一种引线框架结构及封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种引线框架结构及封装结构，属于芯片封装技术领域，包括由多个引线框架单元组成的引线框架，所述引线框架单元包括框架，框架内设置有第一基岛和第二基岛，第一基岛的一侧对称设置有第二连筋，第一基岛的另一侧对称设置有第一连筋，第二连筋和第一连筋远离第一基岛的一端均固定在框架的内壁上，第二基岛的一侧设置有多个漏极引脚，且漏极引脚远离第二基岛的一端与框架固定连接；本实用新型专利技术可利用现有的封装料供给管路进行封装，无需定制新的注塑部件，可有效节约成本，并满足两个MOSFET芯片串联封装的需求。满足两个MOSFET芯片串联封装的需求。满足两个MOSFET芯片串联封装的需求。

【技术实现步骤摘要】
一种引线框架结构及封装结构


[0001]本技术涉及芯片封装
，具体涉及一种引线框架结构及封装结构。

技术介绍

[0002]常规的PDFN的引线框架，一般如图4
‑
图5所示，其包括多个引线框架单元，每个引线框架单元包括基岛，基岛一侧通过漏极引脚与框架相连，基岛的两侧通过连筋（Tiebar）与框架相连，并在与漏极引脚背离的一侧的框架上设置多个互相连接的源极引脚，以及单个栅极引脚，多应用于MOSFET芯片的封装。在封装时，利用封装料供给的管路，将封装料供给至模具中，对芯片进行封装，管路一般从框架的上部引入（如图4），通过注料头导入模具（未图示）；装完毕后，形成封装体，封装体多安装在电路板上使用。
[0003]随着技术的发展，以及对功能要求的提高，两个MOSFET芯片串联封装的方式越来越普遍，可有效降低感应电容。而新的封装体，不仅需要满足原电路板尺寸的需求，还需要与常规的PDFN的框架相同，以确保可以应用在PCB板上，但是常规的引线框架难以满足上述需求。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种引线框架结构及封装结构，解决以下技术问题：
[0005]现有引线框架难以满足两个MOSFET芯片的封装需求。
[0006]本技术的目的可以通过以下技术方案实现：
[0007]一种引线框架结构，包括由多个引线框架单元组成的引线框架，所述引线框架单元包括框架，框架内设置有第一基岛和第二基岛，第一基岛的一侧对称设置有第二连筋，第一基岛的另一侧对称设置有第一连筋，第二连筋和第一连筋远离第一基岛的一端均固定在框架的内壁上，第二基岛的一侧设置有多个漏极引脚，且漏极引脚远离第二基岛的一端与框架固定连接。
[0008]作为本技术进一步的方案：所述引线框架的一侧设置有封装料供给管路，所述封装料供给管路的两侧沿长度方向均匀设置有多个注塑头。
[0009]作为本技术进一步的方案：两个所述第二连筋远离第一基岛的一端倾斜向外延伸呈八字形结构布置。
[0010]作为本技术进一步的方案：所述框架上安装有一个第一栅极引脚和多个相互连接的源极引脚，且第一栅极引脚和源极引脚均位于两根第二连筋之间，所述第二基岛的一侧设置有缺口，缺口处设置有第二栅极引脚，第二栅极引脚的一端与框架固定连接。
[0011]一种封装结构，所述第二基岛上承载有第二MOSFET芯片，第一基岛上承载有第一MOSFET芯片，源极引脚通过键合线与第一MOSFET芯片的源极区域键合，第一栅极引脚通过键合线与第一MOSFET芯片的栅极区域键合，第一基岛通过键合线与第二MOSFET芯片的源极区域键合，第二栅极引脚通过键合线与第二MOSFET芯片的栅极区域连接。
[0012]本技术的有益效果：
[0013]本技术通过设置第一基岛和第二基岛，第一基岛和第二基岛设置在框架内，第一基岛和第二基岛之间具有一定间距，即可利用现有的封装料供给管路进行封装，倾斜设置的第二连筋可避开现有的注塑头，无需定制新的注塑部件，可有效节约成本，满足两个MOSFET芯片串联封装的需求。
附图说明
[0014]下面结合附图对本技术作进一步的说明。
[0015]图1是本技术单个引线框架单元的结构示意图；
[0016]图2是本技术封装结构示意图；
[0017]图3是本技术封装时的结构示意图；
[0018]图4是现有技术单个引线框架单元的结构示意图；
[0019]图5是现有技术封装时的结构示意图。
