本公开是关于一种透射电子显微镜栅氧样品的制作方法及其结构，透射电子显微镜栅氧样品的制作方法包括：提供样品；于样品上选择待检测区；暴露有源区；暴露单排有源区。本公开通过依次沿待检测区长度方向去除初始保护层周边部分样品、沿样品上有源区排布方向去除部分样品，使样品上的有源区暴露出来，通过调整样品相对于透射电子显微镜发出的电子束的角度，例如使透射电子显微镜的机台转动同待检测区长度方向与样品上位线长度方向的夹角一致的角度，即可实现该电子束垂直于样品上的位线长度方向或垂直于样品上的有源区排布方向，达到单一样品上存在沿有源区排布方向的切面和位线长度方向的切面的目的，进而通过单次制样进行不同角度的检测。行不同角度的检测。行不同角度的检测。
【技术实现步骤摘要】
透射电子显微镜栅氧样品的制作方法及其结构
[0001]本公开涉及半导体的
，尤其涉及一种透射电子显微镜栅氧样品的制作方法及其结构。
技术介绍
[0002]当前，对晶片进行失效分析时，透射电子显微镜的机台需要旋转一定角度，以实现通过电子束射出获取晶片上位线长度方向或有源区排布方向的失效情况。
[0003]现有的制样方法只能对单一方向进行失效分析，不能通过一次制样满足不同方向的失效分析。
技术实现思路
[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]为克服相关技术中存在的问题，本公开提供了一种透射电子显微镜栅氧样品的制作方法及其结构。
[0006]本公开实施例提供了一种透射电子显微镜栅氧样品的制作方法，所述透射电子显微镜栅氧样品的制作方法包括：
[0007]提供样品；于所述样品上选择待检测区，所述待检测区的长度方向与所述样品上的位线长度方向夹角设置，沿所述待检测区的长度方向去除所述初始保护层周边部分所述样品；沿所述样品上有源区排布方向去除部分所述样品，剩余所述样品上暴露有源区；去除部分所述样品，剩余样品上暴露单排有源区。
[0008]根据本公开的一些实施例，所述提供样品包括：提供载体和晶片，所述晶片固定于所述载体上且所述晶片的图形面朝向所述载体。去除部分所述晶片，自所述晶片的背面暴露所述晶片的图形轮廓。
[0009]根据本公开的一些实施例，所述去除部分所述晶片包括：对所述晶片背面初次打磨至所述晶片的图形轮廓通过所述晶片的背面显现；对初次打磨后的所述晶片背面第二次打磨至所述晶片上的粗磨痕迹消失；对第二次打磨后的所述晶片背面第三次打磨至所述晶片的图形轮廓自所述晶片的背面暴露。
[0010]根据本公开的一些实施例，所述去除部分所述样品，剩余样品上暴露单排有源区包括：去除所述样品上的部分所述有源区，剩余所述有源区于所述样品上单排分布。
[0011]根据本公开的一些实施例，所述去除分布暴露有源区的样品包括：通过聚焦离子束修整所述样品，去除所述样品上暴露的部分所述有源区。
[0012]根据本公开的一些实施例，所述于所述样品上选择待检测区包括：于所述样品上覆盖初始保护层，所述初始保护层的长度方向与所述样品上位线长度方夹角设置，所述初始保护层的长度方向与所述样品上有源区排布方向夹角设置。
[0013]根据本公开的一些实施例，所述于所述样品上覆盖初始保护层包括：于所述样品
上确定待观测区；于所述待观测区覆盖第一保护层；于所述第一保护层上覆盖第二保护层，所述第二保护层的长度方向与所述样品上的位线长度方向夹角设置，所述第二保护层的材质分子质量大于所述第一保护层的材质分子质量；于所述第二保护层上覆盖第三保护层，所述第三保护层的长度方向沿所述第二保护层的长度方向设置，所述第三保护层的材质分子质量大于所述第二保护层的材质分子质量。
[0014]根据本公开的一些实施例，所述于所述样品上确定待观测区包括：于所述样品上确定所述待观测区位置；去除部分所述样品，于所述待观测区形成下陷区域。
[0015]根据本公开的一些实施例，所述第一保护层的材质为碳，所述第二保护层的材质为铂，所述第三保护层的材质为铂。
[0016]根据本公开的一些实施例，所述晶片上有源区排布方向与位线长度方向夹角通过以下步骤获得：去除所述待观测区的部分所述样品；将所述样品通电，量测所述样品上有源区排布方向与位线长度方向的夹角。
[0017]根据本公开的一些实施例，所述初始保护层的长度方向与所述样品上的所述位线长度方向夹角为a
°
，所述样品上的所述位线长度方向与所述有源区排布方向夹角为n
°
，n
‑
2a＝
‑
1或0或1。
[0018]本公开实施例的第二方面，提供一种透射电子显微镜栅氧样品的结构，所述透射电子显微镜栅氧样品的结构包括依次堆叠的晶片层、第一保护层、第二保护层和第三保护层。
[0019]根据本公开的一些实施例，所述第二保护层覆盖于所述第一保护层的中心位置处。
[0020]根据本公开的一些实施例，所述第三保护处覆盖所述第二保护层，且所述第三保护层覆盖所述第二保护层周边的部分所述第一保护层。
[0021]根据本公开的一些实施例，所述第一保护层的顶面与所述晶片层顶面平齐。
