图形边界缺陷处理方法、装置、计算机设备和存储介质制造方法及图纸

本申请涉及半导体光刻工艺领域，特别是涉及一种图形边界缺陷处理方法包括：获取待处理图形，待处理图形包括器件单元图形及背面图形，器件单元图形内及至少部分背面图形内具有Sbar标记；选取具有Sbar标记的背面图形及与选取的背面图形临接的器件单元图形；选取的背面图形及器件单元图形位于相邻的不同图层；将选取的背面图形提至与选取的器件单元图形位于同一图层，以得到待修正图形；自所述待修正图形中筛选出与设计规则相违背的Sbar标记并进行修正。本方法可有效检查出全耗尽型绝缘体上硅FDSOI因背面层次结构引起的缺陷，在光罩制作之前就把问题解决，从而节省开发资源与时间。避免了层次结构错误而检查不出来造成晶圆上的缺陷。上的缺陷。上的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
图形边界缺陷处理方法、装置、计算机设备和存储介质


[0001]本申请涉及半导体光刻工艺领域，特别是涉及一种图形边界缺陷处理方法、装置、计算机设备和存储介质。

技术介绍

[0002]光罩制造图形微缩到低于光刻机的解析能力时会产生洞(如contact,Via)制程窗口不足问题，因此一般业界会经由光学邻近修正OPC(optical proximity correction)流程加入Sbar(ScatterBar)增加解析能力。
[0003]在现有技术中，如果拿原本的电路加入FDSOI背压功能设计，会在主电路旁边加入新的contact与有源区AA，此时原电路与新图型会产生新的层次结构，这在光学邻近修正OPC处理过程容易产生边界盲区进而产生缺陷。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种图形边界缺陷处理方法、装置、计算机设备和存储介质。
[0005]本申请实施例提供了一种图形边界缺陷处理方法，所述图形边界缺陷处理方法包括：
[0006]获取待处理图形，所述待处理图形包括器件单元图形及背面图形，所述器件单元图形内及至少部分所述背面图形内具有Sbar标记；
[0007]选取具有所述Sbar标记的背面图形及与选取的所述背面图形临接的所述器件单元图形；选取的所述背面图形及所述器件单元图形位于相邻的不同图层；
[0008]将选取的所述背面图形提至与选取的所述器件单元图形位于同一图层，以得到待修正图形；
[0009]自所述待修正图形中筛选出与设计规则相违背的所述Sbar标记并进行修正。
[0010]在其中一个实施例中，所述获取待处理图形，包括：
[0011]获取设计图形，所述设计图形包括初始器件单元图形及初始背面图形；
[0012]于所述设计图形内插入所述Sbar标记以得到所述待处理图形。
[0013]在其中一个实施例中，于所述设计图形内插入所述Sbar标记之前还包括：
[0014]于所述设计图形内插入主图形；所述主图形包括多个间隔排布的互连结构图形；所述Sbar与所述相邻互连图形结构具有间距。
[0015]在其中一个实施例中，所述主图形还包括FDSOI晶体管图形，所述FDSOI晶体管图形位于所述器件单元图形内。
[0016]在其中一个实施例中，所述自所述待修正图形中筛选出与设计规则相违背的所述Sbar标记并进行修正之后，还包括：
[0017]对修正后的图形进行光学邻近修正。
[0018]在其中一个实施例中，所述设计规则包括：
[0019]相邻所述Sbar标记之间的间距大于或等于预设间距，和/或所述Sbar的尺寸小于或等于预设尺寸。
[0020]在其中一个实施例中，所述自所述待修正图形中筛选出与设计规则相违背的所述Sbar标记并进行修正包括：
[0021]筛选间距小于所述预设间距的所述Sbar标记并去除；
[0022]于去除的相邻所述Sbar的中间位置插入新的Sbar标记，所述新的Sbar标记与相邻的Sbar标记之间的间距大于或等于所述预设间距。
[0023]在其中一个实施例中，所述自所述待修正图形中筛选出与设计规则相违背的所述Sbar标记并进行修正包括：
[0024]筛选尺寸大于所述预设尺寸的所述Sbar标记并去除；
[0025]于去除的所述Sbar标记的位置插入新的Sbar标记，所述新的Sbar标记的尺寸小于或等于所述预设尺寸。
[0026]在其中一个实施例中，一种图形边界缺陷处理装置，所述磁编码器检测装置，包括：
[0027]获取模块，用于获取待处理图形；
[0028]数据处理模块，用于选取具有所述Sbar标记的背面图形及与选取的所述背面图形临接的所述器件单元图形；选取的所述背面图形及所述器件单元图形位于相邻的不同图层；将选取的所述背面图形提至与选取的所述器件单元图形位于同一图层，以得到待修正图形；并自所述待修正图形中筛选出与设计规则相违背的所述Sbar标记并进行修正。
