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本发明涉及环行器技术领域,尤其涉及IPC H04B领域,更具体地,涉及一种陶瓷复合硅基环行器的制作方法及其应用。本发明通过深硅刻蚀通孔、制作铁氧体圆片、复合衬底制备、介质桥制作、光刻图形、真空镀膜、光阻剥离、划片分切八个步骤切割得到了陶瓷复...该专利属于苏州华勤源微电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州华勤源微电子科技有限公司授权不得商用。
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