超宽多排Σ结构的模盒制造技术

本发明专利技术公开了超宽多排Σ结构的模盒，属于自动封装模盒领域，该装置，包括平面型下镶件座和平面型上镶件座，所述平面型下镶件座顶部开设有下镶件凹槽，所述下镶件凹槽两侧固定连接有Σ型下边挡板，所述下镶件凹槽内部设置有多组下成型镶件；所述平面型上镶件座底部开设有上镶件凹槽，所述上镶件凹槽两侧固定连接有Σ型上边挡板，所述上镶件凹槽内部设置有多组上成型镶件，通过在平面型下镶件座和平面型上镶件座开设贯穿两端的下镶件凹槽和上镶件凹槽，提高平面型下镶件座和平面型上镶件座加工的方便性，然后通过Σ型下边挡板和Σ型上边挡板对下镶件凹槽和上镶件凹槽内的下成型镶件和上成型镶件进行限位定位，提高加工安装的方便性。便性。便性。

【技术实现步骤摘要】
超宽多排
Σ
结构的模盒


[0001]本专利技术涉及自动封装模盒
，具体涉及超宽多排Σ结构的模盒。

技术介绍

[0002]伴随全球半导体产业高速蓬勃发展，先进封装技术不断提升，需要大量高端封装产品。高密度封装属于国家七大战略性新兴产业的节能环保产业。以往的封装，产量小，树脂利用率低，能耗大，随着半导体产业的兴起，市场对电子产品的要求是功能不断升级，而成本又要不断下降，目前国内封装的引线框架宽度一般≤50.8mm，生产速度慢，封装成本高，无法满足市场不断降价的要求。因此开发高密度封装模具使用引线框架宽度≥100mm的封装技术具有重大意义。
[0003]现有技术中的模盒镶件座在进行加工时，需要在内部开设有凹槽对成型镶件进行放置固定，但是内部开槽的方式只能通过车床进行开槽，成型镶件需要开设的凹槽尺寸大且深度高，增加了车削的难度，同时成型镶件的一体式设置，使下成型镶件和上成型镶件之间的六面平行度垂直度以及平面度要求无法达到封装标准，上下之间出现产品的封装错位，降低了封装的质量。

