芯片倒膜装置、方法及提高芯片自动贴片时吸取率的方法制造方法及图纸

技术编号:37155243 阅读:11 留言:0更新日期:2023-04-06 22:16
本发明专利技术涉及一种芯片倒膜装置、方法及提高芯片自动贴片时吸取率的方法,芯片倒膜装置包括载板,所述载板具有正面以及与正面相对的背面,所述正面开设有芯片盒放置槽,所述芯片盒放置槽的形状与芯片盒相适配,所述芯片盒放置槽的两侧分别开设有一与其连通的手持取放槽;所述背面设置有圆形的绷膜凸台,所述绷膜凸台上开设有四条切槽,四条所述切槽分别与芯片盒的四边相对应,且相邻两条切槽之间留有间隙。本发明专利技术中,芯片倒膜装置结构简单,可以将芯片盒中的芯片整体倒膜至承载膜上,加工成本低、兼容性强,可提高芯片倒膜成功率。可提高芯片倒膜成功率。可提高芯片倒膜成功率。

【技术实现步骤摘要】
芯片倒膜装置、方法及提高芯片自动贴片时吸取率的方法


[0001]本专利技术属于电子封装
,涉及一种芯片倒膜装置、方法及提高芯片自动贴片时吸取率的方法。

技术介绍

[0002]电子封装领域必须涉及到多种芯片的贴装,其中一些华夫盒或凝胶盒包装芯片由于芯片的微型化、边缘毛刺和背部粘性等特点,在自动贴片机上广泛存在难吸取、易损伤等问题,通过调整自动贴片机的吸取参数往往不能有效地解决上述问题。采用晶圆绷膜设备形成膜载芯片则存在晶圆绷膜设备成本高所造成的生产设备成本高的问题,且形成的膜载芯片中,芯片在膜上的位置精确性差,不利于芯片在自动贴片机上的识别和吸取。

技术实现思路

[0003]针对上述现有技术的不足,本专利技术所要解决的技术问题是:提供一种芯片倒膜装置、方法及提高芯片自动贴片时吸取率的方法。
[0004]为达到上述目的,本专利技术提供如下技术方案:
[0005]一种芯片倒膜装置,包括载板,所述载板具有正面以及与正面相对的背面,所述正面开设有芯片盒放置槽,所述芯片盒放置槽的形状与芯片盒相适配,所述芯片盒放置槽的两侧分别开设有一与其连通的手持取放槽;所述背面设置有绷膜凸台,所述绷膜凸台上开设有四条切槽,四条所述切槽分别与芯片盒的四边相对应,且相邻两条切槽之间留有间隙。
[0006]进一步的,还包括子母扩晶环,所述子母扩晶环包括子环以及套设在子环上的母环,所述绷膜凸台呈圆形,所述子环的内径与绷膜凸台的外径相适配。
[0007]一种芯片倒膜方法,采用芯片倒膜装置,所述芯片倒膜方法包括以下步骤:
[0008]S110、使第一承载膜的粘性面和芯片盒中的芯片紧密贴合,并将粘接有芯片的第一承载膜的非粘性面朝下平铺至绷膜凸台上;
[0009]S120、调整所述第一承载膜的位置,使所有的芯片均处于四个所述切槽围合的区域内,并用子母扩晶环的子环将所述第一承载膜紧固于绷膜凸台上;
[0010]S130、沿四条切槽裁透第一承载膜;
[0011]S140、将第二承载膜的粘性面朝下平铺至所述第一承载膜上,并使第二承载膜和第一承载膜紧密贴合;
[0012]S150、将子母扩晶环的母环向下压第二承载膜并套合在子环上,使所述第二承载膜紧固于所述子母扩晶环的母环和子环之间;
[0013]S160、从绷膜凸台上取下子母扩晶环,并翻转子母扩晶环使所述第一承载膜朝上;
[0014]S170、将所述第一承载膜的裁切部分从第二承载膜上剥离,得到芯片倒膜成品。
[0015]进一步的,所述芯片盒为华夫盒,所述S110步骤包括以下子步骤:
[0016]S111、使载板的正面朝上,将芯片盒打开后开口朝上放置于芯片盒放置槽中;
[0017]S112、将第一承载膜的粘性面朝下平铺至芯片盒上,使用防静电滚筒在第一承载
膜的非粘性面滚动使第一承载膜的粘性面与芯片盒及芯片盒中的芯片紧密贴合;
[0018]S113、从载板上取下第一承载膜和黏附于第一承载膜上的芯片及芯片盒,翻转载板使其背面朝上,将第一承载膜的非粘性面朝下平铺至绷膜凸台上。
[0019]在所述S140步骤中,将第二承载膜的粘性面朝下平铺至所述第一承载膜上之前,先从将芯片盒从第一承载膜的粘性面上取下。
[0020]进一步的,所述芯片盒为真空凝胶盒,所述S110步骤包括以下子步骤:
[0021]S116、将芯片盒打开后正面朝上放置于具有真空泵的平台上,并使芯片盒底部的抽真空通孔与真空泵的抽气口对准;
[0022]S117、将第一承载膜的粘性面朝下平铺至芯片盒上,使用防静电滚筒在第一承载膜的非粘性面滚动使第一承载膜的粘性面与芯片盒及芯片盒中的芯片紧密贴合;
[0023]S118、采用真空泵对芯片盒施加真空,取下第一承载膜并从芯片盒中黏附出其中的芯片,将第一承载膜的非粘性面朝下平铺至绷膜凸台上。
[0024]进一步的,在第一承载膜上对应芯片盒切角的方向上形成有标记。
[0025]进一步的,所述第一承载膜为蓝膜。
[0026]进一步的,所述第一承载膜为UV膜,在所述S170步骤中,将所述第一承载膜的裁切部分从第二承载膜上剥离之前,先对第一承载膜进行UV曝光,降低第一承载膜的粘性。
[0027]进一步的,所述第一承载膜为热解膜,在所述S170步骤中,将所述第一承载膜的裁切部分从第二承载膜上剥离之前,先对第一承载膜进行加热,降低第一承载膜的粘性。
[0028]一种提高芯片自动贴片时吸取率的方法,包括以下步骤:
[0029]S210、采用芯片倒膜方法将芯片从芯片盒中倒膜至承载膜上,形成芯片倒膜成品;
[0030]S220、以芯片倒膜成品代替芯片盒放置在自动贴片机上,通过设备顶针将芯片倒膜成品的单颗芯片顶起后,对芯片进行吸取。
[0031]本专利技术中,通过将载板和子母扩晶环配合使用,可以将芯片盒中的芯片整体倒膜至承载膜上,且芯片倒膜装置结构简单、加工成本低,倒膜方法操作简便、兼容性强,可提高芯片倒膜成功率,减少芯片倒膜过程中的损伤和浪费;可用于多类型盒装芯片的倒膜,倒膜成品适用于行业内广泛使用的自动贴片机;芯片在承载膜上的位置精确性高,多批次芯片经倒膜后,芯片阵列以同一方向位于承载膜上的中心位置,芯片倒膜成品上具有相同方向的清晰标识,有利于自动贴片机对芯片阵列的识别,能够在自动贴片机上的准确识别和快速吸取,提高芯片在自动贴片机上的吸取效率,并能降低芯片在吸取时的抛料率和损伤率;以及程序使用的兼容性。
附图说明
[0032]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
[0033]如图1和图2为本专利技术芯片倒膜装置的一个优选实施例的结构示意图。
[0034]图3为本专利技术芯片倒膜方法的一个优选实施例的流程图。
[0035]图4为使用防静电滚筒在第一承载膜的非粘性面滚动使第一承载膜的粘性面和芯片盒中的芯片紧密贴合的示意图。
[0036]图5为图4中A

