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本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种沟槽的制备方法。一种沟槽的制备方法包括：提供基底，基底包括待第一刻蚀区；在基底上形成光刻胶层，光刻胶层覆盖基底的上表面；在光刻胶层对应第一待刻蚀区的位置设置Sbar标记，Sbar标记的宽度小于第一待刻...
该专利属于锐立平芯微电子（广州）有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过锐立平芯微电子（广州）有限责任公司授权不得商用。

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