半导体结构的制作方法以及半导体结构技术

本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。该半导体结构的制作方法，包括：提供基底结构，并在基底结构上形成多个间隔的金属部；在金属部的裸露表面以及基底结构的裸露的表面上形成钝化层；在钝化层的裸露表面上形成掩膜层；去除金属部表面上的部分钝化层和部分掩膜层，剩余的位于金属部远离基底结构的一侧的掩膜层形成第一掩膜部，位于相邻的两个金属部之间的掩膜层形成第二掩膜部；去除第一掩膜部和部分第二掩膜部。该制作方法通过剩余的第二掩膜部充分填充金属部之间的空隙，实现了剩余的第二掩膜部与金属部表面的钝化部连接，缓解了在刻蚀顶层金属的过程中，钝化部容易塌陷的问题。部容易塌陷的问题。部容易塌陷的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法以及半导体结构


[0001]本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。

技术介绍

[0002]半导体器件是由金属层、钝化层以及基底结构构成，其中，金属层是由多个存在空隙的金属部构成。但由于钝化层厚度不够，金属部与金属部间的空隙填充不够，在刻蚀顶层金属的过程中，剩余的钝化层容易塌陷，导致损伤顶层金属，影响产品性能，进而，导致半导体良率减少。
[0003]在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解，因此，
技术介绍
中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