[0029]在其中一个实施例中，图形边界缺陷处理装置，还包括光学修正模块，所述光学修正模块用于对所述数据处理模块修正后的图形进行光学邻近修正。
[0030]在其中一个实施例中，一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任意一个实施例中的方法的步骤。
[0031]在其中一个实施例中，一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任意一个实施例中的方法的步骤。
[0032]上述图形边界缺陷处理方法、装置、计算机设备和存储介质，获取待处理图形，待处理图形包括器件单元图形及背面图形，器件单元图形内及至少部分背面图形内具有Sbar标记；选取具有Sbar标记的背面图形及与选取的背面图形临接的器件单元图形；选取的背面图形及器件单元图形位于相邻的不同图层；将选取的背面图形提至与选取的器件单元图形位于同一图层，以得到待修正图形；自所述待修正图形中筛选出与设计规则相违背的Sbar标记并进行修正。本方法可有效检查出全耗尽型绝缘体上硅FDSOI因背面层次结构引起的缺陷，在光罩制作之前就把问题解决，从而节省开发资源与时间。避免了层次结构错误而检查不出来造成晶圆上的缺陷。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以
根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1为一个实施例中图形边界缺陷处理方法的应用环境图；
[0035]图2为一个实施例中图形边界缺陷处理方法的提升至同一图层示意图；
[0036]图3为另一个实施例中图形边界缺陷处理方法的提升至同一图层示意图；
[0037]图4为一个实施例中图形边界缺陷处理方法的修正后示意图；
[0038]图5为一个实施例中图形边界缺陷处理方法的流程示意图；
[0039]图6为一个实施例中图形边界缺陷处理方法的待处理图形流程示意图；
[0040]图7为一个实施例中图形边界缺陷处理方法的小距离Sbar修正流程示意图；
[0041]图8为一个实施例中图形边界缺陷处理方法的大尺寸Sbar修正流程示意图；
[0042]图9为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
[0043]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
[0044]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图形边界缺陷处理方法，其特征在于，所述图形边界缺陷处理方法包括：获取待处理图形，所述待处理图形包括器件单元图形及背面图形，所述器件单元图形内及至少部分所述背面图形内具有Sbar标记；选取具有所述Sbar标记的背面图形及与选取的所述背面图形临接的所述器件单元图形；选取的所述背面图形及所述器件单元图形位于相邻的不同图层；将选取的所述背面图形提至与选取的所述器件单元图形位于同一图层，以得到待修正图形；自所述待修正图形中筛选出与设计规则相违背的所述Sbar标记并进行修正。2.根据权利要求1所述的图形边界缺陷处理方法，其特征在于，所述获取待处理图形，包括：获取设计图形，所述设计图形包括初始器件单元图形及初始背面图形；于所述设计图形内插入所述Sbar标记以得到所述待处理图形。3.根据权利要2所述的图形边界缺陷处理方法，其特征在于，于所述设计图形内插入所述Sbar标记之前还包括：于所述设计图形内插入主图形；所述主图形包括多个间隔排布的互连结构图形；所述Sbar与所述相邻互连图形结构具有间距。4.根据权利要3所述的图形边界缺陷处理方法，其特征在于，所述主图形还包括FDSOI晶体管图形，所述FDSOI晶体管图形位于所述器件单元图形内。5.根据权利要1所述的图形边界缺陷处理方法，其特征在于，所述自所述待修正图形中筛选出与设计规则相违背的所述Sbar标记并进行修正之后，还包括：对修正后的图形进行光学邻近修正。6.根据权利要1至5中任一项所述的图形边界缺陷处理方法，其特征在于，所述设计规则包括：相邻所述Sbar标记之间的间距大于或等于预设间距，和/或所述Sbar的尺寸小于或等于预设尺寸。7.根据权利要6所述的图形边界缺陷处...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宗晔，施亿昌，叶甜春，罗军，李彬鸿，
申请(专利权)人：锐立平芯微电子广州有限责任公司，
类型：发明
国别省市：