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本发明涉及一种高精度芯片植盖方法及采用该方法的植盖装置。方法包括如下步骤：S1、第一相机向下拍摄工件得到第一图像，控制系统通过第一图像获取工件的第一坐标；S2、第二相机向上拍摄保护盖得到第二图像，控制系统通过第二图像获取保护盖的第二坐标；S...
该专利属于昆山鸿仕达智能科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山鸿仕达智能科技股份有限公司授权不得商用。

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