【技术实现步骤摘要】
一种外延层的薄膜质量检测方法
[0001]本专利技术属于半导体外延层薄膜检测领域,具体涉及一种外延层的薄膜质量检测方法。
技术介绍
[0002]外延工艺是指在半导体衬底上生长一层与半导体衬底具有相同晶格排列的外延层。为了提高半导体器件的电学性能,外延生长时通常需要掺入杂质,根据半导体衬底的材质和外延层的材质不同,外延工艺可以分为同质外延工艺和异质外延工艺。现有外延层掺杂主要是通过将衬底基板加热至所需温度,将半导体前体和掺杂剂前体沉积在衬底表面上。
[0003]外延层薄膜生长是一关键工艺,对制造出的器件质量优劣有着重要的影响。在外延工艺中,通常需要对沉积得到的外延层的薄膜质量进行检测,从而得到符合生产要求的外延层。需要检测的实验条件包含外延层的生长速率、掺杂剂浓度、电阻率等。
[0004]但是,现有技术中通常在Si基衬底上每次只能生长一层外延层,从而只能验证一种实验条件,结果导致测试周期长、实验验证时间长、成本高。
[0005]因此,亟需一种能够缩短测试周期、保证数据准确性、降低成本的外延层薄膜质量检测方法。
技术实现思路
[0006]本专利技术的目的是克服现有衬底表面每次生长一层外延层只能验证一种实验条件,从而导致测试周期长、成本高的缺陷。
[0007]为了达到上述目的,本专利技术提供了一种外延层的薄膜质量检测方法,包含以下步骤:
[0008]S1,提供一处理腔室及衬底;
[0009]S2,进行外延工艺,在所述衬底上沉积至少两层被测外延层,所述被测外延层 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种外延层的薄膜质量检测方法,其特征在于,包含以下步骤:S1,提供一处理腔室及衬底;S2,进行外延工艺,在所述衬底上沉积至少两层被测外延层,所述被测外延层包括掺杂剂,不同所述被测外延层之间含有的掺杂剂浓度不同;S3,结束外延工艺,通过测量装置检测所述被测外延层的薄膜质量。2.如权利要求1所述的外延层的薄膜质量检测方法,其特征在于,在步骤S2中,先在衬底上沉积间隔层,然后再沉积至少两层被测外延层。3.如权利要求1所述的外延层的薄膜质量检测方法,其特征在于,在步骤S2中,在沉积所述被测外延层之前,先沉积间隔层。4.如权利要求2或3所述的外延层的薄膜质量检测方法,其特征在于,所述间隔层和被测外延层的沉积材料不同。5.如权利要求2或3所述的外延层的薄膜质量检测方法,其特征在于,不同所述间隔层之间,间隔层的沉积材料和沉积工艺相同。6.如权利要求1所述的外延层的薄膜质量检测方法,其特征在于,在步骤S2中,距离所述衬底越远,所述被测外延层的掺杂剂浓度越低。7.如权利要求1所述的外延层的薄膜质量检测方法,其特征在于,在步骤S2中,沉积所述被测外延层具体为:向所述处理腔室内通入工艺气体并沉积,所述工艺气体包括沉积气体及掺杂剂;所述沉积气体包含至少一种IVA族半导体前驱体,所述掺杂剂包含至少一种IIIA族掺杂剂前驱体或VA族掺杂剂前驱体。8.如权利要求7所述的外延层的薄膜质量检测方法,其特征在于,所述工艺气体还包括刻蚀气体。9.如权利要求7所述的外延层的薄膜质量检测方法,其特征在于,所述IVA族半导体前驱体包含甲硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)、丙硅烷(Si3H8)、丁硅烷(Si4H
10
)、异戊硅烷(Si5H
12
)、新戊硅烷(Si5H
12
)、二氯硅烷(SiH2Cl2)、三氯硅烷(SiHCl3)、甲锗烷(GeH4)、乙锗烷(Ge2H6)、丙锗烷(Ge3H8)、甲基硅烷(CH3‑
SiH3)中的任意一种或者任意两种以上的组合。10.如权利要求7所述的外延层的薄膜质量检测方法,其特征在于,所述IIIA族掺杂剂前驱体包含硼烷(BH3)、乙硼烷(B2H6)、三氯化硼(BCl3)、溴化硼(BBr3)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)中的任意一种或者任意两种以上的组合。11.如权利要求7所述的外延层...
【专利技术属性】
技术研发人员:许晓坤,
申请(专利权)人:江苏天芯微半导体设备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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