添加SRAF的方法、掩模版及制造方法技术

本发明专利技术提供一种添加SRAF的方法、掩模版及制造方法，通过将第一目标图形向外侧延伸，获取第一目标放大图形，并选取掩模版图与第一目标放大图形相交叠的部分作为第二目标图形，且基于新的第二目标图形添加SRAF，从而在添加SRAF时，可扩大第一目标图形的有效范围，以将第一目标图形的周边环境考虑进去，从而可有效避免添加的SRAF与掩模版图出现图形重叠、图像间距离过近、图像间相互错位等问题，不但简化了掩模版的制备过程，还提高了光刻分辨率，增大了工艺窗口。大了工艺窗口。大了工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】
添加SRAF的方法、掩模版及制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体技术领，特别是涉及一种添加SRAF的方法、掩模版及制造方法。

技术介绍

[0002]随着超大规模集成电路(ULSI，Ultra Large Scale Integration)的飞速发展，集成电路制造工艺变得越来越复杂和精细。其中光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。
[0003]光刻即通过光刻机将掩模版上的集成电路的设计图形转移到硅片上的重要手段。由于半导体器件尺寸的缩小，曝光所用的波长大于物理版图设计的理想图形的尺寸和图形之间的间距，光波的干涉和衍射效应使得实际光刻产生的光刻图形和物理版图设计的理想图形之间存在很大的差异，实际光刻图形的形状和间距发生很大的变化，甚至影响电路的性能。产生这种差异的一个重要原因是光刻所用光束波长大于物理版图设计的理想图形的尺寸和图形之间的间距，从而会产生光学临近效应(OPE,Optical Proximity Effect)。
[0004]在半导体制造掩模版的过程中，为了消除OPE所造成的误差，可以对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种添加SRAF的方法，其特征在于，包括以下步骤：获取掩模版图中的第一目标图形；自所述第一目标图形边缘向外侧延伸预设距离，获取第一目标放大图形；选取所述掩模版图与所述第一目标放大图形相交叠的部分，获取第二目标图形；添加所述第二目标图形的SRAF。2.根据权利要求1所述的添加SRAF的方法，其特征在于：所述预设距离为允许插入的SRAF的宽度及SRAF与目标图形的间距之和的最小值。3.根据权利要求1所述的添加SRAF的方法，其特征在于：在添加完SRAF后，还包括对所述掩模版图与SRAF进行风险检测的步骤，所述风险检测的项目包括图形重叠、图形间距及图像错位中的一种或组合。4.根据权利要求3所述的添加SRAF的方法，其特征在于：当所述风险检测结果为不合格时，还包括扩大所述预设...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙鹏飞，王谨恒，陈洁，朱斌，张剑，曹楠，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：