内部同时进行双面电镀，保证晶圆双面镀膜的均匀性；
[0028]根据附图附图2和附图4所示，夹具1，所述夹具1包括多组用于调节晶圆位置的夹持部，以通过所需晶圆正反膜层厚度，选择晶圆所处夹具1的位置，通过夹具1的设置，能够对晶圆在镀槽5内部的所在位置调整的同时，对晶圆进行稳定的夹持，通过调整晶圆与第一阳极3和第二阳极4距离，以控制晶圆这方面化学沉积厚度；
[0029]在该实施例中，通过改变晶圆所在位置，使得第一阳极3和第二阳极4与晶圆的位置距离产生了改变，从而使得晶圆两边的电流密度进行了改变，对镀槽5内部的电流进行了划分，使得在晶圆进行双面镀膜时，使得两侧的镀膜能够根据需要加工成不同的厚度；
[0030]具体的，所述夹持部包括用于固定晶圆的第一夹持件11和第二夹持件12，所述夹具1还包括设置于所述镀槽5内部的连接架(图中未示出)，且连接架与所述第一夹持件11和第二夹持件12相连接，通过第一夹持件11和第二夹持件12的设置，对晶圆进行夹持固定，便于在镀槽5内进行镀层操作，且通过夹持部的设置，不局限于化学沉积金，可适用于多种金属的化学沉积；
[0031]根据附图2和附图3所示，所述连接架上设置有用于和阴极杆2相连接的悬挂部，所述悬挂部包括与所述阴极杆2形状相适配的悬挂架(图中未示出)，且悬挂架与所述连接架之间固定连接，其中，悬挂部可用于连接阴极杆2，通过阴极杆2导电传导至晶圆中，通过形
状相适配的悬挂架的设置，便于连接架安装于镀槽5内，提高了易用性和适用性；
[0032]具体的，所述悬挂架可活动地悬挂在所述阴极杆2外部，通过可活动地悬挂在阴极杆2外部，便于对连接架进行拆卸和安装，从而便于对晶圆进行镀层加工，便于上下料操作；
[0033]在该实施例中，通过将晶圆与第一夹持件11和第二夹持件12相连接，随后通过将悬挂架放置于阴极杆2中，通过悬挂部中悬挂架的设置，对阴极杆2进行搭接放置，使得晶圆放置于电镀液中，进行电镀操作，在操作完成后，可通过悬挂连接的作用下，将连接架进行取出，对加工完成的晶圆进行取出；
[0034]工作原理：
[0035]工作时，根据所需晶圆正反膜层的厚度，选择晶圆所处位置的第一夹持件11和第二夹持件12的位置，将第一夹持件11和第二夹持件12进行连接；
[0036]连接完成后，通过将悬挂架将连接架悬挂于阴极杆2上，使得晶圆完全的放置于电镀液中，随后打开电源进行化学沉积。
[0037]显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域及相关领域的普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本技术保护的范围。本技术中未具体描述和解释说明的结构、装置以及操作方法，如无特别说明和限定，均按照本领域的常规手段进行实施。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级双面化学沉积槽，其特征在于，包括：用于化学沉积的镀槽(5)；连接于所述镀槽(5)内壁的第一阳极(3)和第二阳极(4)；以及，连接于所述镀槽(5)内壁的阴极杆(2)；夹具(1)，所述夹具(1)包括多组用于调节晶圆位置的夹持部。2.根据权利要求1所述的一种晶圆级双面化学沉积槽，其特征在于，所述第一阳极(3)和第二阳极(4)呈平行状态设置在镀槽(5)内部。3.根据权利要求1所述的一种晶圆级双面化学沉积槽，其特征在于，所述夹持部包括用于固定晶圆的第一夹持件(11)和第二夹持件(12)。4.根据权利要求3所述的一种晶圆级双面化学沉积槽，其特征在于，所述夹具(1)还包括设置于所述镀...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷敏，周丹，沈健，徐亚龙，
申请(专利权)人：苏州华勤源微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：