本发明专利技术涉及一种高精度芯片植盖方法及采用该方法的植盖装置。方法包括如下步骤：S1、第一相机向下拍摄工件得到第一图像，控制系统通过第一图像获取工件的第一坐标；S2、第二相机向上拍摄保护盖得到第二图像，控制系统通过第二图像获取保护盖的第二坐标；S3、控制系统根据第二坐标与第一坐标规划植盖头的运动路线，控制植盖头将保护盖摆放到工件的预设位置。植盖装置包括工作台、植盖架及植盖头，植盖架能够沿水平方向相对运动地设置在工作台的上方，植盖头能够相对运动地与植盖架连接。该植盖装置还包括第一相机、第二相机及控制系统。本发明专利技术能够获取保护盖与工件的真实坐标信息，与现有技术相比更为准确可靠，有助于提高植盖精度。度。度。
【技术实现步骤摘要】
高精度芯片植盖方法及植盖装置
[0001]本专利技术涉及芯片封装
，尤其涉及一种高精度芯片植盖方法及植盖装置。
技术介绍
[0002]在芯片等半导体元件的生产制作过程中，芯片本身非常容易脆断，因此通常需要将芯片封装在具有一定强度的材料中加以保护，尤其对于一些性能强大的芯片，需要使用金属外壳进行保护，金属保护盖可以同时起到散热的功能。用于在芯片上放植保护盖的植盖装置中，如何确保保护盖被准确放置到芯片的预设位置是一个关键技术问题，也是影响植盖质量的一个重要因素。现有的常见手段是在植盖头上安装定位相机，用于向下拍摄并视觉检测芯片的位置，从而指导吸取有保护盖的植盖头运动。然而在实际操作中，植盖头每次吸取一个保护盖时，保护盖的位置都可能会出现少量的偏移、旋转等，不同保护盖与同一个植盖头的相对位置难以做到固定不变，因此如果仅检测芯片的位置，也可能出现保护盖摆放不准的问题。此外，现有的植盖装置及植盖方法中，还可能存在保护盖高度定位不准、相机拍摄图像不清晰、植盖头预压合压力不准确等一个或多个问题。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的是针对现有技术存在的不足，提供一种保护盖与芯片对位精度更高的高精度芯片植盖方法及植盖装置。
[0004]为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种高精度芯片植盖方法，所述植盖方法包括如下步骤：S1、第一相机自上而下拍摄待植盖的工件，得到第一图像，控制系统通过所述第一图像获取所述工件的第一坐标；S2、植盖头吸取保护盖，第二相机自下而上拍摄所述保护盖，得到第二图像，所述控制系统通过所述第二图像获取所述保护盖的第二坐标；S3、所述控制系统根据所述第一坐标与所述第二坐标规划所述植盖头的运动路线，控制所述植盖头将所述保护盖摆放到所述工件的预设位置。
[0005]在一些实施方式中，所述第一坐标为所述工件在水平面内的坐标位置，所述第二坐标为所述保护盖在水平面内的坐标位置；在所述S3之前，所述植盖方法还包括如下步骤：S11、第一测高传感器自上而下测量所述工件与第一标定点之间的高度差H1，所述第一标定点与基准面之间的高度差为h1；S21、第二测高传感器自下而上测量所述植盖头吸取的所述保护盖与第二标定点之间的高度差H2，所述第二标定点位于所述基准面的上方，所述第二标定点与所述基准面之间的高度差为h2；S22、所述控制系统计算所述保护盖与所述工件之间的高度差H3=（h2+H2）
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H1）；在所述S3中，所述控制系统控制所述植盖头下降高度H3。
[0006]在一些实施方式中，工件包括芯片。
[0007]在一些实施方式中，待植盖的所述工件位于工作台上，所述植盖头能够沿上下方向相对运动与植盖架连接，所述植盖架能够在所述工作台的上方沿水平方向相对运动；所述第二相机与所述工作台相对固定地设置，所述第一相机与所述植盖架相对固定地设置；在所述S1中，所述植盖架运动使得所述第一相机位于所述工件的上方；在所述S2中，吸有所述保护盖的植盖头运动至所述第二相机的上方。
[0008]在一些实施方式中，在所述S1之前，还包括如下步骤：S01、使用标准砝码标定第一压力传感器；S02、未吸取所述保护盖的植盖头在所述第一压力传感器上测试压力，所述植盖头连接有第二压力传感器，使用所述第一压力传感器标定所述第二压力传感器；在所述S3之后还包括S4：所述植盖头向下施加压力，将所述保护盖与所述工件压合，使用所述第二压力传感器监控所述植盖头的压合压力。
[0009]在一些实施方式中，在所述S2中：所述控制系统通过所述第二图像判断所述保护盖是否存在缺陷，若存在，则丢弃所述保护盖；若不存在，则继续执行所述植盖方法。
[0010]在一些实施方式中，在所述S3之前还包括S12：所述第一相机拍摄待植盖的所述工件得到第三图像，所述第三图像包含所述工件上涂布的胶水的形状，所述控制系统获取所述第三图像并判断所述胶水的形状是否满足要求，若满足，则继续执行所述植盖方法；若不满足，则停止执行所述植盖方法。
[0011]在一些实施方式中，在所述S3之后还包括S5：所述第一相机对植盖后的所述工件与保护盖拍摄得到第四图像，所述控制系统获取所述第四图像并判断所述保护盖摆放是否准确。
[0012]在一些实施方式中，在所述S1中，使用第一光源对所述工件进行照射，然后所述第一相机拍摄得到所述第一图像；在所述S12中，使用第二光源对所述工件进行照射，然后所述第一相机拍摄得到所述第三图像；在所述S5中，使用第一光源对所述工件及保护盖进行照射，然后所述第一相机拍摄得到所述第四图像。