A向的剖示图。
[0037]图6为使用防静电滚筒在第二承载膜的非粘性面滚动使第二承载膜和第一承载膜紧密贴合的示意图。
[0038]图7为图6中B

B向的剖示图。
[0039]图8为芯片倒膜成品的结构示意图。
[0040]图9为本专利技术提高芯片自动贴片时吸取率的方法的一个优选实施例的流程图。
[0041]附图中各标号的含义为:
[0042]载板

1;芯片盒放置槽

2;手持取放槽

3;绷膜凸台

4;切槽

5;第一承载膜

6;第二承载膜

7;子母扩晶环

8;芯片盒

9;倒膜成品
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片倒膜装置,其特征在于:包括载板,所述载板具有正面以及与正面相对的背面,所述正面开设有芯片盒放置槽,所述芯片盒放置槽的形状与芯片盒相适配,所述芯片盒放置槽的两侧分别开设有一与其连通的手持取放槽;所述背面设置有绷膜凸台,所述绷膜凸台上开设有四条切槽,四条所述切槽分别与芯片盒的四边相对应,且相邻两条切槽之间留有间隙。2.根据权利要求1所述的芯片倒膜装置,其特征在于:还包括子母扩晶环,所述子母扩晶环包括子环以及套设在子环上的母环,所述绷膜凸台呈圆形,所述子环的内径与绷膜凸台的外径相适配。3.一种芯片倒膜方法,其特征在于:采用如权利要求1或2所述的芯片倒膜装置,所述芯片倒膜方法包括以下步骤:S110、使第一承载膜的粘性面和芯片盒中的芯片紧密贴合,并将粘接有芯片的第一承载膜的非粘性面朝下平铺至绷膜凸台上;S120、调整所述第一承载膜的位置,使所有的芯片均处于四个所述切槽围合的区域内,并用子母扩晶环的子环将所述第一承载膜紧固于绷膜凸台上;S130、沿四条切槽裁透第一承载膜;S140、将第二承载膜的粘性面朝下平铺至所述第一承载膜上,并使第二承载膜和第一承载膜紧密贴合;S150、将子母扩晶环的母环向下压第二承载膜并套合在子环上,使所述第二承载膜紧固于所述子母扩晶环的母环和子环之间;S160、从绷膜凸台上取下子母扩晶环,并翻转子母扩晶环使所述第一承载膜朝上;S170、将所述第一承载膜的裁切部分从第二承载膜上剥离,得到芯片倒膜成品。4.根据权利要求3所述的芯片倒膜方法,其特征在于:所述芯片盒为华夫盒,所述S110步骤包括以下子步骤:S111、使载板的正面朝上,将芯片盒打开后开口朝上放置于芯片盒放置槽中;S112、将第一承载膜的粘性面朝下平铺至芯片盒上,使用防静电滚筒在第一承载膜的非粘性面滚动使第一承载膜的粘性面与芯片盒及芯片盒中的芯片紧密贴合;S113、从载板上取下第一承载膜和黏...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈勇郑旭谢廷明
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第二十四研究所
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1