用于等离子体蚀刻的高温阴极制造技术

本发明专利技术涉及一种用于等离子体蚀刻的高温阴极，通常是适用于在高温等离子体蚀刻中应用的阴极。在一个实施方式中，阴极包含固定至基座的陶瓷静电卡盘。该基座具有形成在其中的冷却导管。在卡盘和基座之间配置有刚性支撑环，从而使卡盘和基座保持间隔分离的关系。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式概括地说涉及半导体衬底处理系统。更准确地说，本发 明涉及一种适用于等离子体蚀刻的高温阴极。
技术介绍
在半导体晶片处理中，特征尺寸和线宽逐渐减小的趋势诱发对半导体工件或晶片上的掩模、蚀刻和沉积材料的性能具有更高的精度。在获得小于1.0微 米的临界尺寸中等离子体蚀刻是特别重要的。一般地，通过在低压环境中向提供在由基座支撑的衬底上方的工作气体施 加RF功率来完成等离子体蚀刻。最后得到的电场产生一个将工作气体激发 成等离子体的反应区域。离子向等离子体的边界迁移，并且一旦离开界面层就 加速。加速离子产生需要除去或蚀刻靶材料所需的能量，该靶材料通常是配置 在衬底上的一层材料。在一些等离子体蚀刻应用中，希望在处理期间将衬底保持在超过100摄氏 温度并直至大约400摄氏温度的温度下。为了在这种高温下成功地处理衬底， 必须克服在衬底支撑设计方面的重大挑战。例如，在陶瓷和金属部件之间热膨 胀方面的大差异导致陶瓷部件的损伤。此外，衬底支撑的高温区必须与通常用 于防止在衬底支撑的内部区域之间渗漏的聚合物密封件隔离，其一般维持在基 本的外界压力(ambient pressure)水准上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理阴极，包括：　基座，具有形成在其中的冷却导管；　陶瓷静电卡盘，固定于基座；以及　刚性支撑环，配置在静电卡盘和基座之间，该支撑环使静电卡盘和基座保持间隔分离的关系。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：博伊斯S耶德勒，亚历山大马特尤什金，丹尼斯M库索，格伦E埃格米，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]