本实用新型专利技术公开了一种PECVD多晶硅一体式镀膜杂质吸附装置，包括用于多晶硅片镀膜的镀膜石墨舟和用于对镀膜石墨舟进行支撑的支撑座，镀膜石墨舟内部设有若干用于放置多晶硅片的放置槽，支撑座内部设有用于对镀膜石墨舟内部杂质进行沉积吸附的沉积台，支撑座内部设有通槽，沉积台滑移连接在通槽内部，沉积台内部设有用于对镀膜石墨舟内部表面杂质进行吸附的吸附组件，镀膜石墨舟内部设有用于对镀膜沉积气体进行过滤的过滤组件，旨在对多晶硅片在石墨舟内部进行进行镀膜时实时进行过滤和吸附，一方面对传输的沉积气体进行气流过滤，另一方面对石墨舟内部沉积的杂质进行吸附，对石墨舟进行底部分隔设置，便于对吸附杂质进行高效清理。效清理。效清理。
【技术实现步骤摘要】
一种PECVD多晶硅一体式镀膜杂质吸附装置
[0001]本技术涉及多晶硅领域，具体是一种PECVD多晶硅一体式镀膜杂质吸附装置。
技术介绍
[0002]PECVD系统是一组利用平行板镀膜舟和高频等离子激发器的系列发生器。在低压和升温的情况下，等离子发生器直接装在镀膜板中间发生反应。所用的活性气体为硅烷SiH4和氨NH3。这些气体作用于存储在硅片上的氮化硅。可以根据改变硅烷对氨气的比率，来得到不同的折射指数。在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离子的产生，使得晶片的氢钝化性十分良好。
[0003]镀膜为薄膜沉积是一种常用的表面处理工艺，被广泛应用于机械加工、半导体、装饰材料等领域。将镀膜原料(气体或蒸汽)经过适当的过程(如分解、化合等)使其沉积于基材表面的方法被称为化学气相沉积(CVD)，而将镀膜材料直接冷凝至基材表面成膜则称为物理气相沉积(PVD)，其中PVD根据其不同的方法又可细分为蒸发、离子沉积、离子溅射、磁控溅射、分子束外延等。一般而言在单晶硅表面沉积金属材料可选用蒸镀或磁控溅射法，两种方法各有优缺点，磁控溅射法无需高真空环境，膜与基材结合牢固同时成膜较快，但在溅射过程中会对基材的晶格造成一定损伤，沉积后的晶片需要进行退火以消除晶格应力。蒸镀法成膜均匀性好，但膜与基材的牢固程度较差，沉积过程需要高真空环境，对基材损伤小。
[0004]在太阳能电池的镀膜的沉积气体输送过程中，沉积气体会在多晶硅片表面形成薄膜时产生杂质，而且运输的沉积气体内部可能存在碎屑，对镀膜时对多晶硅片表面产生损伤，而且石墨舟内部杂质很难清理，会造成沉积在石墨舟底部，对石墨舟进行污染，本申请旨在对多晶硅片在石墨舟内部进行镀膜时实时进行过滤和吸附，一方面对传输的沉积气体进行气流过滤，另一方面对石墨舟内部沉积的杂质进行吸附，对石墨舟进行底部分隔设置，便于对吸附杂质进行高效清理。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于提供一种PECVD多晶硅一体式镀膜杂质吸附装置，以解决现有技术中的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0007]一种PECVD多晶硅一体式镀膜杂质吸附装置，吸附装置包括用于多晶硅片镀膜的镀膜石墨舟和用于对镀膜石墨舟进行支撑的支撑座，镀膜石墨舟内部设有若干用于放置多晶硅片的放置槽，支撑座内部设有用于对镀膜石墨舟内部杂质进行沉积吸附的沉积台，支撑座内部设有通槽，沉积台滑移连接在通槽内部，沉积台内部设有用于对镀膜石墨舟内部表面杂质进行吸附的吸附组件，吸附组件包括吸附伸缩管道，镀膜石墨舟内部设有用于对镀膜沉积气体进行过滤的过滤组件，过滤组件包括气流过滤板。
[0008]通过采用上述技术方案：镀膜石墨舟用于对多晶硅片进行放置镀膜，支撑座能够
对镀膜石墨舟进行分隔固定和支撑，便与杂质沉积进行清理，沉积台能够对吸附的杂质进行集中沉积和收置，吸附组件能够对镀膜石墨舟内部的杂质进行吸附，过滤组件能够对镀膜石墨舟内部抽入的沉积气体进行气体过滤。
[0009]进一步设置：吸附组件包括用于对吸附伸缩管道吸附的杂质进行吸附过滤的吸附网板，沉积台内部设有沉积槽，吸附网板卡设在沉积槽内部，沉积槽靠近吸附网板的位置设有用于对镀膜石墨舟内部每一放置槽内部杂质进行逐一吸附的吸附台，沉积槽内部设有若干用于对吸附台进行支撑的伸缩支撑杆，吸附台内部设有通口，吸附伸缩管道滑移连接在通口内部，通口内部设有用于带动吸附伸缩管道移动吸附的驱动气缸。
[0010]通过采用上述技术方案：吸附网板能够对镀膜石墨舟内部的杂质进行吸附，沉积槽能够将杂质吸附在沉积槽内部便于清理，伸缩支撑杆能够带动吸附台在镀膜石墨舟底部不同位置进行滑移，驱动气缸能够带动吸附伸缩管道在镀膜石墨舟不同位置对镀膜石墨舟内部进行移动杂质吸附。
