半导体开关及半导体器件制造技术

本申请涉及一种半导体开关及半导体器件。一种半导体开关，包括：HEMT异质结构层，所述HEMT异质结构层上设有金属电极；应力缓冲层，固定在所述HEMT异质结构层的上侧，与所述金属电极连接；PAD金属层，固定在所述应力缓冲层的上侧，通过所述应力缓冲层与所述金属电极连接。本申请通过在HEMT异质结构层与PAD金属层之间设置的应力缓冲层，可以使HEMT异质结构层、应力缓冲层和PAD金属层依次叠层设置，充分利用PAD金属层下方的空间，减少整体芯片面积，同时保证了PAD金属层下方电路的良率。同时保证了PAD金属层下方电路的良率。同时保证了PAD金属层下方电路的良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体开关及半导体器件


[0001]本申请属于半导体
，尤其涉及一种半导体开关及半导体器件。

技术介绍

[0002]目前，传统的HEMT(High Electron Mobility Transistor；高电子迁移率晶体管)芯片通常包括用于导电的异质结构层以及用于与外部电路进行焊接的PAD金属，PAD金属通常直接与异质结构层的各个金属电极连接。
[0003]由于PAD金属在器件封装或使用过程中，容易因为温度的变化产生较大应力，因此，传统的HEMT芯片的PAD金属通常需要与异质结构层错位放置，避免PAD金属与异质结构层叠放时，PAD金属的应力施加到异质结构层上或者施加到异质结构层上的连接电路上，使异质结构层或电路出现损伤，但这也导致了传统的HEMT芯片需要较大的芯片面积来分别放置异质结构层以及PAD金属。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种半导体开关及半导体器件，旨在解决传统的氮化镓半导体器件存在的器件面积过大的问题。
[0005]本申请实施例的第一方面提供了一种半导体开关，包括：HEMT异本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体开关，其特征在于，包括：HEMT异质结构层，所述HEMT异质结构层上设有金属电极；应力缓冲层，固定在所述HEMT异质结构层的上侧，与所述金属电极连接；PAD金属层，固定在所述应力缓冲层的上侧，通过所述应力缓冲层与所述金属电极连接。2.如权利要求1所述的半导体开关，其特征在于，所述应力缓冲层包括柔性金属结构，所述柔性金属结构设置在所述金属电极与所述PAD金属层之间。3.如权利要求2所述的半导体开关，其特征在于，所述柔性金属结构包括若干由柔性金属构造的若干金属鳍片，各个所述金属鳍片相互平行，且均垂直固定在所述金属电极和所述PAD金属层之间。4.如权利要求2所述的半导体开关，其特征在于，所述应力缓冲层还包括若干支撑柱，所述支撑柱包裹在所述柔性金属结构内，所述支撑柱的两端分别与所述金属电极和所述PAD金属层连接。5.如权利要求4所述的半导体开关，其特征在于，各个所述支撑柱的横截面均为正六边形。6.如权利要求4所述的半导体开关，其特征在于，所述柔性金属结构的材质包括铝或铜；各个所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄汇钦，吴龙江，曾健忠，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：