沟槽的制备方法技术

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种沟槽的制备方法。一种沟槽的制备方法包括：提供基底，基底包括待第一刻蚀区；在基底上形成光刻胶层，光刻胶层覆盖基底的上表面；在光刻胶层对应第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记，Sbar标记的宽度小于第一待刻蚀区的宽度；对Sbar标记及光刻胶层进行光刻，以得到图形化光刻胶层，图形化光刻胶层对应第一待刻蚀区的位置内形成有第一开口，第一开口内对应Sbar标记的位置具有预设厚度的残留光刻胶层；基于图形化光刻胶层对基底进行刻蚀，以于基底内形成第一沟槽，第一沟槽的底部呈阶梯状。本方法通过在光刻胶层对应第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记，达到了同一个沟槽内产生不同的刻蚀深度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
沟槽的制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种沟槽的制备方法。

技术介绍

[0002]光罩制造图型微缩到低于光刻机的解析能力时，就会产生线宽不均以及断线问题，因此一般业界会经由光学邻近修正OPC(optical proximity correction)流程加入Sbar(ScatterBar)增加解析能力。光学邻近修正OPC是在光刻工艺中，掩膜上的图形通过曝光系统投影在光刻胶上，由于光学系统的不完善性和衍射效应，光刻胶上的图形和掩模上的图形不完全一致，这些失真如果不纠正，可能大大改变生产出来的电路的电气性能。光学邻近效应修正OPC就是使用计算方法对掩膜上的图形做光学邻近修正，使得投影到光刻胶上的图形尽量符合设计要求。
[0003]在全耗尽型绝缘体上硅FDSOI工艺技术上有种特殊情况，除了增加解析力还需要在同一个沟槽内产生不同深度的刻蚀深度。现有的阶梯式正常光学邻近修正OPC的流程，可以针对不同的主图型线宽与间距来加入不同条件的Sbar改进图型平整度与抗误差能力，但是Sbar加法只能做出对称式的图型，无法在同一个沟槽内产生不同的刻蚀深度。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种沟槽的制备方法。
[0005]本申请实施例提供了一种沟槽的制备方法，包括：
[0006]提供基底，所述基底包括第一待刻蚀区；
[0007]在所述基底上形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述基底的上表面；
[0008]在所述光刻胶层对应所述第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记，所述Sbar标记的宽度小于所述第一待刻蚀区的宽度；
[0009]对所述Sbar标记及所述光刻胶层进行光刻，以得到图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层对应所述第一待刻蚀区的位置内形成有第一开口，所述第一开口内对应所述Sbar标记的位置具有预设厚度的残留光刻胶层；
[0010]基于所述图形化光刻胶层对所述基底进行刻蚀，以于所述基底内形成第一沟槽，所述第一沟槽的底部呈阶梯状。
[0011]在其中一个实施例中，所述对所述Sbar标记及所述光刻胶层进行光刻，以得到图形化光刻胶层，包括：
[0012]提供光掩模，所述光掩模内具有第一透光图形；
[0013]将所述光掩模置于所述光刻胶层的上方，所述第一透光图形在所述光刻胶层上的正投影与所述第一刻蚀区域相重合；
[0014]基于所述光掩模对所述Sbar标记及所述光刻胶层进行曝光显影，以得到所述图形化光刻胶层。
[0015]在其中一个实施例中，所述基底还包括第二待刻蚀区，所述第二待刻蚀区与所述
第一待刻蚀区具有间距；在所述光刻胶层对应所述第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记同时；在所述光刻胶层对应所述第二待刻蚀区形成所述Sbar标记；源区残留光刻胶层；基于所述图形化光刻胶层对所述基底进行刻蚀，以于所述基底内形成第一沟槽的同时，还于所述基底内形成第二沟槽。
[0016]在其中一个实施例中，所述基底包括有源区，所述第一待刻蚀区及所述第二待刻蚀均位于所述有源区内。
[0017]在其中一个实施例中，所述Sbar标记的材料为光刻胶。
[0018]在其中一个实施例中，所述残留光刻胶层的厚度为所述光刻胶层厚度的10％～70％。
[0019]在其中一个实施例中，所述基于所述图形化光刻胶层对所述基底进行刻蚀，以于所述基底内形成第一沟槽，包括：
[0020]基于所述图形化光刻胶层对所述基底进行第一刻蚀，以去除所述残留光刻胶层，并于所述基底内形成预设沟槽；
[0021]基于所述图形化光刻胶层对所述基底进行第二刻蚀，以于所述基底内形成所述第一沟槽。
