一种高耐污柔抛釉料、具有柔光耐污性能的陶瓷砖及其制备方法技术

本发明专利技术涉及陶瓷砖的制备技术领域，并公开了一种高耐污柔抛釉料、具有柔光耐污性能的陶瓷砖及其制备方法，其中，所述陶瓷砖由自下而上依次层叠设置的坯体层、底釉层、图案层以及柔抛釉料层经烧制而成，制备所述柔抛釉料层的材料为高耐污柔抛釉料，所述高透熔块包括如下制备原料：硫酸锶、透闪石、三氧化二铋和氧化锌。本发明专利技术通过对高耐污柔抛釉料的配方进行改进，使釉料中的气孔大大减少，从根本上解决釉层吸污问题，从而实现陶瓷砖的高耐污性能。从而实现陶瓷砖的高耐污性能。从而实现陶瓷砖的高耐污性能。

【技术实现步骤摘要】
一种高耐污柔抛釉料、具有柔光耐污性能的陶瓷砖及其制备方法


[0001]本专利技术涉及陶瓷
，特别涉及一种高耐污柔抛釉料、具有柔光耐污性能的陶瓷砖及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前柔光砖的生产方法主要是对釉面进行抛光处理，使其釉面光泽度在25
‑
35度之间，其具有柔和的光感，相对于亮光抛釉砖具有不眩晕不刺目的好处，近几年来深受消费者的喜爱。
[0003]目前柔光釉面砖普遍存在着吸污的问题，主要原因是釉面釉层中存在着较多气孔，在抛光后气孔裸露在釉面形成微细针孔，从而造成釉面吸污。柔抛砖相对于亮抛抛釉(95
‑
100度)，柔光砖无法进行超洁亮处理，超洁亮处理可使釉面细小针孔封闭从而解决吸污问题，但因为超洁亮处理后光泽度会增加，所以在柔光砖上不适合做超洁亮处理。目前还没有在柔光砖产品上可以做到完全不吸污，这大大影响了柔光产品的应用推广。
[0004]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种高耐污柔抛釉料、具有柔光耐污性能的陶瓷砖及其制备方法，旨在解决现有柔光釉面砖耐污性能较差的问题。
[0006]本专利技术的技术方案如下：
[0007]一种高耐污柔抛釉料，其中，所述高耐污柔抛釉料按重量份计包括：高透熔块70
‑
80份、高岭土8
‑
10份、煅烧氧化锌4
‑
6份以及球粘土10
‑
14份，所述高透熔块包括如下制备原料：硫酸锶、透闪石、三氧化二铋和氧化锌。
[0008]所述的高耐污柔抛釉料，其中，以重量份计，所述高透熔块包括如下制备原料：硫酸锶7
‑
12份、透闪石12
‑
16份、三氧化二铋4
‑
10份和氧化锌5
‑
8份。
[0009]所述的高耐污柔抛釉料，其中，以重量份计，所述高透熔块还包括如下制备原料：石英8
‑
12份、钾长石10
‑
17份、钠长石22
‑
26份、煅烧高岭土10
‑
16份和氧化铝3
‑
5份。
[0010]一种具有柔光耐污性能的陶瓷砖，其中，所述陶瓷砖由自下而上依次层叠设置的坯体层、底釉层、图案层以及柔抛釉料层经烧制而成，制备所述柔抛釉料层的材料包括本专利技术所述的高耐污柔抛釉料。
[0011]所述具有柔光耐污性能的陶瓷砖，其中，所述底釉层的化学组成按质量百分比计包括：二氧化硅51.23％
‑
53.65％、三氧化二铝25.32％
‑
28.49％、氧化钾2.13％
‑
3.58％、氧化钠1.85％
‑
2.65％、氧化钙5.36％
‑
6.53％、氧化镁1.32％
‑
2.56％、氧化锌3.21％
‑
4.56％、氧化钡4.32％
‑
5.64％，其它为微量杂质及灼减。
[0012]所述具有柔光耐污性能的陶瓷砖，其中，所述坯体层的化学组成按质量百分比计包括：二氧化硅65.20％
‑
68.61％、三氧化二铝20.52％
‑
22.49％、氧化钾2.13％
‑
3.58％、氧
化钠1.85％
‑
2.65％、氧化钙1.36％
‑
2.53％、氧化镁0.32％
‑
0.56％、三氧化二铁0.52％
‑
0.86％，其它为微量杂质及灼减。
[0013]一种具有柔光耐污性能的陶瓷砖的制备方法，其中，包括步骤：
[0014]制备坯体层；
[0015]在所述坯体层上布施底釉层；
[0016]在所述底釉层上喷墨打印图案层；
[0017]在所述图案层上布施高耐污柔抛釉料形成柔抛釉料层后进行烧制处理，制得陶瓷砖半成品；
[0018]对所述陶瓷砖半成品进行抛光处理，制得具有柔光耐污性能的陶瓷砖。
[0019]所述具有柔光耐污性能的陶瓷砖的制备方法，其中，在所述坯体层上布施底釉层的步骤中，所述底釉层的施釉重量为200
‑
220g/m2。
[0020]所述具有柔光耐污性能的陶瓷砖的制备方法，其中，所述高耐污柔抛釉料的制备包括步骤：
