沟槽的制备方法技术

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种沟槽的制备方法。一种沟槽的制备方法包括：提供基底，基底包括待第一刻蚀区；在基底上形成光刻胶层，光刻胶层覆盖基底的上表面；在光刻胶层对应第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记，Sbar标记的宽度小于第一待刻蚀区的宽度；对Sbar标记及光刻胶层进行光刻，以得到图形化光刻胶层，图形化光刻胶层对应第一待刻蚀区的位置内形成有第一开口，第一开口内对应Sbar标记的位置具有预设厚度的残留光刻胶层；基于图形化光刻胶层对基底进行刻蚀，以于基底内形成第一沟槽，第一沟槽的底部呈阶梯状。本方法通过在光刻胶层对应第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记，达到了同一个沟槽内产生不同的刻蚀深度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
沟槽的制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种沟槽的制备方法。

技术介绍

[0002]光罩制造图型微缩到低于光刻机的解析能力时，就会产生线宽不均以及断线问题，因此一般业界会经由光学邻近修正OPC(optical proximity correction)流程加入Sbar(ScatterBar)增加解析能力。光学邻近修正OPC是在光刻工艺中，掩膜上的图形通过曝光系统投影在光刻胶上，由于光学系统的不完善性和衍射效应，光刻胶上的图形和掩模上的图形不完全一致，这些失真如果不纠正，可能大大改变生产出来的电路的电气性能。光学邻近效应修正OPC就是使用计算方法对掩膜上的图形做光学邻近修正，使得投影到光刻胶上的图形尽量符合设计要求。
[0003]在全耗尽型绝缘体上硅FDSOI工艺技术上有种特殊情况，除了增加解析力还需要在同一个沟槽内产生不同深度的刻蚀深度。现有的阶梯式正常光学邻近修正OPC的流程，可以针对不同的主图型线宽与间距来加入不同条件的Sbar改进图型平整度与抗误差能力，但是Sbar加法只能做出对称式的图型，无法在同一个沟槽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽的制备方法，其特征在于，所述沟槽的制备方法包括：提供基底，所述基底包括第一待刻蚀区；在所述基底上形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述基底的上表面；在所述光刻胶层对应所述第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记，所述Sbar标记的宽度小于所述第一待刻蚀区的宽度；对所述Sbar标记及所述光刻胶层进行光刻，以得到图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层对应所述第一待刻蚀区的位置内形成有第一开口，所述第一开口内对应所述Sbar标记的位置具有预设厚度的残留光刻胶层；基于所述图形化光刻胶层对所述基底进行刻蚀，以于所述基底内形成第一沟槽，所述第一沟槽的底部呈阶梯状。2.根据权利要求1所述的沟槽的制备方法，其特征在于，所述对所述Sbar标记及所述光刻胶层进行光刻，以得到图形化光刻胶层，包括：提供光掩模，所述光掩模内具有第一透光图形；将所述光掩模置于所述光刻胶层的上方，所述第一透光图形在所述光刻胶层上的正投影与所述第一刻蚀区域相重合；基于所述光掩模对所述Sbar标记及所述光刻胶层进行曝光显影，以得到所述图形化光刻胶层。3.根据权利要求1所述的沟槽的制备方法，其特征在于，所述基底还包括第二待刻蚀区，所述第二待刻蚀区与所述第一待刻蚀区具有间距；在所述光刻胶层对应所述第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记同时；在所述光刻胶层对应所述第二待刻蚀区形成所述Sbar标记；所述图形化光刻胶层内还具有第二开口，所述第二开口内具有所述预设厚度的残留光刻胶层；基于所述图形化光刻胶...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宗晔，施亿昌，叶甜春，罗军，李彬鸿，王云，
申请(专利权)人：锐立平芯微电子广州有限责任公司，
类型：发明
国别省市：