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本申请提供了一种半导体结构制作方法、半导体结构及存储器，半导体结构：基底，上形成导电接触孔，金属硫化物层形成于在所述导电接触孔内，并覆盖所述导电接触孔底壁；半金属层形成于所述金属硫化物层的表面；阻挡层覆盖所述半金属层的表面和所述导电接触孔的...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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