中继基板和利用该中继基板的电子设备及各自的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种新的中继基板及其制造方法。本发明专利技术的中继基板（１０）具有硅基板（１２）、形成在上述硅基板上的多个通孔导体（２０）和电容器（１５），该电容器（１５）由使上述通孔导体的连接盘部分延伸而形成的上部电极（１４）和下部电极（１８）、形成在两电极间的电介质层（１６）构成。根据期望形成的再布线层（２３－１、２３－２）形成在与上述电容器不同的其他层上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及中继基板(interposer )和利用了该中继基板 的电子设备，更为具体的说，涉及介于半导体芯片和封装基板 之间的中继基板以及由半导体芯片、中继基板和封装基板的组 合构成的电子设备。
技术介绍
以往，作为用于进行半导体芯片与封装基板之间的再布线 的印刷线路板，公知有中继基板。中继基板是再布线装置，该 再布线装置主要用于将半导体芯片的超高密度间距(例如 5()(im)的导体电路与封装基板(也称为"安装基板")的比上 述超高密度间距大的间距(例如150(im)的'导体电路相互连接 起来。专利文献]:日本特开2001-326305 "半导体装置用中继基 板、其制造方法和半导体装置"(2001年11月22日公开)。上述专利文献公开了在绝缘基板上形成有电容器和布线图 案的中继基板。通过本专利技术人其后的研究可明确的是在如专利文献1中 所记载的那样地、在中继基板上 一起形成电容器和再布线层时， 会产生各种问题。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种新的中继基板和利用该 中继基板的电子设备。筌于上述目的，本专利技术的中继基板具有形成在基板表面的 几乎整面上的电容器。另外，在上述中继基板中，上述电容器由下部电极、电介 质层和上部电扨j勾成，该下部电纟及具有开口部，该电介质层形 成在上述下部电极上，该上部电极形成在上述电介质层上，且孔连接盘、接地用通孔导体、接地用导通孔连接盘、信号用通 孔导体、信号用通孔连接盘、接地用导通孔导体和电源用导通 孔导体，该电源用通孔导体贯通上述基板，与IC芯片的电源电 极电连接；该电源用通孔连接盘与上述电源用通孔导体相连接，形成在上述下部电才及的开口部内；该4妄地用通孔导体贯通上述 基板，与IC芯片的接地电极电连接；该接地用导通孔连接盘与 上述接地用通孔导体电连接，形成在上述上部电极的开口部内； 该信号用通孔导体贯通上述基板，与IC芯片的信号电极电连 接；该信号用通孔连接盘与上述信号用通孔导体相连接，形成 在上述基板上；该接地用导通孔导体连接上述接地用导通孔连 接盘和上述下部电极，形成在上述电介质层上；该电源用导通 孔导体连接上述电源用通孔连接盘和上部电极，形成在上述电 介质层上；上述信号用通孔导体也可以形成在形成有上述接地 用通孔导体和上述电源用通孔导体的区域以外。另外，在上述中继基板中，上述电容器由下部电极、电介 质层和上部电极构成，该下部电极具有开口部，该电介质层形 成在上述下部电极上，该上部电极形成在上述电介质层上，且 具有开口部；上述中继基板还具有接地用通孔导体、接地用通孔连接盘、电源用通孔导体、电源用导通孔连接盘、信号用通 孔导体、信号用通孔连接盘、电源用导通孔导体和接地用导通 孔导体；该接地用通孔导体贯通上述基板，与IC芯片的接地电 极电连接；该接地用通孔连接盘与上述接地用通孔导体电连接，形成在上述下部电才及的开口部内；该电源用通孔导体贯通上述基板，与IC芯片的电源电极电连接；该电源用导通孔连接盘与 上述电源用通孔导体电连接，形成在上述上部电极的开口部内； 该信号用通孔导体贯通上述基板，与IC芯片的信号电极电连 接；该信号用通孔连接盘与上述信号用通孔导体相连接，形成 在上述基板上；该电源用导通孔导体连接上述电源用导通孔连 接盘和上述下部电极，形成在上述电介质层上；该接地用导通 孔导体连接上述接地用通孔连接盘和上述上部电极，形成在上 述电介质层上；上述信号用通孔导体也可以形成在形成有上述 接地用通孔导体和上述电源用通孔导体的区域以外。