技术实现思路

[0004]本申请的主要目的在于提供一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，以解决现有技术中在刻蚀顶层金属的过程中，剩余的钝化部容易塌陷的问题。
[0005]为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底结构，并在所述基底结构上形成多个间隔的金属部；在所述金属部的裸露表面以及所述基底结构的裸露的表面上形成钝化层；在所述钝化层的裸露表面上形成掩膜层；去除所述金属部表面上的部分所述钝化层和部分所述掩膜层，剩余的所述钝化层形成钝化部，且剩余的位于所述金属部远离所述基底结构的一侧的所述掩膜层形成第一掩膜部，位于相邻的两个所述金属部之间的所述掩膜层形成第二掩膜部；去除所述第一掩膜部和部分所述第二掩膜部，使得剩余的所述第二掩膜部的远离所述基底结构的表面与所述基底结构的距离为第一距离，所述金属部的远离所述基底结构的表面与所述基底结构的距离为第二距离，且所述第一距离大于所述第二距离。
[0006]可选地，在所述金属部的裸露表面以及所述基底结构的裸露的表面上形成钝化层，包括：在所述金属部的裸露表面以及所述基底结构的裸露的表面上形成第一子钝化层；在所述第一子钝化层远离所述基底结构的表面上形成第二子钝化层，所述第一子钝化层和所述第二子钝化层构成所述钝化层。
[0007]可选地，所述第一子钝化层的材料包括二氧化硅、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。
[0008]可选地，所述第二子钝化层的材料包括臭氧和四乙氧基硅烷中的至少一种。
[0009]可选地，所述掩膜层的远离所述基底结构的表面与所述基底结构的距离为第三距离，所述第三距离大于所述第一距离。
[0010]可选地，所述掩膜层的材料包括光刻胶和硅
‑
玻璃键合结构材料中的至少一种。
[0011]可选地，去除所述第一掩膜部和部分所述第二掩膜部，包括：清洗所述第一掩膜部
和所述第二掩膜部，以去除所述第一掩膜部和部分的所述第二掩膜部，剩余的部分所述第二掩膜部形成第三掩膜部。
[0012]为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：基底结构；多个间隔的金属部，位于所述基底结构上；钝化部，位于所述金属部的侧壁、所述金属部远离所述基底结构的部分表面上以及相邻的两个所述金属部之间的所述基底结构上；第三掩膜部，位于相邻的两个所述金属部之间，其中，所述第三掩膜部的远离所述基底结构的表面与所述基底结构的距离为第一距离，所述金属部的远离所述基底结构的表面与所述基底结构的距离为第二距离，且所述第一距离大于所述第二距离。
[0013]可选地，所述钝化部包括：第一子钝化部，位于所述金属部的表面以及所述基底结构的表面上；第二子钝化部，位于所述第一子钝化层远离所述基底结构的表面上。
[0014]可选地，所述第一子钝化部的材料包括二氧化硅、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种，所述第二子钝化部的材料包括臭氧和四乙氧基硅烷中的至少一种。
[0015]应用本申请的技术方案，上述的制作方法中，首先，在基底结构上形成多个间隔的金属部，在金属部以及基底结构的裸露的表面上依次形成钝化层和掩膜层，然后，去除部分该钝化层和掩膜层，剩余的部分形成第一掩膜部和第二掩膜部，最后，去除第一掩膜部和部分第二掩膜部，使剩余的第二掩膜部至基底结构的厚度大于金属部的厚度。该制作方法通过残留的第二掩膜部充分填充金属部之间的空隙，使第三掩膜部至基底结构的厚度大于金属部的厚度，实现了第三掩膜部与金属部表面的钝化部连接，避免钝化部向远离所述空隙的方向倒塌，缓解了现有技术中在刻蚀顶层金属的过程中，剩余的钝化层容易塌陷的问题。
附图说明
[0016]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1示出了根据本申请的一种半导体结构的制作方法的实施例的流程示意图；图2示出了根据本申请的包括基底结构和金属部的结构的示意图；图3示出了在图2基础上形成的钝化层的结构的示意图；图4示出了在图3基础上形成第一掩膜部、第二掩膜部以及钝化部的结构的示意图；图5示出了去除部分图4的结构基础上形成第三掩膜部的结构示意图。
[0017]其中，上述附图包括以下附图标记：10、基底结构；20、金属部；21、钝化层；30、钝化部；40、第一掩膜部；50、第二掩膜部；60、第三掩膜部。
具体实施方式
[0018]应该指出，以下详细说明都是示例性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。
[0019]需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式
也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
[0020]应该理解的是，当组件（诸如层、膜、区域、或衬底）描述为在另一组件“上”时，该组件可直接在该另一组件上，或者也可存在中间组件。而且，在说明书以及权利要求书中，当描述有组件“连接”至另一组件时，该组件可“直接连接”至该另一组件，或者通过第三组件“连接”至该另一组件。
[0021]正如
技术介绍
所介绍的，现有技术中，由于钝化层厚度不够，金属部与金属部间的空隙填充不够，在刻蚀顶层金属的过程中，剩余的钝化层容易塌陷，导致损伤顶层金属，影响产品性能。为了解决如上的技术问题，本申请提出了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。
[0022]图1是根据本申请实施例的半导体结构的制作方法的流程图。如图1所示，该方法包括以下步骤：步骤S101，提供基底结构10，并在上述基底结构10上形成多个间隔的金属部20，得到如图2所示的结构；上述步骤中，形成的多个间隔的金属部不能覆盖全部的基底结构，金属部之间的间隔使得部分基底结构裸露。
[0023]步骤S102，在上述金属部20的裸露表面以及上述基底结构10的裸露的表面上形成钝化层21，得到如图3所示的结构；上述步骤中，形成钝化层的过程可采用如原本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底结构，并在所述基底结构上形成多个间隔的金属部；在所述金属部的裸露表面以及所述基底结构的裸露的表面上形成钝化层；在所述钝化层的裸露表面上形成掩膜层；去除所述金属部表面上的部分所述钝化层和部分所述掩膜层，剩余的所述钝化层形成钝化部，且剩余的位于所述金属部远离所述基底结构的一侧的所述掩膜层形成第一掩膜部，位于相邻的两个所述金属部之间的所述掩膜层形成第二掩膜部；去除所述第一掩膜部和部分所述第二掩膜部，使得剩余的所述第二掩膜部的远离所述基底结构的表面与所述基底结构的距离为第一距离，所述金属部的远离所述基底结构的表面与所述基底结构的距离为第二距离，且所述第一距离大于所述第二距离。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述金属部的裸露表面以及所述基底结构的裸露的表面上形成钝化层，包括：在所述金属部的裸露表面以及所述基底结构的裸露的表面上形成第一子钝化层；在所述第一子钝化层远离所述基底结构的表面上形成第二子钝化层，所述第一子钝化层和所述第二子钝化层构成所述钝化层。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一子钝化层的材料包括二氧化硅、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第二子钝化层的材料包括臭氧和四乙氧基硅烷中的至少一种。5.根据权利要求1至4中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述掩膜层的远离所述基底结...

【专利技术属性】
技术研发人员：李靓玉，谢秋姣，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：