【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体气体流量检测领域，具体涉及测量气体流量的方法和校准流量控制器的方法。
技术介绍
1、在半导体生产制造过程中，需要对各类工艺气体的气体流量有准确的控制与监控。
2、半导体设备中气体常用的流量控制装置包括质量流量控制器(mass flowcontroller，mfc)和限流器(flow restrictor，fr)。其中mfc存在以下问题：在量程范围内存在设定值±2％的精度误差，且误差在量程范围内成非线性分布，随着使用时间的增加，精度误差会发生变化。fr存在以下问题：由于制造误差的存在，无法获得使用过程中限制的准确流量。
3、目前常见的对mfc校准的设备质量流量检测器(mass flow verifier，mfv)只能对小流量的mfc或fr(3000sccm以下)进行校准，且对环境温度要求高(300k)，无法满足大流量mfc、fr以及高温环境下的校准需求，且fr使用前需要校准以确定使用过程中限制的准确流量。
技术实现思路
1、为了解决大流量流量控制器的流量校准和测量问题，本专利技术提出了一种测量气体流量的方法，包含以下步骤：
2、s1、提供一具有固定体积的用于处理晶圆的腔室，提供至少一测量准确的第一流量控制器，以及至少一第二流量控制器，所述第一流量控制器与所述第二流量控制器并联；
3、s2、仅利用一所述第一流量控制器向所述腔室提供已知流量的第一气体，获得校准因子；
4、s3、仅利用一所述第二流量控制器向所述
5、进一步地，所述校准因子是根据理想气体状态方程推导获得的当前条件下所述第一气体的所述已知流量与所述腔室的压力随时间变化的倒数之间的数学关系。
6、进一步地，所述校准因子是：
7、k＝f1·δt1/δp1；
8、其中，所述f1是第一气体的已知流量，δt1/δp1是第一气体在所述腔室内的腔室的压力随时间变化的倒数。
9、进一步地，所述第二流量控制器的流量f2通过公式f2＝(δp2/δt2)·k获得，其中，所述k是所述校准因子，所述δp2/δt2是第二气体在所述腔室内的腔室的压力随时间的变化。
10、进一步地，所述第一气体和所述第二气体为相同气体。
11、进一步地，第一流量控制器为一个，所述第二流量控制器为两个。
12、进一步地，所述测量准确的第一流量控制器通过质量流量检测器进行标定。
13、进一步地，所述腔室为外延腔室、cvd腔室、快速热处理腔室和刻蚀腔室的至少一种。
14、进一步地，所述校准因子是与气体类型和气体温度相关的常数。
15、进一步地，所述校准因子是：k＝v/(r·t·a)；v是所述腔室的体积，t是所述腔室内气体的温度，r是摩尔气体常数，a是与气体类型相关的系数。
16、本专利技术还提出了一种校准流量控制器的方法，采用所述的测量气体流量的方法获取的流量校准流量控制器。
17、本专利技术提供的测量气体流量的方法可适用于大流量的流量控制器的校准，且可在高温环境下进行流量校准。
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1.一种测量气体流量的方法，其特征在于，包含以下步骤：
2.如权利要求1所述的测量气体流量的方法，其特征在于，所述校准因子是根据理想气体状态方程推导获得的当前条件下所述第一气体的所述已知流量与所述腔室的压力随时间变化的倒数之间的数学关系。
3.如权利要求1所述的测量气体流量的方法，其特征在于，所述校准因子是：
4.如权利要求3所述的测量气体流量的方法，其特征在于，所述第二流量控制器的流量f2通过公式f2＝(ΔP2/Δt2)·k获得，其中，所述k是所述校准因子，所述ΔP2/Δt2是第二气体在所述腔室内的腔室的压力随时间的变化。
5.如权利要求1-4任一所述的测量气体流量的方法，其特征在于，所述第一气体和所述第二气体为相同气体。
6.如权利要求1-4任一所述的测量气体流量的方法，其特征在于，第一流量控制器为一个，所述第二流量控制器为两个。
7.如权利要求1所述的测量气体流量的方法，其特征在于，所述测量准确的第一流量控制器通过质量流量检测器进行标定。
8.如权利要求1所述的测量气体流量的方法，其特征在于
9.如权利要求1所述的测量气体流量的方法，其特征在于，所述校准因子是与气体类型和气体温度相关的常数。
10.如权利要求9所述的测量气体流量的方法，其特征在于，所述校准因子是：k＝V/(R·T·a)；V是所述腔室的体积，T是所述腔室内气体的温度，R是摩尔气体常数，a是与气体类型相关的系数。
11.一种校准流量控制器的方法，其特征在于，采用所述权利要求1-10任一所述的测量气体流量的方法获取的流量校准流量控制器。
...【技术特征摘要】
1.一种测量气体流量的方法，其特征在于，包含以下步骤：
2.如权利要求1所述的测量气体流量的方法，其特征在于，所述校准因子是根据理想气体状态方程推导获得的当前条件下所述第一气体的所述已知流量与所述腔室的压力随时间变化的倒数之间的数学关系。
3.如权利要求1所述的测量气体流量的方法，其特征在于，所述校准因子是：
4.如权利要求3所述的测量气体流量的方法，其特征在于，所述第二流量控制器的流量f2通过公式f2＝(δp2/δt2)·k获得，其中，所述k是所述校准因子，所述δp2/δt2是第二气体在所述腔室内的腔室的压力随时间的变化。
5.如权利要求1-4任一所述的测量气体流量的方法，其特征在于，所述第一气体和所述第二气体为相同气体。
6.如权利要求1-4任一所述的测量气体流量的方法，其特征在于，第...
【专利技术属性】
技术研发人员：包祺，
申请(专利权)人：江苏天芯微半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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