【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法和相应的半导体器件
[0001]优先权要求
[0002]本申请要求2021年8月4日提交的意大利专利申请No.102021000021122的优先权,其内容在法律允许的最大程度上通过引用整体并入本文。
[0003]本说明书涉及半导体器件。
[0004]一个或多个实施例可以应用于例如汽车领域的半导体功率器件。
技术介绍
[0005]良好控制的爬电(creepage)距离是高压半导体器件封装中的期望特征。爬电距离表示在布置于其间的绝缘体的表面上测量的两种导电材料之间的最短路径。足够的爬电距离有助于在不同电压和“污染”水平下实现两种材料之间的隔离。IEC CEI 60664-1等规范适用于该领域。
[0006]半导体器件封装中增加的爬电距离在高压应用中是有利的:例如,对于相同的应用,可以使用小轮廓(SO)窄封装选择(150密耳体)来代替SO宽选择(300密耳体)。
[0007]封装单分是半导体器件的各种制造工艺中的最后步骤,其中从同一引线框开始同时制造多个半导体器件,并且最终利用切断封装之间的牺牲系杆的切割(剪切)操作将各个封装与引线框分离。
[0008]在封装单分期间,此类系杆倾向于使其周围的模制化合物破裂。而且,剩余的系杆暴露在封装表面对爬电距离具有负面影响。
[0009]因此,在本领域中需要有助于克服上述缺陷。
技术实现思路
[0010]一个或多个实施例涉及一种方法。
[0011]一个或多个实施例涉及相应的半导体器件。 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种方法,包括:产生以在纵向方向上延伸的链耦合的多个半导体器件,其中所述链中的相邻器件具有横向于所述纵向方向的相互面对的末端侧,并且所述相邻器件经由位于所述相互面对的末端侧处的系杆耦合;向所述系杆提供锚固尖端,所述锚固尖端穿透到所述链中的所述器件的所述相互面对的末端侧中;向所述系杆提供具有孔形式的接合结构;以及插入变形工具,以与所述孔接合并且引起所述系杆的横向移动,以从所述链中的所述器件的所述相互面对的末端侧取出所述锚固尖端,并且从所述链中的所述相邻器件产生单独的经切割器件。2.根据权利要求1所述的方法,其中:耦合在所述链中的所述多个半导体器件共享公共衬底,所述链在纵向方向上延伸;以及所述系杆包括所述公共衬底的可变形部分。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述系杆包括至少一个支柱,所述至少一个支柱沿着所述器件的所述相互面对的末端侧中的相应一个末端侧延伸,所述至少一个支柱承载至少一个锚固尖端,所述至少一个锚固尖端被配置为穿透到所述器件的所述相互面对的末端侧中的所述相应一个末端侧中,并且其中插入以引起横向移动致使所述至少一个支柱的变形以从所述相邻器件的所述相互面对的末端侧中的所述相应一个末端侧中取出所述至少一个锚固尖端。4.根据权利要求3所述的方法,其中所述变形工具包括锥形销,并且其中插入包括将所述锥形销偏心地插入到所述孔中,并且使所述锥形销前进通过所述孔以引起所述横向运动。5.根据权利要求3所述的方法,其中所述变形工具包括销,并且其中插入包括将所述销插入到所述孔中,并且还包括引起所述销的横向移动以引起所述横向移动。6.根据权利要求3所述的方法,其中:耦合在链中的所述多个半导体器件包括在所述纵向方向上延伸的相对的纵向侧;以及所述至少一个支柱包括梁构件,所述梁构件沿着所述器件的所述相互面对的末端侧中的相应一个末端侧在相对的纵向侧之间桥状延伸,桥状梁构件在所述梁构件的中间部分处承载至少一个锚固尖端,并且其中所述横向移动致使所述中间部分移动远离所述相邻器件的所述相互面对的末端侧中的所述相应一个末端侧。7.根据权利要求3所述的方法,其中:耦合在链中的所述多个半导体器件包括在所述纵向方向上延伸的相对的纵向侧;以及所述至少一个支柱包括梁构件,所述梁构件从所述相对的纵向侧中的一个纵向侧沿所述器件的所述相互面对的末端侧中的所述相应一个末端侧悬臂状延伸,悬臂状梁构件在所述悬臂状梁构件的远端部分处承载至少一个锚固尖端,并且其中所述横向移动致使所述悬臂状梁构件远离所述器件的所述相互面对的末端侧中的所述相应一个末端侧移动。8.根据权利要求7所述的方法,进一步包括针对耦合在链中的所述半导体器件中的每个半导体器件提供:
第一梁构件,从所述相对的纵向侧中的一个纵向侧沿着所述半导体器件中的每个半导体器件的第一末端侧悬臂状延伸;以及第二梁构件...
【专利技术属性】
技术研发人员:P,
申请(专利权)人:意法半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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