[0022]在其中一个实施例中，所述在基于所述图形化光刻胶层对所述基底进行刻蚀，以于所述基底内形成第一沟槽之后，还包括：
[0023]去除所述图形化光刻胶层。
[0024]在其中一个实施例中，所述对所述Sbar标记及所述光刻胶层进行光刻之后，还包括：
[0025]对光刻后的所述光刻胶层进行临近光学修正，以得到所述图形化光刻胶层。
[0026]在其中一个实施例中，所述在所述光刻胶层对应所述第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记之前，还包括：
[0027]在所述光刻胶层上形成光学邻近修正标记。
[0028]上述沟槽的制备方法，提供基底，基底包括待第一刻蚀区；在基底上形成光刻胶层，光刻胶层覆盖基底的上表面；在光刻胶层对应第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记，Sbar标记的宽度小于第一待刻蚀区的宽度；对Sbar标记及光刻胶层进行光刻，以得到图形化光刻胶层，图形化光刻胶层对应第一待刻蚀区的位置内形成有第一开口，第一开口内对应Sbar标记的位置具有预设厚度的残留光刻胶层；基于图形化光刻胶层对基底进行刻蚀，以于基底内形成第一沟槽，第一沟槽的底部呈阶梯状。本方法通过在光刻胶层对应第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记，达到了同一个沟槽内产生不同的刻蚀深度。解决了现有技术中，要达到两种蚀刻深度需要对应的两张掩模板的问题，在一道曝光刻蚀的流程内达到两种刻蚀深度，因此可直接节省50％的成本。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1为一个实施例中沟槽的制备方法的应用环境图；
[0031]图2为一个实施例中沟槽的制备方法的图形化光刻胶层示意图；
[0032]图3为一个实施例中沟槽的制备方法的预设沟槽示意图；
[0033]图4为一个实施例中沟槽的制备方法的第一沟槽示意图；
[0034]图5为一个实施例中沟槽的制备方法的流程示意图；
[0035]图6为一个实施例中沟槽的制备方法的图形化光刻胶层流程示意图；
[0036]图7为一个实施例中沟槽的制备方法的第一沟槽流程示意图。
具体实施方式
[0037]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
[0038]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的耦合。
[0039]可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。
[0040]如图1至图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽的制备方法，其特征在于，所述沟槽的制备方法包括：提供基底，所述基底包括第一待刻蚀区；在所述基底上形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述基底的上表面；在所述光刻胶层对应所述第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记，所述Sbar标记的宽度小于所述第一待刻蚀区的宽度；对所述Sbar标记及所述光刻胶层进行光刻，以得到图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层对应所述第一待刻蚀区的位置内形成有第一开口，所述第一开口内对应所述Sbar标记的位置具有预设厚度的残留光刻胶层；基于所述图形化光刻胶层对所述基底进行刻蚀，以于所述基底内形成第一沟槽，所述第一沟槽的底部呈阶梯状。2.根据权利要求1所述的沟槽的制备方法，其特征在于，所述对所述Sbar标记及所述光刻胶层进行光刻，以得到图形化光刻胶层，包括：提供光掩模，所述光掩模内具有第一透光图形；将所述光掩模置于所述光刻胶层的上方，所述第一透光图形在所述光刻胶层上的正投影与所述第一刻蚀区域相重合；基于所述光掩模对所述Sbar标记及所述光刻胶层进行曝光显影，以得到所述图形化光刻胶层。3.根据权利要求1所述的沟槽的制备方法，其特征在于，所述基底还包括第二待刻蚀区，所述第二待刻蚀区与所述第一待刻蚀区具有间距；在所述光刻胶层对应所述第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记同时；在所述光刻胶层对应所述第二待刻蚀区形成所述Sbar标记；所述图形化光刻胶层内还具有第二开口，所述第二开口内具有所述预设厚度的残留光刻胶层；基于所述图形化光刻胶...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宗晔，施亿昌，叶甜春，罗军，李彬鸿，王云，
申请(专利权)人：锐立平芯微电子广州有限责任公司，
类型：发明
国别省市：