【技术实现步骤摘要】
功率模块
[0001]本专利技术涉及功率模块的封装制备领域，尤其是涉及一种功率模块。
技术介绍
[0002]目前存在一种能够双面散热的功率模块，其包括沿厚度方向相对设置的散热基板，散热基板之间间隔一定距离以容纳芯片。与传统单基板的功率模块相比，这种功率模块能够增加散热面积，从而能够提升散热能力，在上述双面散热的功率模块中，与芯片连接的引线位于两块基板之间，为了保证引线具有一定的弯曲半径，相对设置的基板需要保持一定的距离，从而会增加功率模块的厚度。
技术实现思路
[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种功率模块，能够减小功率模块的厚度。
[0004]根据本专利技术第一实施例的功率模块，包括：
[0005]第一基板，包括第一绝缘层与连接于所述第一绝缘层一侧的第一金属层，所述第一金属层包括间隔设置的第一导电部与第二导电部；
[0006]第二基板，与所述第一基板相对设置，包括第二绝缘层与连接于所述第二绝缘层朝向所述第一金属层一侧的第二金属层，所述...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.功率模块，其特征在于，包括：第一基板，包括第一绝缘层与连接于所述第一绝缘层一侧的第一金属层，所述第一金属层包括间隔设置的第一导电部与第二导电部；第二基板，与所述第一基板相对设置，包括第二绝缘层与连接于所述第二绝缘层朝向所述第一金属层一侧的第二金属层，所述第二金属层包括间隔设置的第三导电部与第四导电部，所述第二金属层具有第一避让槽与第二避让槽；上桥芯片与第一导电件，所述上桥芯片的漏极电连接于所述第一导电部，源极通过所述第一导电件电连接于所述第三导电部；下桥芯片与第二导电件，所述下桥芯片的漏极电连接于所述第二导电部，源极通过所述第二导电件电连接于所述第四导电部；第三导电件，分别连接所述第二导电部与所述第三导电部；第一引线，一端电连接于所述上桥芯片，所述第一引线朝所述第一避让槽弯曲设置，且部分位于所述第一避让槽内；第二引线，一端电连接于所述下桥芯片，所述第二引线朝所述第二避让槽弯曲设置，且部分位于所述第二避让槽内；上桥漏极引脚，电连接于所述第一导电部；下桥源极引脚，电连接于所述第四导电部；交流引脚，电连接于所述第二导电部或者所述第三导电部；上桥驱动引脚，电连接于所述第一引线的另一端；下桥驱动引脚，电连接于所述第二引线的另一端。2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第三导电部设置有所述第一避让槽，和/或，所述第四导电部设置有所述第二避让槽。3.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述第一避让槽设置于所述第三导电部背向所述第四导电部的一侧，所述第二避让槽设置于所述第四导电部背向所述第三导电部的一侧，所述第三导电件设置于所述第一导电件与所述第二导电件之间。4.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块包括多个所述上桥芯片与多个所述第一引线，所述第三导电部设置有多个所述第一避让槽，多个所述第一避让槽沿多个所述上桥芯片的排布方向设置，与同一所述上桥芯片连接的所述第一引线位于同一所述第一避让槽内；和/或，所述功率模块包括多个所述下桥芯片与多个所述第二引线，所述第四导电部设置有多个所述第二避让槽，多个所述第二避让槽沿多个所述下桥芯片的排布方向设置，与同一所述下桥芯片连接的所述第二引线位于同一所述第二避让槽内。5.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块还包括第一连接层、第二连接层与第三连接层，所述第一连接层连接于所述第一导电部与所述上桥芯片的漏极之间，所述第二连接层连接于所述上桥芯片的源极与所述第一导电件之间，所述第三连接层连接于所述第一导电件与所述第三导电部之间，所述第一连接层、所述第二连接层与所述第三连接层均为银烧结层。6.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一导电件与所述第三导电部连接为一体结构，和/或，所述第二导电件与所述第四导电部连接为一体结构。
7.功率模块，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：单诗白，王睿统，袁伟，赵清清，
申请(专利权)人：深圳赛意法微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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