另外，本专利技术的电子设备具有IC芯片、封装基板和技术方 案1 2中所述的中继基板，该中继基板被上述IC芯片和上述封 装基板夹着，并分别与两者电连接，上述中继基板提供电容器。另外，本专利技术的中继基板的制造方法为准备硅基板，在 上述硅基板的 一 面的几乎整面上形成由下部电极、电介质层和 上部电极构成的电容器，从上述硅基板的另 一 面在该硅基板上 形成贯通孔，在上述贯通孔内形成通孔导体，上述通孔导体中 的几个导体与上述下部电极电连接，上述通孔导体的其余几个 导体借助形成在上述电介质层上的导通孔导体而与上述上部电 才及相连才妄。另外，本专利技术的电子设备的制造方法为如下方法准备采 用上述方法制造出的中继基板，在上述中继基板的 一 面上电连 接IC芯片，在上述中继基板的另 一面上电连接封装件。采用本专利技术，可以提供新的中继基板和利用该中继基板的电子设备。附图说明图l是表示本实施方式的中继基板的主要部分的剖视图。 图2是表示从下部电极侧观察形成在图l所示的中继基板 上的电容器的一部分的图。图3是表示另 一 实施方式的中继基板的主要部分的剖视图4是表示使用了中继基板的电子设备的构成的剖视图。图5是表示使用了另一中继基板的电子设备的构成的剖视图6A是与图6的其他图 一起表示图5所示的中继基板的制 造工序的一个例子的图，概略来说，为在硅基板上形成电容器的工序。图6B是与图6的其他图一起表示图5所示的中继基板的制 造工序的一个例子的图，概略来说，为在硅基板上形成电容器的工序。图6C是与图6的其他图一起表示图5所示的中继基板的制 造工序的一个例子的图，概略来说，为在硅基板上形成电容器 的工序。图6:D是与图6的其他图 一起表示图5所示的中继基板的制 造工序的一个例子的图，概略来说，为在硅基板上形成电容器 的工序。图6E是与图6的其他图一起表示图5所示的中继基板的制 造工序的一个例子的图，概略来说，为在硅基板上形成电容器 的工序。图6F是与图6的其他图 一起表示图5所示的中继基板的制 造工序的一个例子的图，概略来说，为在硅基板上形成电容器的工序。图6G是与图G的其他图 一起表示图5所示的中继基板的制造工序的一个例子的图，概略来说，为在硅基板上形成电容器 的工序。图6H是与图6的其他图 一起表示图5所示的中继基板的制造工序的一个例子的图，概略来说，为在硅基板上形成电容器的工序。图61是与图6的其他图 一起表示图5所示的中继基板的制 造工序的一个例子的图，概略来说，为在硅基板上形成电容器的工序。图6J是与图6的其他图一起表示图5所示的中继基板的制 造工序的一个例子的图，概略来说，为在硅基板上形成电容器的工序。图6K是与图6的其他图 一起表示图5所示的中继基板的制 造工序的一个例子的图，概略来说，为在硅基板上形成电容器的工序。图6L是与图6的其他图 一起表示图5所示的中继基板的制 造工序的一个例子的图，概略来说，为在硅基板上形成电容器的工序。图6M是与图6的其他图 一起表示图5所示的中继基板的制 造工序的一个例子的图，概略来说，为在硅基板上形成电容器 的工序。图7A是与图7的其他图一起表示图5所示的中继基板的制 造工序的一个例子的图，概略来说，为在该电容器上表面形成 再布线层的工序。图7B是与图7的其他图 一起表示图5所示的中继基板的制 造工序的一个例子的图，概略来说，为在该电容器上表面形成 再布线层的工序。图7C是与图7的其他图 一 起表示图5所示的中继基板的制造工序的--个例子的图，概略来说，为在该电容器上表面形成 再布线层的工序。图7D是与图7的其他图 一起表示图5所示的中继基板的制造工序的一个例子的图，概略来说，为在该电容器上表面形成 再布线层的工序。图7本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中继基板，其具有在基板表面的几乎整面上形成的电容器。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：河野秀一，
申请(专利权)人：揖斐电株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]