成形电路部件的制造方法技术

加宽一次基体的材质和二次基体的材质的选择宽度，可靠地防止电路的短路。一次基体（１）的形状是电路形成面（１１）呈凸状，电路非形成面（１２）呈凹状，其高低差为０．０５ｍｍ，连接该电路形成面和电路非形成面的侧壁（１３、１４）的角度为９０°。为了施加催化剂，将其浸渍在液温４０℃、水深５００ｍｍ的钯催化剂溶液中５分钟。之后，溶解除去树脂掩模（３），实施无电解镀。其结果是催化剂液的浸入范围是沿面距离延长的部分、即到两侧壁（１３、１４）为止，催化剂的浸入被阻止，可以防止导电层（５０）之间、即电路之间的短路的产生。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及例如在手机用连接器等中在表面的一部分或贯通的孔的 内周面施镀而形成回路的成形回路部件及其制造方法。
技术介绍
本申请的专利技术人之前提出了图7 图9所示的成形电路部件的制造方 法。在此，对于该制造方法进行说明，首先，如图7 (A)所示，通过对 热可塑性材料进行注射成形以电绝缘性成形规定形状的电路形成体即一 次基体IO。在该一次基体10的上表面形成的导电层50 (参考图7、 F)， 即电路形成面和其他的电路非形成面(非电路面)处于同一水平的平坦面。 作为该热可塑性材料，有电镀等级(plating grade)的液晶聚合物，例如芳 香族系聚合物有电镀等级的"VECTRA C810" (Polyplastic株式会社的商品名)o接着，如图7 (B)所示，对一次基体10的整个表面进行粗化形成粗 化层10a。为此，对一次基体进行脱脂，对表面进行蚀刻处理，作为该蚀 刻处理的例子，将苛性钠或苛性钾溶解成规定浓度、例如45wt^的碱性水 溶液被加热到规定温度、例如50 90°C，将一次基体10浸渍例如30分钟， 通过该蚀刻处理，使该一次基体的整个表面形成粗化层10a。进而，如图7 (C)所示，以使一次基体10的表面之中的、应形成规 定的电路图案的导电层的表面部分的电路形成面10b露出，并覆盖除此以 外的部分的电路非形成面10c的方式，通过成形在一次基体上一体地成形 树脂掩模30，形成二次基体20。具体地说，在通常的模具的上下的相对 面上形成有形成与在一次基体10的外周具有规定间隙的形状一致的形状 的腔室，在闭合该模具的状态下，作为树脂掩模的材料，例如注射成形含 有氧化烯的聚乙烯醇系树脂。作为该含有氧化烯的聚乙烯醇系树脂，例如有"ECOMATY AX"(日本合成化学工业株式会社的商品名)。该树脂掩 模30的材质，作为坯料，除了所述的聚乙烯醇系之外，还有聚乳酸系、 琥珀酸系、纤维素系、淀粉系、酪酸系、二醇系之类的生物分解性树脂。 另外，还有有机酸可溶型聚酰胺系。在此，如图7 (D)所示，在二次基体的露出的电路形成面10b、即应 形成导电层的表面部分，施给用于无电解镀的催化剂40。该催化剂40的 施加是公知的，例如，在将二次基体浸渍到锡、钯系的混合催化剂液中之 后，领域硫酸、盐酸等酸进行活性化，使钯在表面析出。另外，使氯化亚 锡等比较强的还原剂吸附于表面，浸渍在含有金等贵金属离子的催化剂的 溶液中，并在表面析出金。催化剂液的温度是15 23'C，浸渍5分钟就可 以。之后，如图7 (E)所示，除去该催化剂40施加后的二次基体20的 树脂掩模30。在该树脂掩模30是由"ECOMATY AX"成形的情况下， 将二次基体20在热水中加热，使其熔析于该热水中。该热水是8(TC左右 的热水，当浸渍了 10分钟该二次基体20时，该由"ECOMATY AX"形 成的树脂掩模30容易熔析。另外，由于一次基体10的材料的电镀等级的 "VECTRA C810"的热变形温度是200°C以上，因此不会对该一次基体 带来任何变化。最后，如图7 (F)所示，在该催化剂40的施加面、即电路形成面10b 上，通过化学镀铜、化学镀镍等无电解镀，形成导电层50。(专利文献l)。 专利文献l:日本特许第3616488号专利公报讨论所述图7所示的现有例，在施加了图7 (D)的树脂掩模30后， 在除去该树脂掩模的工序中，如图7 (F)所示，在一次基体10上的电路 形成面10b和电路非形成面10c (非电路面)处于同一面的情况下，该一 次基体的材质和二次基体20的树脂掩模30的材质的组合要求相溶性要 好。