[0020]图中：1、框架；2、第一基岛；3、第二基岛；4、第二连筋；5、第一连筋；6、第一栅极引脚；7、源极引脚；8、漏极引脚；9、第二栅极引脚；10、第一MOSFET芯片；11、第二MOSFET芯片；12、引线框架；13、封装料供给管路；14、注塑头。
实施方式
[0021]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]请参阅图1
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5所示，本技术为一种引线框架结构，包括由多个引线框架单元组成的引线框架12，引线框架单元包括框架1，框架1内设置有第一基岛2和第二基岛3，第一基岛2的一侧对称设置有第二连筋4，第一基岛2的另一侧对称设置有第一连筋5，第二连筋4和第一连筋5远离第一基岛2的一端均固定在框架1的内壁上，第二基岛3的一侧设置有多个漏极引脚8，且漏极引脚8远离第二基岛3的一端与框架1固定连接。
[0023]作为本技术进一步的方案：所述引线框架12的一侧设置有封装料供给管路13，封装料供给管路13的两侧沿长度方向均匀设置有多个注塑头14。
[0024]作为本技术进一步的方案：两个第二连筋4远离第一基岛2的一端倾斜向外延伸呈八字形结构布置。
[0025]作为本技术进一步的方案：框架1上安装有一个第一栅极引脚6和多个相互连接的源极引脚7，且第一栅极引脚6和源极引脚7均位于两根第二连筋4之间，第二基岛3的一侧设置有缺口，缺口处设置有第二栅极引脚9，第二栅极引脚9的一端与框架1固定连接。
[0026]一种封装结构，第二基岛3上承载有第二MOSFET芯片11，第一基岛2上承载有第一MOSFET芯片10，源极引脚7通过键合线与第一MOSFET芯片10的源极区域键合，第一栅极引脚6通过键合线与第一MOSFET芯片10的栅极区域键合，第一基岛2通过键合线与第二MOSFET芯片11的源极区域键合，第二栅极引脚9通过键合线与第二MOSFET芯片11的栅极区域连接。
[0027]本技术的工作原理：先将第一MOSFET芯片10的漏极区域通过粘结物质（锡膏或导电胶）固定在第一基岛2上，第二MOSFET芯片11的漏极区域通过粘结物质固定在第二基
岛3上，然后进行键合，源极引脚7通过键合线（铜线、金线、铝线等）与第一MOSFET芯片10的源极区域键合，第一栅极引脚6通过键合线与第一MOSFET芯片10的栅极区域键合，第一基岛2通过键合线与第二MOSFET芯片11的源极区域键合，进而实现第一MOSFET芯片10的漏极区域和第二MOSFET芯片11源极区域电性导通，实现两者的串联，第二栅极引脚9通过键合线与第二MOSFET芯片11的栅极区域连接，即可整体完整焊接过程，然后利用封装料供给管路13和注塑头14进行封装并切单后，形成单个的双MOSFET芯片串联封装结构，另外，由于本申请的第二连筋4采用倾斜设置，可适配现有的注塑头14，无需定制新的注塑部件，可有效节约成本。
[0028]以上对本技术的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本技术的较佳实施例，不能被认为用于限定本技术的实施范围。凡依本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.引线框架结构，包括由多个引线框架单元组成的引线框架(12)，所述引线框架单元包括框架(1)，其特征在于，框架(1)内设置有第一基岛(2)和第二基岛(3)，第一基岛(2)的一侧对称设置有第二连筋(4)，第一基岛(2)的另一侧对称设置有第一连筋(5)，第二连筋(4)和第一连筋(5)远离第一基岛(2)的一端均固定在框架(1)的内壁上，第二基岛(3)的一侧设置有多个漏极引脚(8)，且漏极引脚(8)远离第二基岛(3)的一端与框架(1)固定连接。2.根据权利要求1所述的引线框架结构，其特征在于，两个所述第二连筋(4)远离第一基岛(2)的一端倾斜向外延伸呈八字形结构布置。3.根据权利要求1所述的引线框架结构，其特征在于，所述框架(1)上安装有一个第一栅极引脚(6)和多个相互连接的源极引脚(7)...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕娟娟，
申请(专利权)人：安徽积芯微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：