中继基板和利用该中继基板的电子设备及各自的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种新的中继基板及其制造方法。本发明专利技术的中继基板（１０）具有硅基板（１２）、形成在上述硅基板上的多个通孔导体（２０）和电容器（１５），该电容器（１５）由使上述通孔导体的连接盘部分延伸而形成的上部电极（１４）和下部电极（１８）、形成在两电极间的电介质层（１６）构成。根据期望形成的再布线层（２３－１、２３－２）形成在与上述电容器不同的其他层上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及中继基板(interposer )和利用了该中继基板 的电子设备，更为具体的说，涉及介于半导体芯片和封装基板 之间的中继基板以及由半导体芯片、中继基板和封装基板的组 合构成的电子设备。
技术介绍
以往，作为用于进行半导体芯片与封装基板之间的再布线 的印刷线路板，公知有中继基板。中继基板是再布线装置，该 再布线装置主要用于将半导体芯片的超高密度间距(例如 5()(im)的导体电路与封装基板(也称为"安装基板")的比上 述超高密度间距大的间距(例如150(im)的'导体电路相互连接 起来。专利文献]:日本特开2001-326305 "半导体装置用中继基 板、其制造方法和半导体装置"(2001年11月22日公开)。上述专利文献公开了在绝缘基板上形成有电容器和布线图 案的中继基板。通过本专利技术人其后的研究可明确的是在如专利文献1中 所记载的那样地、在中继基板上 一起形成电容器和再布线层时， 会产生各种问题。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种新的中继基板和利用该 中继基板的电子设备。筌于上述目的，本专利技术的中继基板具有形成在基板表面的 几乎整面上的电容器。另外，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中继基板，其具有在基板表面的几乎整面上形成的电容器。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：河野秀一，
申请(专利权)人：揖斐电株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]