有机发光二极管驱动器制造技术

本发明专利技术涉及有机发光二极管驱动器，对有机发光二极管（ＯＬＥＤ）的驱动电流的脉宽调制（ＰＷＭ）由经历了相应信号控制的电路来执行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机发光二极管驱动器领域。
技术介绍
通常有必要或期望有选择地控制多种电子负载的输出或工作 效率。典型地，为了达到控制效果，改变应用于负载的电流和/或电压。 一种可以被控制的负载是有才几发光二才及管(OLED)。通过选择 性地改变应用的电流，可以适当地调整OLED的发光度(也就是亮度)。
技术实现思路
本专利技术提供一种电子电路，包括第一电荷存储器件及第二电 荷存储器件；第一晶体管，具有连接至所述第一电荷存储器件的控 制节点，所述第一晶体管被配置成将斜坡信号源电耦接至所述第二 电荷存储器件；以及第二晶体管，具有被配置成连接至所述斜坡信 号源的控制节点，所述第二晶体管还被配置成将负载电耦接至所述 第二电荷存储器件。本专利技术还提供一种电子驱动器电路，包括第 一存储器件，被配置成连接至电压源，所述第一存储器件还被配置 成存储对应于控制信号的电荷；第二存储器件，被配置成连接至所 述电压源；第一晶体管，具有连接至所述第一存储器件的控制节点， 所述第一晶体管被配置成将所述第二存储器件电耦接至周期斜坡 信号源；以及第二晶体管，具有被配置成连接至所述周期斜坡信号源的控制节点，所述第二晶体管还被配置成将负载电耦接至所述第 二存储器件。本专利技术另外还提供一种电子电路，包括第一晶体管；第二晶 体管；以及电荷存储器件，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管 及所述电荷存储器件共同被配置成根据周期斜坡信号及控制信号 为负载才是供A:K宽调制(PWM)的驱动电流。本专利技术另外还提供一种电子驱动器电路，包括在共同基^^上 制成的第 一电荷存储器件及第二电荷存储器件；以及在共同基板上 制成的第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管，其中 所述第一晶体管包括连接至所述第一电荷存储器件的控制节点，所 述第一晶体管被配置成将周期斜坡信号源电耦接至所述第二电荷存储器件；所述第二晶体管包括被配置成连接至所述周期斜坡信号 源的控制节点，所述第二晶体管被配置成将负载电耦接至所述第二 电荷存储器件；以及所述第三晶体管包括被配置成连接至周期采样 信号源的控制节点，所述第三晶体管被配置成将控制信号源电耦接 至所述第一电荷存储器件。本专利技术另外还提供一种电子电路，包括第一电路部分，；故配 置成根据周期采样信号采样并保存控制信号；以及第二电路部分， 被配置成根据周期斜坡信号及所述被采样及被保存的控制信号为 负载4是供月永宽调制(PWM)的马区动电5危。附图说明参考附图来进行详细说明。在图中，参考标号最左端的数字代 表该参考标号首次在其中出现的图。在说明书和图的不同实例中所 使用的相同参考标号可以表示类似或同 一物件。图1是依据本教导的驱动电路的示意性电路图。图2是图1的驱动电路的某些功能方面的简化表示。 图3是描述了图1的驱动电路的工作周期的流程图。 图4是描述了依据本教导的斜坡信号的信号时序图。 图5是描述了图1的驱动电^各的一部分中的电流的信号时序图。图6是描述了图1的驱动电路的另一部分中的电流的信号时序图。图7是描述了依据本教导的电流-电压关系的信号图。 具体实施例方式这里披露了为有机发光二极管(OLED)或其它电子负载供电 的可控驱动电路。依据一个实施例，提供了将脉宽调制(PWM)驱 动电流应用到OLED的电路结构。可以依据周期采样的控制信号来 调制用于OLED的驱动电流时间均值。又可以在控制范围内适当地 改变OLED的发光度。这里4是供的电路结构可以至少部分地制造在 共同的基片上，从而限定各自的集成电路器件。在一个或多个实施 例中，这里提出的驱动电路的至少一部分可以在65纳米(或更小) 环境里制造。依据一个方面，控制信号被周期地采样并用于控制给OLED的 平均电流驱动。周期斜坡信号使电流脉沖与OLED同步。