技术实现思路

[0004]为了克服上述的技术问题，本专利技术的目的在于提供超宽多排Σ结构的模盒，通过在平面型下镶件座和平面型上镶件座开设贯穿两端的下镶件凹槽和上镶件凹槽，提高平面型下镶件座和平面型上镶件座加工的方便性，然后通过Σ型下边挡板和Σ型上边挡板对下镶件凹槽和上镶件凹槽内的下成型镶件和上成型镶件进行限位定位，提高加工安装的方便性。
[0005]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：/>[0006]超宽多排Σ结构的模盒，包括平面型下镶件座和平面型上镶件座，所述平面型下镶件座顶部开设有下镶件凹槽，所述下镶件凹槽两侧固定连接有Σ型下边挡板，所述下镶件凹槽内部设置有多组下成型镶件；所述平面型上镶件座底部开设有上镶件凹槽，所述上镶件凹槽两侧固定连接有Σ型上边挡板，所述上镶件凹槽内部设置有多组上成型镶件。
[0007]作为本专利技术进一步的方案：所述下镶件凹槽内部设置有伸入式下浇道镶件，多组所述下成型镶件分别位于伸入式下浇道镶件两侧。
[0008]作为本专利技术进一步的方案：所述上镶件凹槽内部设置有伸入式上浇道镶件，多组所述上成型镶件分别位于所述伸入式上浇道镶件两侧。
[0009]作为本专利技术进一步的方案：所述Σ型下边挡板中间开设有限位槽，所述伸入式下浇道镶件的两端延伸至限位槽内。
[0010]作为本专利技术进一步的方案：所述限位槽内部固定连接有限位块，所述Σ型上边挡板中间固定连接有卡块，所述卡块与限位块相配合。
[0011]作为本专利技术进一步的方案：所述平面型下镶件座和平面型上镶件座两侧均固定连
接有挡块，所述挡块、Σ型下边挡板和Σ型上边挡板外侧壁均螺纹连接有紧定螺塞。
[0012]作为本专利技术进一步的方案：所述平面型下镶件座两侧固定连接有凹型定位块，所述平面型上镶件座两侧固定连接有凸型定位块，所述凸型定位块与凹型定位块相配合。
[0013]作为本专利技术进一步的方案：所述伸入式下浇道镶件和伸入式上浇道镶件的两端分别通过销钉固定连接在Σ型下边挡板和Σ型上边挡板上。
[0014]本专利技术的有益效果：
[0015]1、本专利技术中，通过在平面型下镶件座和平面型上镶件座开设贯穿两端的下镶件凹槽和上镶件凹槽，提高平面型下镶件座和平面型上镶件座加工的方便性，然后通过Σ型下边挡板和Σ型上边挡板对下镶件凹槽和上镶件凹槽内的下成型镶件和上成型镶件进行限位定位，提高加工安装的方便性。
[0016]2、本专利技术中，通过对下成型镶件和上成型镶件进行分隔安装，然后再转动紧定螺塞进行调节时，使下成型镶件和上成型镶件可以更加灵活进行微调，避免整体式的成型镶件微调角度过大，难以调整，提高微调的精准度。
附图说明
[0017]下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。
[0018]图1是本专利技术平面型下镶件座结构示意图；
[0019]图2是本专利技术平面型上镶件座结构示意图；
[0020]图3是本专利技术图1中A部分放大结构示意图。
[0021]图中：1、平面型下镶件座；101、下镶件凹槽；102、Σ型下边挡板；1021、限位槽；1022、限位块；103、下成型镶件；2、平面型上镶件座；201、上镶件凹槽；202、Σ型上边挡板；2021、卡块；203、上成型镶件；204、凸型定位块；3、倒角；4、挡块；401、紧定螺塞；5、伸入式上浇道镶件；501、上浇道槽；6、伸入式下浇道镶件；601、销钉；7、凹型定位块。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]如图1
‑
图3所示，超宽多排Σ结构的模盒，包括平面型下镶件座1和平面型上镶件座2，与现有技术中的平面型下镶件座1和平面型上镶件座2相比较，通过在平面型下镶件座1顶部开设下镶件凹槽101，下镶件凹槽101的两侧贯穿平面型下镶件座1的两端，下镶件凹槽101两侧固定连接有Σ型下边挡板102，Σ型下边挡板102固定在下镶件凹槽101贯穿的两侧，下镶件凹槽101内部设置有多组下成型镶件103；平面型上镶件座2底部开设有上镶件凹槽201，上镶件凹槽201两侧固定连接有Σ型上边挡板202，上镶件凹槽201内部设置有多组上成型镶件203，平面型下镶件座1和平面型上镶件座2两侧均固定连接有挡块4，挡块4、Σ型下边挡板102和Σ型上边挡板202的外侧壁均螺纹连接有紧定螺塞401，用于对下成型镶件103和多组上成型镶件203进行位置调节，下成型镶件103和多组上成型镶件203在下镶件凹槽101和上镶件凹槽201内均为间隙配合，Σ型下边挡板102和Σ型上边挡板202边角开设
有倒角3。
[0024]本专利技术中多组下成型镶件103和多组上成型镶件203可以为一体成型结构，也可以使用多组进行拼接。
[0025]如图1和图2所示，下镶件凹槽101内部设置有伸入式下浇道镶件6，多组下成型镶件103分别位于伸入式下浇道镶件6两侧，上镶件凹槽201内部设置有伸入式上浇道镶件5，伸入式上浇道镶件5上开设有用于封装液体流动的上浇道槽501，多组上成型镶件203分别位于伸入式上浇道镶件5两侧，伸入式下浇道镶件6和伸入式上浇道镶件5的两端分别通过销钉601固定连接在Σ型下边挡板102和Σ型上边挡板202上。
[0026]如图1和图2所示，上述的Σ型下边挡板102中间开设有限位槽1021，伸入式下浇道镶件6的两端延伸至限位槽1021内，限位槽1021内部固定连接有限位块1022，Σ型上边挡板202中间固定连接有卡块2021，卡块2021与限位块1022相配合。
[0027]如图1和图2所示，上述的平面型下镶件座1两侧固定连接有凹型定位块7，平本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.超宽多排Σ结构的模盒，包括平面型下镶件座(1)和平面型上镶件座(2)，其特征在于，所述平面型下镶件座(1)顶部开设有下镶件凹槽(101)，所述下镶件凹槽(101)两侧固定连接有Σ型下边挡板(102)，所述下镶件凹槽(101)内部设置有多组下成型镶件(103)；所述平面型上镶件座(2)底部开设有上镶件凹槽(201)，所述上镶件凹槽(201)两侧固定连接有Σ型上边挡板(202)，所述上镶件凹槽(201)内部设置有多组上成型镶件(203)。2.根据权利要求1所述的超宽多排Σ结构的模盒，其特征在于，所述下镶件凹槽(101)内部设置有伸入式下浇道镶件(6)，多组所述下成型镶件(103)分别位于伸入式下浇道镶件(6)两侧。3.根据权利要求2所述的超宽多排Σ结构的模盒，其特征在于，所述上镶件凹槽(201)内部设置有伸入式上浇道镶件(5)，多组所述上成型镶件(203)分别位于所述伸入式上浇道镶件(5)两侧。4.根据权利要求2所述的超宽多排Σ结构的模盒，其特征在于，所述Σ型下边挡板(102)中间开设有限位槽(1021)，所述伸入式下...

【专利技术属性】
技术研发人员：郜铭，曹杰，杨宇，姚亮，
申请(专利权)人：铜陵三佳山田科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：