[0021]按配方称取原料混合并进行1350
‑
1500度的烧成处理，粹冷后得到高透熔块；
[0022]按配方将高透熔块、高岭土、煅烧氧化锌以及球粘土混合，加入水、甲基纤维素钠和三聚磷酸钠后进行球磨处理，制得高耐污柔抛釉料。
[0023]所述具有柔光耐污性能的陶瓷砖的制备方法，其中，所述高耐污柔抛釉料中，水占总重量的30
‑
50％，甲基纤维素钠占总重量的0.1
‑
0.2％，三聚磷酸钠占总重量的0.3
‑
0.4％；在所述图案层上布施高耐污柔抛釉料形成柔抛釉料层的步骤中，布施高耐污柔抛釉料的比重为1.85
‑
1.90克/ml，流速为33
‑
38秒/100ml，施釉量为190
‑
210克/
㎡
。
[0024]所述具有柔光耐污性能的陶瓷砖的制备方法，其特征在于，在所述图案层上布施高耐污柔抛釉料形成柔抛釉料层后进行烧制处理的步骤中，烧制处理的温度为1150
‑
1200℃，时间为50
‑
70min。
[0025]有益效果：本专利技术通过对高耐污柔抛釉料的配方进行改进，使釉料中的气孔大大减少，从根本上解决釉层吸污问题，从而实现陶瓷砖的高耐污性能。
附图说明
[0026]图1为本专利技术实施例1制备的陶瓷砖中柔抛釉料层的显微放大图片。
[0027]图2为本专利技术对比例1制备的陶瓷砖中柔抛釉料层的显微放大图片。
具体实施方式
[0028]本专利技术提供一种高耐污柔抛釉料、具有柔光耐污性能的陶瓷砖及其制备方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0029]现有陶瓷砖容易吸污的主要原因是：陶瓷坯体在烧成过程中，各有机物和盐类化合物会分解产生气体，而气体在排出的过程中受到已经熔融封闭的釉层阻挡，即气体的排出受到釉层的阻力从而存留在釉层当中。当釉面经过抛削后，封闭在釉层中的气孔发生暴露，从而引起了釉面吸污的问题。
[0030]基于此，本专利技术提供了一种具有柔光耐污性能的陶瓷砖，所述陶瓷砖由自下而上
依次层叠设置的坯体层、底釉层、图案层以及柔抛釉料层经烧制而成，制备所述柔抛釉料层的材料为高耐污柔抛釉料，所述高耐污柔抛釉料按重量份计包括：高透熔块70<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高耐污柔抛釉料，其特征在于，所述高耐污柔抛釉料按重量份计包括：高透熔块70
‑
80份、高岭土8
‑
10份、煅烧氧化锌4
‑
6份以及球粘土10
‑
14份，所述高透熔块包括如下制备原料：硫酸锶、透闪石、三氧化二铋和氧化锌。2.根据权利要求1所述的高耐污柔抛釉料，其特征在于，以重量份计，所述高透熔块包括如下制备原料：硫酸锶7
‑
12份、透闪石12
‑
16份、三氧化二铋4
‑
10份和氧化锌5
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8份。3.根据权利要求2所述的高耐污柔抛釉料，其特征在于，以重量份计，所述高透熔块还包括如下制备原料：石英8
‑
12份、钾长石10
‑
17份、钠长石22
‑
26份、煅烧高岭土10
‑
16份和氧化铝3
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5份。4.一种具有柔光耐污性能的陶瓷砖，其特征在于，所述陶瓷砖由自下而上依次层叠设置的坯体层、底釉层、图案层以及柔抛釉料层经烧制而成，制备所述柔抛釉料层的材料包括权利要求1
‑
3任一项所述的高耐污柔抛釉料。5.根据权利要求4所述具有柔光耐污性能的陶瓷砖，其特征在于，所述底釉层的化学组成按质量百分比计包括：二氧化硅51.23％
‑
53.65％、三氧化二铝25.32％
‑
28.49％、氧化钾2.13％
‑
3.58％、氧化钠1.85％
‑
2.65％、氧化钙5.36％
‑
6.53％、氧化镁1.32％
‑
2.56％、氧化锌3.21％
‑
4.56％、氧化钡4.32％
‑
5.64％，其它为微量杂质及灼减；所述坯体层的化学组成按质量百分比计包括：二氧化硅65.20％
‑
68.61％、三氧化二铝20.52％

【专利技术属性】
技术研发人员：黄春林，仝松贞，徐雪英，朱光耀，陈育昆，谢怡伟，宁毓胜，傅建涛，袁小娣，戴志梅，简润桐，叶德林，
申请(专利权)人：佛山市三水新明珠建陶工业有限公司广东萨米特陶瓷有限公司江西新明珠建材有限公司湖北新明珠绿色建材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：