[0013]在一些实施方式中，所述第一光源为同轴光源，所述第二光源为环形光源。
[0014]一种高精度芯片植盖装置，所述植盖装置采用所述的植盖方法，所述植盖装置包括工作台、植盖架及所述植盖头，所述植盖架能够沿水平方向相对运动地设置在所述工作台的上方，所述植盖头能够沿上下方向相对运动地与所述植盖架连接，所述植盖头还能够绕转动轴心线相对旋转地与所述植盖架连接，所述转动轴心线沿上下方向延伸；所述植盖装置还包括所述第一相机与所述第二相机，所述第一相机与所述植盖架固定连接，所述第二相机与所述工作台固定连接；所述植盖装置还包括所述控制系统，所述控制系统与所述第一相机、所述第二相机、所述植盖架及所述植盖头分别信号连接。
[0015]在一些实施方式中，所述植盖装置还包括第一测高传感器与第二测高传感器，所述第一测高传感器与所述植盖架固定连接，所述第二测高传感器与所述工作台固定连接。
[0016]在一些实施方式中，所述植盖装置还包括第一光源与第二光源，所述第一光源与所述第二光源分别与所述植盖架固定连接，所述第一光源与所述第二光源沿上下方向相邻设置。
[0017]在一些实施方式中，所述植盖装置还包括第一压力传感器与第二压力传感器，所述第一压力传感器与所述工作台固定连接，所述第二压力传感器与所述植盖架固定连接。
[0018]由于以上技术方案的运用，本专利技术提供的高精度芯片植盖方法及植盖装置，采用第一相机与第二相机两个独立的相机，从上、下两个方向分别拍摄工件与保护盖，并借助控制系统对第一图像与第二图像进行关联整合，获取工件与保护盖的真实坐标信息，进而控制吸有保护盖的植盖头移动并进行植盖，上述方法与现有技术相比更为准确可靠，有助于提高植盖精度。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。
[0020]附图1为本专利技术一具体实施例中植盖装置的立体示意图；附图2为本实施例中植盖架与植盖头的立体示意图；附图3为本实施例中植盖架与植盖头的局部立体示意图；附图4为本实施例中植盖架与植盖头另一视角的立体示意图；附图5为本实施例中测试台的立体示意图；附图6为本实施例中传输轨道的立体示意图；其中：10、工作台；21、第一支架；22、第二支架；23、植盖架；231、升降轨道；232、升降驱动装置；233、真空发生装置；24、植盖头；24本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高精度芯片植盖方法，其特征在于，所述植盖方法包括如下步骤：S1、第一相机自上而下拍摄待植盖的工件，得到第一图像，控制系统通过所述第一图像获取所述工件的第一坐标；S2、植盖头吸取保护盖，第二相机自下而上拍摄所述保护盖，得到第二图像，所述控制系统通过所述第二图像获取所述保护盖的第二坐标；S3、所述控制系统根据所述第一坐标与所述第二坐标规划所述植盖头的运动路线，控制所述植盖头将所述保护盖摆放到所述工件的预设位置。2.根据权利要求1所述的高精度芯片植盖方法，其特征在于：所述第一坐标为所述工件在水平面内的坐标位置，所述第二坐标为所述保护盖在水平面内的坐标位置；在所述S3之前，所述植盖方法还包括如下步骤：S11、第一测高传感器自上而下测量所述工件与第一标定点之间的高度差H1，所述第一标定点与基准面之间的高度差为h1；S21、第二测高传感器自下而上测量所述植盖头吸取的所述保护盖与第二标定点之间的高度差H2，所述第二标定点位于所述基准面的上方，所述第二标定点与所述基准面之间的高度差为h2；S22、所述控制系统计算所述保护盖与所述工件之间的高度差H3=（h2+H2）
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H1）；在所述S3中，所述控制系统控制所述植盖头下降高度H3。3.根据权利要求1所述的高精度芯片植盖方法，其特征在于：待植盖的所述工件位于工作台上，所述植盖头能够沿上下方向相对运动与植盖架连接，所述植盖架能够在所述工作台的上方沿水平方向相对运动；所述第二相机与所述工作台相对固定地设置，所述第一相机与所述植盖架相对固定地设置；在所述S1中，所述植盖架运动使得所述第一相机位于所述工件的上方；在所述S2中，吸有所述保护盖的植盖头运动至所述第二相机的上方。4.根据权利要求1所述的高精度芯片植盖方法，其特征在于：在所述S1之前，还包括如下步骤：S01、使用标准砝码标定第一压力传感器；S02、未吸取所述保护盖的植盖头在所述第一压力传感器上测试压力，所述植盖头连接有第二压力传感器，使用所述第一压力传感器标定所述第二压力传感器；在所述S3之后还包括S4：所述植盖头向下施加压力，将所述保护盖与所述工件压合，使用所述第二压力传感器监控所述植盖头的压合压力。5.根据权利要求1所述的高精度芯片植盖方法，其特征在于：在所述S2中：所述控制系统通过所述第二图像判断所述保护盖是...
【专利技术属性】
技术研发人员：王善行，徐威，王龙，
申请(专利权)人：昆山鸿仕达智能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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