一种半导体结构、半导体结构的制作方法及存储器技术

本申请提供了一种半导体结构制作方法、半导体结构及存储器，半导体结构：基底，上形成导电接触孔，金属硫化物层形成于在所述导电接触孔内，并覆盖所述导电接触孔底壁；半金属层形成于所述金属硫化物层的表面；阻挡层覆盖所述半金属层的表面和所述导电接触孔的侧壁；导电接触结构设置于所述阻挡层构成的容置孔内。接触结构设置于所述阻挡层构成的容置孔内。接触结构设置于所述阻挡层构成的容置孔内。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构、半导体结构的制作方法及存储器


[0001]本申请涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体结构、半导体结 构的制作方法及存储器。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的发展，由于线宽的不断缩小，金属与半导体接触时， 肖特基势垒和金属诱导间隙状态导致接触电阻过大，电流大小无法满足器件 工作要求。
[0003]因此，如何降低接触电阻成为本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的是提供一种半导体结构、半导体结构的制作方法及 存储器，至少能够解决上述的问题。
[0005]为解决上述问题，根据本申请实施例的第一个方面,提供了一种半导体结 构，包括：基底，所述基底上形成导电接触孔；
[0006]金属硫化物层，所述金属硫化物层形成于在所述导电接触孔内，并覆盖 所述导电接触孔底壁；
[0007]半金属层，所述半金属层形成于所述金属硫化物层暴露的表面；
[0008]阻挡层，所述阻挡层覆盖所述半金属层的表面和所述导电接触孔的侧壁；
[0009]导电接触结构，设置于所述阻挡层构成的容置孔内。
[0010]一些实施例中，所述基底包括衬底和形成于所述衬底上的第一介质层， 所述导电接触孔形成为贯穿所述第一介质层并延伸至所述衬底内；
[0011]其中，所述导电接触孔包括形成于所述衬底的第一导电孔和形成于所述 第一介质层的第二导电孔，所述第一导电孔的径向尺寸大于所述第二导电孔 的径向尺寸。
[0012]一些实施例中，所述金属硫化物层的材质为硫化钼或硫化钨，所述半金 属层的材质包含第VA族半金属元素。
[0013]一些实施例中，所述阻挡层覆盖所述半金属层的表面和所述导电接触孔 的侧壁，并覆盖所述基底的上表面；
[0014]所述导电接触结构形成为填充所述容置孔，并覆盖所述阻挡层的上表面。
[0015]一些实施例中，还包括：
[0016]所述金属硫化物层的径向尺寸大于所述导电接触结构的径向尺寸；所述 金属硫化物层的上表面为凹槽状形貌。
[0017]根据本申请实施例的第二个方面,提供了一种半导体结构的制作方法，包 括：
[0018]提供基底，在所述基底上形成导电接触孔；
[0019]在所述导电接触孔内形成覆盖所述导电接触孔底壁的金属硫化物层；
[0020]形成覆盖所述金属硫化物层暴露的表面的半金属层；
[0021]在所述基底上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述半金属层的表面和所述 导电接
触孔的侧壁；
[0022]在所述阻挡层构成的容置孔内填充导电材料，以形成导电接触结构。
[0023]一些实施例中，所述在所述基底上形成导电接触孔，包括：
[0024]利用刻蚀工艺对所述基底进行处理，以在所述基底上形成所述导电接触 孔。
[0025]一些实施例中，所述基底包括衬底和形成于所述衬底上的第一介质层， 所述导电接触孔贯穿所述第一介质层并延伸至所述衬底内，以暴露所述衬底 的表面；
[0026]其中，所述导电接触孔包括形成于所述衬底的第一导电孔和形成于所述 第一介质层的第二导电孔，所述第一导电孔的径向尺寸大于所述第二导电孔 的径向尺寸。
[0027]一些实施例中，所述在所述导电接触孔内形成覆盖所述导电接触孔底壁 的金属硫化物层，包括：
[0028]在所述基底上形成金属硫化物层，金属硫化物层覆盖所述基底的上表面 和所述导电接触孔的内壁；
[0029]进行去除处理，保留覆盖所述衬底表面的所述金属硫化物层。
[0030]一些实施例中，所述在所述基底上形成金属硫化物层之后，还包括：
[0031]形成覆盖所述金属硫化物层的第一牺牲层。
[0032]一些实施例中，所述进行去除处理，保留覆盖所述衬底表面的所述金属 硫化物层，包括：
[0033]去除所述第一牺牲层和形成于所述第一介质层上的金属硫化物层，以保 留在所述衬底表面上形成所述金属硫化物层。
[0034]一些实施例中，所述去除所述第一牺牲层和形成于所述第一介质层上的 金属硫化物层，以保留在所述衬底表面上形成所述金属硫化物层，包括：
[0035]在所述第一牺牲层的表面形成图案化的第一掩模层，所述第一掩模层定 义出第一刻蚀窗口；
[0036]按所述第一刻蚀窗口进行回刻蚀处理，以刻蚀掉所述第二导电孔内的金 属硫化物层和第一牺牲层，直至与所述衬底上表面平齐；
[0037]去除所述第一介质层上的金属硫化物层、第一牺牲层和第一掩模层，及 位于所述第一导电孔的第一牺牲层。
[0038]一些实施例中，所述形成覆盖所述金属硫化物层暴露的表面的半金属层， 包括：
