一种转接板结构、形成方法及封装结构技术

本发明专利技术涉及一种转接板结构、形成方法及封装结构，其中转接板结构包括通过混合键合连接的第一转接板和第二转接板，其中第一转接板的尺寸小于第二转接板的尺寸，所述转接板结构呈L形。在封装结构中利用两个L形转接板结构可以将芯片桥接，在两个转接板结构之间还可以布置芯片，在上方还可以堆叠芯片，增加芯片的堆叠数量，增大封装的密度。增大封装的密度。增大封装的密度。

【技术实现步骤摘要】
一种转接板结构、形成方法及封装结构


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种转接板结构、形成方法及封装结构。

技术介绍

[0002]基于垂直通孔互连等工艺的硅通孔(TSV)转接板，由于其具有全局互连短、延迟小、功耗低、高宽带、高集成度等优点,目前被定义为最明确、最成熟、认可度最高的超越摩尔定律的手段。
[0003]目前现有TSV转接板大部分都是垂直互联，一般利用TSV转接板形成2.5D封装，把芯片封装到TSV转接板上，并使用TSV转接板上的重布线进行互连，通过传统的TSV转接板难以实现多层芯片堆叠的结构。

技术实现思路

[0004]为解决现有技术中的上述问题中的至少一部分问题，本专利技术提供了一种转接板结构、形成方法及封装结构，转接板结构呈L形，在封装结构中，利用两个L形转接板结构可以将芯片桥接，在两个转接板结构之间还可以布置芯片，在上方还可以堆叠芯片，增加芯片的堆叠数量，增大了封装的密度。
[0005]在本专利技术的第一方面，本专利技术提供一种转接板结构，包括通过混合键合连接的第一转接板和第二转接板，其中第一转接板的尺寸小于第二转接板的尺寸，所述转接板结构呈L形。
[0006]进一步地，所述第一转接板包括第一衬底和位于第一衬底中的第一导电硅通孔；
[0007]所述第二转接板包括第二衬底和位于第二衬底中的第二导电硅通孔。
[0008]进一步地，还包括：
[0009]第一互连结构，其与第一转接板的背面连接，所述第一互连结构包括第一介质层和第一重布线层，其中所述第一重布线层与所述第一导电硅通孔电连接，所述第一重布线层位于所述第一介质层中，且表面露出所述第一介质层；
[0010]第二互连结构，其与第二转接板的正面连接，所述第二互连结构包括第二介质层和第二重布线层，其中所述第二重布线层与所述第二导电硅通孔电连接，所述第二重布线层位于所述第二介质层中，且表面露出所述第二介质层。
[0011]进一步地，通过第一互连结构和第二互连结构混合连接，使得第一转接板与第二转接板连接，其中所述第一重布线层与所述第二重布线层键合，所述第一介质层与所述第二介质层键合。
[0012]进一步地，所述第一互连结构、所述第二互连结构及所述第二转接板的尺寸相同，均大于所述第一转接板的尺寸。
[0013]在本专利技术的第二方面，本专利技术提供一种转接板结构的形成方法，包括：
[0014]在第一衬底的正面通过刻蚀形成第一硅通孔；
[0015]在第一硅通孔中依次进行绝缘层沉积、种子层薄膜溅射、电镀金属，形成第一导电硅通孔，然后在第一衬底的正面键合晶圆；
[0016]将第一衬底的背面减薄，露出第一导电硅通孔，然后在第一衬底的背面布置第一互连结构，得到第一模块层，所述第一互连结构包括第一介质层和第一重布线层；
[0017]形成第二模块层，其中所述第二模块层包括第二衬底、第二导电硅通孔和第二互联结构，所述第二衬底包括互联区域和空白区域，所述第二互联结构包括第二介质层和第二重布线层；
[0018]通过混合键合将第一模块层与第二模块层连接；
[0019]将第二衬底的背面减薄，露出第二导电硅通孔，然后在第二衬底的背面布置光刻胶，并去除空白区域上方的光刻胶形成开口区。
[0020]刻蚀开口区下方的第二衬底直到露出第二重布线层，形成切割槽；
[0021]去除光刻胶，然后去除晶圆，得到整体转接板结构；
[0022]沿着切割槽将整体转接板结构切割，得到L形的转接板结构。
[0023]进一步地，先在减薄后的第一衬底的背面布置第一介质层，刻蚀第一介质层形成线路图形，然后在线路图形中填充金属形成第一重布线层。
[0024]进一步地，所述形成第二模块层包括：
[0025]将第二衬底划分成互联区域和空白区域，在第二衬底的互联区域的正面通过刻蚀形成第二硅通孔；
[0026]在第二硅通孔中依次进行绝缘层沉积、种子层薄膜溅射、电镀金属，形成第二导电硅通孔；