[0022]本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：通过依次沿与样品上位线长度方向夹角设置的待检测区长度方向去除初始保护层周边部分样品、沿样品上有源区排布方向去除部分样品，使样品上的有源区暴露出来，通过调整样品相对于透射电子显微镜发出的电子束的角度，例如使透射电子显微镜的机台转动同待检测区长度方向与样品上位线长度方向的夹角一致的角度，即可实现该电子束垂直于样品上的位线长度方向或垂直于样品上的有源区排布方向，达到单一样品上存在沿有源区排布方向的切面和位线长度方向的切面的目的，进而通过单次制样进行不同角度的检测。
[0023]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0024]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
[0025]图1是根据一示例性实施例示出的透射电子显微镜栅氧样品的制作方法的流程图。
[0026]图2是根据一示例性实施例示出的有源区排布方向示意图。
[0027]图3是根据一示例性实施例示出的透射电子显微镜栅氧样品的制作方法中粗切孔位置的示意图。
[0028]图4是根据一示例性实施例示出的透射电子显微镜栅氧样品的制作方法中细切孔位置的示意图。
[0029]图5是根据一示例性实施例示出的透射电子显微镜栅氧样品的制作方法的流程图。
[0030]图6是根据一示例性实施例示出的透射电子显微镜栅氧样品的制作方法中晶片位置示意图。
[0031]图7是根据一示例性实施例示出的透射电子显微镜栅氧样品的制作方法的流程图。
[0032]图8是根据一示例性实施例示出的透射电子显微镜栅氧样品的制作方法中有源区轮廓重叠示意图。
[0033]图9是根据一示例性实施例示出的透射电子显微镜栅氧样品的制作方法中单排有源区轮廓示意图。
[0034]图10是根据一示例性实施例示出的透射电子显微镜栅氧样品的制作方法中初始保护层的位置示意图。
[0035]图11是根据一示例性实施例示出的透射电子显微镜栅氧样品的制作方法的流程图。
[0036]图12是根据一示例性实施例示出的透射电子显微镜栅氧样品的制作方法中待检测区的位置示意图。
[0037]图13是根据一示例性实施例示出的透射电子显微镜栅氧样品的制作方法中第一保护层的位置示意图。
[0038]图14是根据一示例本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种透射电子显微镜栅氧样品的制作方法，其特征在于，所述透射电子显微镜栅氧样品的制作方法包括：提供样品；于所述样品上选择待检测区，所述待检测区的长度方向与所述样品上的位线长度方向夹角设置，沿所述待检测区的长度方向去除所述初始保护层周边部分所述样品；沿所述样品上有源区排布方向去除部分所述样品，剩余所述样品上暴露有源区；去除部分所述样品，剩余样品上暴露单排有源区。2.根据权利要求1所述的透射电子显微镜栅氧样品的制作方法，其特征在于，所述提供样品包括：提供载体和晶片，所述晶片固定于所述载体上且所述晶片的图形面朝向所述载体；去除部分所述晶片，自所述晶片的背面暴露所述晶片的图形轮廓。3.根据权利要求2所述的透射电子显微镜栅氧样品的制作方法，其特征在于，所述去除部分所述晶片包括：对所述晶片背面初次打磨至所述晶片的图形轮廓通过所述晶片的背面显现；对初次打磨后的所述晶片背面第二次打磨至所述晶片上的粗磨痕迹消失；对第二次打磨后的所述晶片背面第三次打磨至所述晶片的图形轮廓自所述晶片的背面暴露。4.根据权利要求1所述的透射电子显微镜栅氧样品的制作方法，其特征在于，所述去除部分所述样品，剩余样品上暴露单排有源区包括：去除所述样品上的部分所述有源区，剩余所述有源区于所述样品上单排分布。5.根据权利要求4所述的透射电子显微镜栅氧样品的制作方法，其特征在于，所述去除所述样品上的部分所述有源区包括：通过聚焦离子束修整所述样品，去除所述样品上暴露的部分所述有源区。6.根据权利要求1所述的透射电子显微镜栅氧样品的制作方法，其特征在于，所述于所述样品上选择待检测区包括：于所述样品上覆盖初始保护层，所述初始保护层的长度方向与所述样品上位线长度方夹角设置，所述初始保护层的长度方向与所述样品上有源区排布方向夹角设置。7.根据权利要求6所述的透射电子显微镜栅氧样品的制作方法，其特征在于，所述于所述样品上覆盖初始保护层包括：于所述样品上确定待观测区；于所述待观测区覆盖第一保护层；于所述第一保护层上覆盖第二保护层，所述第二保护层的长...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘传涛，王欣，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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