用于产生等离子体的系统技术方案

本发明专利技术一种用于产生等离子体的系统，包括：反应室；设置在所述反应室内的晶片卡盘；位于所述反应室上部和顶部的第一线圈；射频功率源，所述射频功率源输出射频电流激励所述第一线圈产生等离子体；以及设置在所述反应室下方的第二线圈。本发明专利技术的用于产生等离子体的系统能够产生更加均匀的等离子体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种用于产生等离子体的系统。
技术介绍
在半导体制造工艺中，等离子体得到了极为广泛的应用。等离子体的产 生通常是在低压环境下，在反应室内通入反应气体并引入电子流，利用射频(RF)电场使电子加速，使电子与气体分子发生碰撞而转移动能，从而使气 体分子发生电离成为等离子体。产生的等离子体可用于各种半导体制造工艺， 例如等离子刻蚀、淀积等。申请号为95307268.3的欧洲专利公开了一种产生等 离子体的系统，图l为现有产生等离子体的系统结构简化示意图，如图l所示， 所述系统包括反应室IO,其内底部设有卡盘50，卡盘50表面放置需进行工艺 处理的晶片60,在反应室的上部和顶部具有线圈20，射频功率源30输出的射 频电压驱动线圈20产生射频电场将反应气体激发为等离子体40。随着IC器件的高密度化、微细化和高速化，半导体器件，例如CMOS器件 中，NMOS晶体管和PMOS晶体管之间均采用浅沟槽隔离(shallow trench isolation, STI)结构进行隔离和绝缘。STI隔离结构的形成首先在衬底表面形 成衬垫氧化层(pad oxide)和氮化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于产生等离子体的系统，包括：反应室；设置在所述反应室内的晶片卡盘；位于所述反应室上部和顶部的第一线圈；射频功率源，所述射频功率源输出射频电流激励所述第一线圈产生等离子体；以及设置在所述反应室下方的第二线圈。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明源，刘乒，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]