[0027]在第二衬底的正面布置第二介质层，刻蚀第二介质层形成线路图形，然后在线路图形中填充金属形成第二重布线层。
[0028]在本专利技术的第三方面，本专利技术提供一种封装结构，包括：
[0029]基板；
[0030]至少两个上述转接板结构相对设置在所述基板上，且两个转接板结构之间留有空间；
[0031]第一芯片，其布置在基板上，且位于两个转接板结构之间；
[0032]第二芯片，其与两个所述转接板结构电连接。
[0033]进一步地，还包括第三芯片，其布置在所述转接板结构之上，并与所述转接板结构电连接。
[0034]本专利技术至少具有下列有益效果：本专利技术公开的一种转接板结构、形成方法及封装结构，不同的转接板混合键合组成了L形的转接板结构，利用两个L形转接板结构可以将芯片桥接，在两个转接板结构之间还可以布置芯片，在上方还可以堆叠芯片，增加芯片的堆叠数量，减小空间的同时增大封装的密度。
附图说明
[0035]为了进一步阐明本专利技术的各实施例的以上和其它优点和特征，将参考附图来呈现本专利技术的各实施例的更具体的描述。可以理解，这些附图只描绘本专利技术的典型实施例，因此将不被认为是对其范围的限制。在附图中，为了清楚明了，相同或相应的部件将用相同或类
似的标记表示。
[0036]图1示出了本专利技术一个实施例的转接板结构的示意图；
[0037]图2A和2B示出了本专利技术一个实施例的一种封装结构的示意图；以及
[0038]图3A至3I示出了本专利技术一个实施例的形成转接板结构的过程剖面示意图。
具体实施方式
[0039]应当指出，各附图中的各组件可能为了图解说明而被夸大地示出，而不一定是比例正确的。
[0040]在本专利技术中，各实施例仅仅旨在说明本专利技术的方案，而不应被理解为限制性的。
[0041]在本专利技术中，除非特别指出，量词“一个”、“一”并未排除多个元素的场景。
[0042]在此还应当指出，在本专利技术的实施例中，为清楚、简单起见，可能示出了仅仅一部分部件或组件，但是本领域的普通技术人员能够理解，在本专利技术的教导下，可根据具体场景需要添加所需的部件或组件。
[0043]在此还应当指出，在本专利技术的范围内，“相同”、“相等”、“等于”等措辞并不意味着二者数值绝对相等，而是允许一定的合理误差，也就是说，所述措辞也涵盖了“基本上相同”、“基本上相等”、“基本上等于”。
[0044]在此还应当指出，在本专利技术的描述中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是明示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转接板结构，其特征在于，包括通过混合键合连接的第一转接板和第二转接板，其中第一转接板的尺寸小于第二转接板的尺寸，所述转接板结构呈L形。2.根据权利要求1所述的转接板结构，其特征在于，所述第一转接板包括第一衬底和位于第一衬底中的第一导电硅通孔；所述第二转接板包括第二衬底和位于第二衬底中的第二导电硅通孔。3.根据权利要求2所述的转接板结构，其特征在于，还包括：第一互连结构，其与第一转接板的背面连接，所述第一互连结构包括第一介质层和第一重布线层，其中所述第一重布线层与所述第一导电硅通孔电连接，所述第一重布线层位于所述第一介质层中，且表面露出所述第一介质层；第二互连结构，其与第二转接板的正面连接，所述第二互连结构包括第二介质层和第二重布线层，其中所述第二重布线层与所述第二导电硅通孔电连接，所述第二重布线层位于所述第二介质层中，且表面露出所述第二介质层。4.根据权利要求3所述的转接板结构，其特征在于，通过第一互连结构和第二互连结构混合连接，使得第一转接板与第二转接板连接，其中所述第一重布线层与所述第二重布线层键合，所述第一介质层与所述第二介质层键合。5.根据权利要求3所述的转接板结构，其特征在于，所述第一互连结构、所述第二互连结构及所述第二转接板的尺寸相同，均大于所述第一转接板的尺寸。6.一种转接板结构的形成方法，其特征在于，包括：在第一衬底的正面通过刻蚀形成第一硅通孔；在第一硅通孔中依次进行绝缘层沉积、种子层薄膜溅射、电镀金属，形成第一导电硅通孔，然后在第一衬底的正面键合晶圆；将第一衬底的背面减薄，露出第一导电硅通孔，然后在第一衬底的背面布置第一互连结构，得到第一模块层，所述第一互连...

【专利技术属性】
技术研发人员：段明伟，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：