【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置
[0001]本专利技术涉及氧化处理设备领域,特别涉及一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置。
技术介绍
[0002]半导体基片工件进行加工作业时,为了满足对半导体基片工件表面性能进行调整的需要,尤其是半导体基片工件外表面的物理化学性能,以满足不同使用场合和要求的需要,往往需要对半导体基片工件外表面通过微弧氧化方式进行表面处理,但在实际对工件加工中,往往需要对工件表面局部位置进行微弧氧化处理,而当前的半导体基片工件采用钢管进行保护运输,在对半导体基片工件进行微弧氧化处理时,所使用的设备往往均为传统的氧化处理设备,虽然一定程度可满足使用的需要,但在进行微弧氧化处理时,设备往往缺乏相应的针对性。
[0003]现有的一些微弧氧化处理装置在进料时,由于设置在半导体工件外部的钢管易受力进行滚动,使两两钢管之间或者多个钢管之间发生碰撞,造成运输的过程中十分困难,而运输后一般是直接将钢管放置于药剂槽的内部进行静置处理,对半导体工件的外表面进行处理,在放料以及取料时较为麻烦,且直接放置于药剂槽的内部,不能够保证钢管的有序摆放,可能发生钢管之间互相抵触影响处理的情况,且在后续卸料时,也不能够很好的对钢管进行有序卸料,操作较为繁琐。
[0004]因此,专利技术一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置来解决上述问题很有必要。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置,包括进料仓(1),其特征在于:所述进料仓(1)的顶端开设有方口,所述进料仓(1)的内部固定连接有固定斜板(2);所述进料仓(1)的内部设置有转动组件,所述转动组件包括弧形板(3),所述弧形板(3)设置有多个,所述弧形板(3)转动连接在进料仓(1)的内部;所述进料仓(1)的外部设置有驱动组件;所述进料仓(1)的底端固定连接有支撑板(16),所述支撑板(16)的顶端设置有移动组件;所述进料仓(1)的一侧设置有悬挂组件。2.根据权利要求1所述的一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置,其特征在于:所述驱动组件包括第一固定座(4),所述第一固定座(4)固定连接在进料仓(1)的外部,所述第一固定座(4)的顶端固定连接有第一电机(5),所述第一电机(5)靠近进料仓(1)的一侧转动连接有第一转动轴(6),所述第一转动轴(6)的外部固定连接有齿轮(7),所述进料仓(1)的外部固定连接有固定架(8),所述固定架(8)的内部转动连接有转动柱(9),所述转动柱(9)靠近进料仓(1)的一侧固定连接有限位弧块(10)。3.根据权利要求1所述的一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置,其特征在于:所述移动组件包括第二电机(15),所述第二电机(15)固定连接在支撑板(16)的顶端,所述第二电机(15)靠近进料仓(1)的一侧转动连接有第二转动轴(14),所述第二转动轴(14)的外部螺纹连接有移动环(13),所述移动环(13)的外部固定连接有连接块(12),所述连接块(12)的顶端固定连接有移动板(11),所述支撑板(16)的顶端固定连接有两个固定导轨(17),所述第二电机(15)位于两个固定导轨(17)之间,所述移动板(11)滑动连接在固定导轨(17)的顶端,所述固定导轨(17)的内部滑动连接有缓冲板(20),所述缓冲板(20)远离进料仓(1)的一侧固定连接有移动柱(19),所述移动柱(19)远离缓冲板(20)的一侧滑动连接有固定柱(18)。4.根据权利要求1所述的一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置,其特征在于:所述悬挂组件包括悬挂框架(21),所述悬挂框架(21)固定连接在进料仓(1)的一侧,所述悬挂框架(21)远离进料仓(1)的一端固定连接有第三电机(2101),所述第三电机(2101)靠近悬挂框架(21)的一侧转动连接有第三转动轴(2102),所述第三转动轴(2102)的外部滑动连接有移动杆(22),所述移动杆(22)的顶端固定连接有圆柱杆(23),所述圆柱杆(23)的顶端固定连接有固定杆(24),所述固定杆(24)的底端固定连接有两个液压柱(25),所述液压柱(25)的底部滑动连接有伸缩杆(26),所述伸缩杆(26)的外部固定连接有限位板(2601),所述伸缩杆(26)的底端固定连接有第一连杆(27)。5.根据权利要求4所述的一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置,其特征在于:所述第一连杆(27)的一侧设置有夹紧组件,所述夹紧组件包括第二固定座(28),所述第二固定座(28)固定连接在第一连杆(27)的一侧,所述第二固定座(...
【专利技术属性】
技术研发人员:王乃奎,
申请(专利权)人:无锡纳斯凯半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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