一种用于银烧结的复合焊片结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于银烧结的复合焊片结构及制备方法，涉及半导体制备技术领域，旨在解决目前纳米银浆制备成本高，可靠性低的问题，其技术方案要点是：一种用于银烧结的复合焊片结构，包括自上而下依次设置的银盐复合膜层、银箔层、银盐复合膜层。本发明专利技术的一种用于银烧结的复合焊片结构及制备方法，制备成本低，能够提高Ag连接的可靠性。能够提高Ag连接的可靠性。能够提高Ag连接的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于银烧结的复合焊片结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制备领域，更具体地说，它涉及一种用于银烧结的复合焊片结构及制备方法。

技术介绍

[0002]第三代半导体材料在许多应用领域拥有Si半导体材料无法比拟的优点：如具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，可实现高压、高温、高频、高抗辐射能力。此外，第三代半导体材料还具有广泛的基础性和重要的引领性。从目前第三代半导体材料和器件的研究来看，较为成熟的是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体材料，也是最具有发展前景的两种材料。
[0003]目前SiC已应用于新能源电动车用半导体器件当中，基于SiC的上述优势，在新型半导体器件当中，作为与SiC芯片相匹配的先进连接技术为新一代银纳米烧结技术，主要优势为纳米银颗粒的尺寸效应带来的低熔点焊接，高熔点服役特性，是先进的电子器件封装连接材料。然而，银烧结技术成本过高，1克纳米银浆的价格远远溢价Ag价格数倍；纳米银浆料需要特殊的存储环境，一般需要低温保存；芯片与绝缘基板的连接采用银烧结技术需要复杂的仪器设备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于银烧结的复合焊片结构，其特征在于：包括自上而下依次设置的银盐复合膜层、银箔层、银盐复合膜层。2.根据权利要求1所述的一种用于银烧结的复合焊片结构，其特征在于：所述银盐复合层的种类为：氯化银、溴化银、碘化银、碳酸银、柠檬酸银、醋酸银、甲酸银、硫酸银、硝酸银中的一种或多种组合的混合银盐。3.根据权利要求2所述的一种用于银烧结的复合焊片结构，其特征在于：所述银盐复合膜层厚度为2.5
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10μm。4.根据权利要求1所述的一种用于银烧结的复合焊片结构，其特征在于：所述银箔层为退火后的软态银箔，Ag含量≥99.9％，厚度10～40μm。5.一种制备如权利要求1
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3任意一项所述的复合焊片的方法，其特征在于，包括以下步骤：A电解液组成配置：以去离子水为溶剂，添加复合盐，搅拌溶解配置而成；B电化学电解：将步骤A中的电解液置于电解槽中，阴极与阳极均与银箔连接，遮光与超声波振动条件下，在阳极与阴极间施加1.0～10.0V直流电压，电流密度0.5～5.0A/dm2，保持时间为3～10min，在阳极获得附着银盐复合膜层的银箔；C干燥烘干：将步骤B中的附着银...

【专利技术属性】
技术研发人员：王斌，欧阳鹏，朱凯，张进，葛荘，
申请(专利权)人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：