[0039]在所述基底上形成半金属层，半金属层覆盖所述基底的上表面、所述导 电接触孔的内壁和所述金属硫化物层的表面；
[0040]形成覆盖半金属层的第二牺牲层；
[0041]去除所述第二牺牲层和形成于所述第一介质层上的半金属层。
[0042]一些实施例中，所述去除所述第二牺牲层和形成于所述第一介质层上的 半金属层，包括：
[0043]在所述第二牺牲层的表面形成图案化的第二掩模层，所述第二掩模层定 义出第二刻蚀窗口；
[0044]按所述第二刻蚀窗口进行回刻蚀处理，以刻蚀掉所述第二导电孔内的半 金属层和第二牺牲层，直至与所述衬底上表面平齐；
[0045]去除所述第一介质层上的所述半金属层、所述第二牺牲层和所述第二掩 模层，及
位于所述半金属层上的第二牺牲层。
[0046]一些实施例中，去除位于所述第一导电孔的第一牺牲层之后，还包括： 对所述金属硫化物层进行去除处理，以在所述金属硫化物层的上表面形成凹 槽状形貌。
[0047]根据本申请实施例的第三个方面,提供了一种存储器，包括上述所述的半 导体结构。
附图说明
[0048]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实 施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面 描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0049]图1和图3
‑
12是根据一示例性实施例示出的半导体结构的结构图；
[0050]图2是根据一示例性实施例示出的半导体结构制作方法的流程图。
[0051]附图标记：
[0052]10、基底；11、衬底；12、第一介质层；13、导电接触孔；131、第一导 电孔；132、第二导电孔；20、金属硫化物层；21、第一沉积孔；30、半金属 层；31、第二沉积孔；40、阻挡层；41、容置孔；50、导电接触结构；60、 第一牺牲层；70、第一掩模层；71、第一刻蚀窗口；80、第二牺牲层；90、 第二掩模层；91、第二刻蚀窗口。
具体实施方式
[005本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底上形成导电接触孔；金属硫化物层，所述金属硫化物层形成于在所述导电接触孔内，并覆盖所述导电接触孔底壁；半金属层，所述半金属层形成于所述金属硫化物层的表面半金属层；阻挡层，所述阻挡层覆盖所述半金属层的表面和所述导电接触孔的侧壁；导电接触结构，设置于所述阻挡层构成的容置孔内。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括衬底和形成于所述衬底上的第一介质层，所述导电接触孔贯穿所述第一介质层并延伸至所述衬底内；其中，所述导电接触孔包括形成于所述衬底的第一导电孔和形成于所述第一介质层的第二导电孔，所述第一导电孔的径向尺寸大于所述第二导电孔的径向尺寸。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属硫化物层的材质为硫化钼或硫化钨，所述半金属层的材质包含第VA族半金属元素。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层覆盖所述半金属层的表面和所述导电接触孔的侧壁，并覆盖所述基底的上表面；所述导电接触结构填充所述容置孔，并覆盖所述阻挡层的上表面。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：所述金属硫化物层的径向尺寸大于所述导电接触结构的径向尺寸；所述金属硫化物层的上表面为凹槽状形貌。6.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成导电接触孔；在所述导电接触孔内形成覆盖所述导电接触孔底壁的金属硫化物层；形成覆盖所述金属硫化物层暴露的表面的半金属层；在所述基底上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述半金属层的表面和所述导电接触孔的侧壁；在所述阻挡层构成的容置孔内填充导电材料，以形成导电接触结构。7.如权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述基底上形成导电接触孔，包括：利用刻蚀工艺对所述基底进行处理，以在所述基底上形成所述导电接触孔。8.如权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述基底包括衬底和形成于所述衬底上的第一介质层，所述导电接触孔贯穿所述第一介质层并延伸至所述衬底内，以暴露所述衬底的表面；其中，所述导电接触孔包括形成于所述衬底的第一导电孔和形成于所述第一介质层的第二导电孔，所述第一导电孔的径向尺寸大于所述第二导电孔的径向尺寸。9.如权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述导电接触孔内形成覆盖所述导电接触孔底壁的金属硫化物层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭帅，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：