另外，存在限于大的非电路宽度的情况的问题，而且还存在完成品的 成形电路部件的利用领域要求的一次基体10的材料特性、即高频特性和 树脂掩模30的材质的相性差、利用领域受限的问题。例如，对于一次基体10的材质和二次基体20的树脂掩模30的材质 的相溶性，以一次基体10的高频特性和介电常数为前提，大多情况下难以选择与一次基体10的材质相溶性好的树脂掩模30，现实中总是无法选 择相溶性好的一次基体10的情况较多。而且，如果其相溶性差，则就算 使表面粗糙化后的一次基体10的电路形成面10b露出，其他的电路非形 成面10c如图8以及图7 (C)所示那样被树脂掩模30覆盖，如图9以及 图7 (D)所示，在浸渍到无电解镀用的催化剂液中时，催化剂液浸入到 被树脂掩模30被覆的电路非形成面10c，因此，析出镀金属而造成电路间 的短路，成品率下降。为了防止这样的电路间的短路，目前通过加宽电路非形成面10c的宽 度来解决，但如在后面说明的那样，近年来强烈要求配线间隔的窄间距化、 例如形成200pm间隔，在这样的现状中，加宽电路非形成面10c的宽度极 其困难。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供一种在不大幅度改变一次基体的形状的情 况下，通过简单设置高低差就解决所述问题点，由此使一次基体的材质和 二次基体的树脂掩模的材质的选择宽度变宽，即能够选择相溶性低的材 料，结果能够扩大成形电路部件的利用领域的成形电路部件及其制造方 法。近年，在电子设备中，伴随着节能化、省资源化、电子信号的高速化、 多频带化，要求电路基板的电路图案的配线间隔的窄间距化和高频特性的 低介质损耗因数角(dielectric loss tangent)。另外，从伴随着省资源化不 仅实现设备的小型化，在配线的高密度化的基础上还要有效活用空间的观 点来看，实际情况是追求配线以及连接部件从二维向三维配线发展的可能 性。本专利技术可以准确地应对这样的实际情况。本专利技术的的特征在于在一次基体的电路 形成面和电路非形成面之间设置高低差。该高低差优选是0.05mm以上。本专利技术的其他特征在于在上述一次基体的电路形成面和电路非形成 面设置凹或凸的高低差，并且连接该电路形成面和电路非形成面的侧面具 有规定角度。连接该电路形成面和电路非形成面的侧面规定角度是15° 卯° ,优选是45° 90° 。如此，在本专利技术中，通过在一次基体的电路形成面和电路非形成面之 间设置高低差，实现使向该一次基体和树脂掩模之间浸透的催化剂液的浸 透压衰减，进而通过使连接该电路形成面和电路非形成面的侧面具有规定 角度，更有效地衰减该浸透压。专利技术效果本专利技术的效果是在不大幅度改变一次基体的形状的情况下，使一次基 体的材质和二次基体的树脂掩模的材质的选择宽度变宽，可以可靠稳定地 防止电路的短路，能够加宽成形电路部件的利用领域。附图说明图1是在实施例1的一次基体上形成了树脂掩模的二次基体的立体图；图2是从实施例1的二次基体上除去树脂掩模之后的阶段的立体图；图3是用于表示实施例1的二次基体的尺寸的立体图；图4是在实施例2的一次基体上形成了树脂掩模的二次基体的立体图；图5是从实施例2的二次基体上除去了树脂掩模之后的阶段的立体图；图6是用于表示实施例2的二次基体的尺寸的立体图；图7 (A) (F)是表示现有例中的制造工序的截面图；图8是现有例的一次基体上形成了树脂掩模的二次基体的立体图；图9从现有例的二次基体上除去了树脂掩模之后的阶段的立体图。图中1一一次基体ll一电路形成面12—电路非形成面13 —侧壁14一侧壁3—树脂掩模10a—一次基体的粗化面640—催化剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成形电路部件，其特征在于，在形成有导电层的电路形成面和除此以外的电路非形成面之间有高低差。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉泽德夫，渡边浩聪，
申请(专利权)人：三共化成株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]