在第一个 工作周期里存储器件;改电，然后在第二个工作周期里通过OLED驱 动电流充电。周期斜坡和采样信号可以来自本专利技术的驱动电路外部 的各自源。可以提供集成电路，包括周期斜坡信号源和采样信号源 以及本教导的驱动电3各。这里描述的技术可以通过多种途径实现。下面结合附图和正在 进4亍的讨"i仑^是供了 一个示例性的上下文。示例性电路图1示出了依据本教导的说明性电路100。电^各100也可以被 称作驱动电路100。电路100包括一对各自的电荷存储器件102和 104。如图所示，每个电荷存储器件(存储器件)102和104被限定 为金属氧化物半导体电容器(MOSCAP)。特别地，每个存储器件 102和104都通过P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管来描 述。也可以使用其它电荷存储器件102和104 (比如电容器等)。无 论如何，存储器件102具有配置为在节点106处连4妾至电压源 (VDD)的第一电荷存储板(或区域)。存储器件102还具有连接 至电路节点108的第二板(或区域)。存储器件104具有配置为在 节点106处连接至VDD的第一板(或区域)和连接至电路节点110 的各自的第二板(或区域)。电路100还包括晶体管112。如图所示，晶体管112被限定为 P沟道金属氧化物半导体(PMOS)场效应晶体管。也可以-使用其 它合适类型的晶体管112。晶体管112包括配置为在节点114处连 接至周期采样信号源的控制节点(例如栅极)。晶体管112还被配 置成在节点116处将存储器件102 (也就是节点108)与控制信号 源电耦接。图1描述了周期采样信号Sl的示例性的、不进行限制 的实例。如这里所使用的，术语"电耦接"(及其各种衍生词和时态)指的是在两个或多个实体之间实J见电通道或者这种电通道的一部 分。在晶体管的情况下，依照应用于该晶体管的控制节点(例如棚-极)的信号，至少部分地建立电耦接的程度。例如，在节点114处 的周期采样信号对晶体管112施加控制影响，从而实现了节点108和116之间的电通道(或绝缘)。电工程领域的普通技术人员了解 不同类型的晶体管的可控电耦接性能，并且对于本教导的理解来说 不需要对这个基本点进行进一步的详细描述。电路IOO还包括晶体管118。如图所示，晶体管118是PMOS 晶体管。也可以使用其它合适类型的晶体管118。晶体管118包括 经由节点108连接至电荷存储器件102的控制节点(例如栅极)。 晶体管118被配置为在电路节点120处将存储器件104 (例如节点 110)电耦接至周期斜坡信号源。从而，电荷(如果有的话，由存 储器件102容纳)至少部分地确定了节点110和120之间经由晶体 管118的电耦接。图1中还描述了周期斜坡信号S2的示例性的、 非限制性的实例。电路100包括晶体管122，如图所示，晶体管122是PMOS晶 体管。也可以使用其它合适类型的晶体管122。晶体管122包括配 置为经由节点120连接至周期斜坡信号的控制节点(例如栅极)。 晶体管122被配置为将存储器件104电耦4妄至有才几发光二才及管 (OLED) 124。节点120处的周期斜坡信号至少部分地确定了存储 器件104和OLED 124之间经由晶体管122的电耦接。电路100还包括晶体管126。如图所示，晶体管126是PMOS 晶体管。也可以使用其它合适类型的晶体管126。晶体管126包括 配置为在节点128处连接至电位源(POTENTIAL")的控本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子电路，包括：　第一电荷存储器件及第二电荷存储器件；　第一晶体管，具有连接至所述第一电荷存储器件的控制节点，所述第一晶体管被配置成将斜坡信号源电耦接至所述第二电荷存储器件；以及　第二晶体管，具有被配置成连接至所述斜坡 信号源的控制节点，所述第二晶体管还被配置成将负载电耦接至所述第二电荷存储器件。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔斯路易斯塞巴洛，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]