【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种用于监测集成系统封装件内的缺陷的系统。
技术介绍
1、在小型化电子领域，已知的趋势是在单个封装件内提供复杂的集成系统(所谓的sip-封装件中的系统)。
2、这种系统通常包括一定数量的半导体材料的管芯，集成了相应的传感器(特别是mems—微机电系统—传感器)或相应的集成电子电路(所谓的asic-专用集成电路)，这种管芯被容纳在单个封装件内，特别是在相应的涂覆材料(通常是环氧树脂)内。
3、迄今为止，没有有效的工具来检测集成系统的封装件内缺陷(例如，开裂、分层或一些其他类型的缺陷)的存在，如果没有事后观察到对集成系统的可操作性的影响(即，相关的性能退化或在最坏的情况下，无法运行)。
4、还提出了故障分析技术，通过统计分析来估计集成系统的剩余寿命；然而，很明显，这些技术并不完全令人满意，因为由于其概率性质，它们不能提供与损坏或故障发生相关的模式和实际时间的准确信息。
技术实现思路
1、本公开旨在实现对集成系统的封装件内的封装或涂覆材料的任何退化的...
【技术保护点】
1.一种系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述缺陷包括与所述涂覆区域至少部分分离的分层。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述监测系统包括具有至少一个第一换能器设备的第一监测管芯，所述第一监测管芯被耦接到所述支撑基座并且位于所述涂覆区域内，并且所述至少一个第一换能器设备是微机械超声换能器(MUT)。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述至少一个第一换能器设备是压电换能器(PMUT-压电微机械超声换能器)。
5.根据权利要求3所述的系统，其中所述至少一个第一换能器设备是电容式换能器(CMUT-电容式微机械
【技术特征摘要】
1.一种系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述缺陷包括与所述涂覆区域至少部分分离的分层。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述监测系统包括具有至少一个第一换能器设备的第一监测管芯，所述第一监测管芯被耦接到所述支撑基座并且位于所述涂覆区域内，并且所述至少一个第一换能器设备是微机械超声换能器(mut)。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述至少一个第一换能器设备是压电换能器(pmut-压电微机械超声换能器)。
5.根据权利要求3所述的系统，其中所述至少一个第一换能器设备是电容式换能器(cmut-电容式微机械超声换能器)。
6.根据权利要求3所述的系统，其中：
7.根据权利要求6所述的系统，其中所述缺陷的存在的所述检测是实时的。
8.根据权利要求6所述的系统，其中在存在所述缺陷的情况下，就所述信号的振幅和相应的时间趋势中的至少一个而言，所述声检测波的所述特性相对于不存在所述缺陷时是不同的。
9.根据权利要求3所述的系统，其中：
10.根据权利要求3所述的系统，其中所述至少一个第一换能器设备包括：
11.根据权利要求10所述的系统，其中所述矩阵和所述asic电路被耦接在衬底的相对侧上，并且所述衬底具有用于将所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·朱斯蒂，M·德尔萨尔托，F·夸利亚，E·杜奇，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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