[0011]进一步设置：过滤组件包括若干用于对多晶硅片进行支撑的避空板，避空板设置在放置槽内部，镀膜石墨舟上设有若干滑移槽，气流过滤板包括顶部过滤板和若干辅助侧面过滤板，辅助侧面过滤板分别通过滑块滑移连接在滑移槽内部，顶部过滤板和若干辅助侧面过滤板垂直连接设置，镀膜石墨舟靠近顶部过滤板的位置设有槽口，槽口内部设有用于带动顶部过滤板进行升降的顶升气缸。
[0012]通过采用上述技术方案：避空板能够镀膜石墨舟内部的多晶硅片进行支撑，辅助侧面过滤板滑动连接在滑移槽内部，顶升气缸能够带动顶部过滤板和若干辅助侧面过滤板进行升降，能够在镀膜石墨舟内部放置多硅晶片时无需打开气流过滤板，避免沉积气体内部的杂质进入镀膜石墨舟内部。
[0013]进一步设置：吸附伸缩管道口套设有用于伸缩管道进行伸缩的拉伸套环，拉伸套环上设有用于带动吸附伸缩管道感应触碰进行伸缩吸附的触碰感应块，吸附台上设有用于带动拉伸套环升降从而带动吸附伸缩管道进行伸缩的拉伸气缸，拉伸气缸与拉伸套环可拆卸连接，触碰感应块与拉伸气缸电连接。
[0014]通过采用上述技术方案：拉伸套环套设在吸附伸缩管道口，能够带动吸附伸缩管道进行升降，触碰感应块能够吸附伸缩管道触碰到避空板，从而拉伸气缸带动拉伸套环升降，从而带动吸附伸缩管道升降，智能化对镀膜石墨舟内部的多晶硅片进行杂质吸附。
[0015]进一步设置：沉积台上设有用于带动沉积台进行移动的牵引挡板，牵引挡板与沉积台通过转轴连接，牵引挡板上设有用于拉动沉积台在支撑座内部移动的拉手。
[0016]通过采用上述技术方案：牵引挡板能够对沉积台在支撑座内部进行牵引，拉手能够拉动沉积台移动至外部，从而转动转轴，带动牵引挡板转动，便于沉积台内部的杂质进行清理。
[0017]进一步设置：镀膜石墨舟内部若干放置槽开口设置在镀膜石墨舟侧面，避空板呈镂空状。
[0018]通过采用上述技术方案：放置槽开口设置在侧面，能够在镀膜石墨舟放置多晶硅片时，沉积气体中杂质不会因为自由落体落入镀膜石墨舟内部，避空板呈镂空状能够便于吸附伸缩管道对镀膜石墨舟内部的杂质进行吸附。
[0019]与现有技术相比，本技术的有益效果是：旨在对多晶硅片在石墨舟内部进行
镀膜时实时进行过滤和吸附，一方面对传输的沉积气体进行气流过滤，另一方面对石墨舟内部沉积的杂质进行吸附，对石墨舟进行底部分隔设置，便于对吸附杂质进行高效清理。
附图说明
[0020]为了使本技术的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本技术作进一步详细的说明。
[0021]图1为本技术一种PECVD多晶硅一体式镀膜杂质吸附装置的结构示意图；
[0022]图2为本技术一种PECVD多晶硅一体式镀膜杂质吸附装置的局部图一；
[0023]图3为本技术一种PECVD多晶硅一体式镀膜杂质吸附装置的局部图二；
[0024]图4为本技术一种PECVD多晶硅一体式镀膜杂质吸附装置的剖面图。
[0025]图中，1、镀膜石墨舟；2、支撑座；3、沉积台；4、牵引挡板；5、拉手；6、吸附网板；7、吸附伸缩管道；8、伸缩支撑杆；9、吸附台本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种PECVD多晶硅一体式镀膜杂质吸附装置，其特征在于：所述吸附装置包括用于多晶硅片镀膜的镀膜石墨舟(1)和用于对镀膜石墨舟(1)进行支撑的支撑座(2)，镀膜石墨舟(1)内部设有若干用于放置多晶硅片的放置槽，支撑座(2)内部设有用于对镀膜石墨舟(1)内部杂质进行沉积吸附的沉积台(3)，支撑座(2)内部设有通槽，沉积台(3)滑移连接在通槽内部，沉积台(3)内部设有用于对镀膜石墨舟(1)内部表面杂质进行吸附的吸附组件，吸附组件包括吸附伸缩管道(7)，镀膜石墨舟(1)内部设有用于对镀膜沉积气体进行过滤的过滤组件，过滤组件包括气流过滤板。2.根据权利要求1所述的一种PECVD多晶硅一体式镀膜杂质吸附装置，其特征在于:所述吸附组件包括用于对吸附伸缩管道(7)吸附的杂质进行吸附过滤的吸附网板(6)，沉积台(3)内部设有沉积槽，吸附网板(6)卡设在沉积槽内部，沉积槽靠近吸附网板(6)的位置设有用于对镀膜石墨舟(1)内部每一放置槽内部杂质进行逐一吸附的吸附台(9)，沉积槽内部设有若干用于对吸附台(9)进行支撑的伸缩支撑杆(8)，吸附台(9)内部设有通口，吸附伸缩管道(7)滑移连接在通口内部，通口内部设有用于带动吸附伸缩管道(7)移动吸附的驱动气缸。3.根据权利要求1所述的一种PECVD多晶硅一体式镀膜杂质吸附装置，其特征在于:所述过滤组件包括若干用于对多晶硅片进行支撑的避空板(11)，避...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁洋，戈伟业，房鹏成，
申请(专利权)人：中润新能源滁州有限公司，
类型：新型
国别省市：
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