一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置制造方法及图纸

技术编号:37085287 阅读:11 留言:0更新日期:2023-03-29 20:00
本发明专利技术公开了一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置,涉及到氧化处理设备领域,包括进料仓,进料仓的顶端开设有方口,进料仓的内部固定连接有固定斜板,进料仓的内部设置有转动组件,转动组件包括弧形板,弧形板设置有多个,弧形板转动连接在进料仓的内部。本发明专利技术设置了转动组件,利用转动组件的设计,弧形板与第一转动轴,在第一电机的作用下,带动第一转动轴进行转动,在弧形板的带动下,有助于半导体基片单个有序的进行移动,便于半导体基片通过进料仓移动至移动板的顶部,当移动板的顶部盛放够半导体基片后,第一电机停止转动,而限位弧片限制住齿轮进行转动,避免半导体基片在进行运输时,发生碰撞的情况。发生碰撞的情况。发生碰撞的情况。

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置


[0001]本专利技术涉及氧化处理设备领域,特别涉及一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置。

技术介绍

[0002]半导体基片工件进行加工作业时,为了满足对半导体基片工件表面性能进行调整的需要,尤其是半导体基片工件外表面的物理化学性能,以满足不同使用场合和要求的需要,往往需要对半导体基片工件外表面通过微弧氧化方式进行表面处理,但在实际对工件加工中,往往需要对工件表面局部位置进行微弧氧化处理,而当前的半导体基片工件采用钢管进行保护运输,在对半导体基片工件进行微弧氧化处理时,所使用的设备往往均为传统的氧化处理设备,虽然一定程度可满足使用的需要,但在进行微弧氧化处理时,设备往往缺乏相应的针对性。
[0003]现有的一些微弧氧化处理装置在进料时,由于设置在半导体工件外部的钢管易受力进行滚动,使两两钢管之间或者多个钢管之间发生碰撞,造成运输的过程中十分困难,而运输后一般是直接将钢管放置于药剂槽的内部进行静置处理,对半导体工件的外表面进行处理,在放料以及取料时较为麻烦,且直接放置于药剂槽的内部,不能够保证钢管的有序摆放,可能发生钢管之间互相抵触影响处理的情况,且在后续卸料时,也不能够很好的对钢管进行有序卸料,操作较为繁琐。
[0004]因此,专利技术一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置来解决上述问题很有必要。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置,包括进料仓,所述进料仓的顶端开设有方口,所述进料仓的内部固定连接有固定斜板;
[0007]所述进料仓的内部设置有转动组件,所述转动组件包括弧形板,所述弧形板设置有多个,所述弧形板转动连接在进料仓的内部;
[0008]所述进料仓的外部设置有驱动组件;
[0009]所述进料仓的底端固定连接有支撑板,所述支撑板的顶端设置有移动组件;
[0010]所述进料仓的一侧设置有悬挂组件。
[0011]优选的,所述驱动组件包括第一固定座,所述第一固定座固定连接在进料仓的外部,所述第一固定座的顶端固定连接有第一电机,所述第一电机靠近进料仓的一侧转动连接有第一转动轴,所述第一转动轴的外部固定连接有齿轮,所述进料仓的外部固定连接有固定架,所述固定架的内部转动连接有转动柱,所述转动柱靠近进料仓的一侧固定连接有
限位弧块。
[0012]优选的,所述移动组件包括第二电机,所述第二电机固定连接在支撑板的顶端,所述第二电机靠近进料仓的一侧转动连接有第二转动轴,所述第二转动轴的外部螺纹连接有移动环,所述移动环的外部固定连接有连接块,所述连接块的顶端固定连接有移动板,所述支撑板的顶端固定连接有两个固定导轨,所述第二电机位于两个固定导轨之间,所述移动板滑动连接在固定导轨的顶端,所述固定导轨的内部滑动连接有缓冲板,所述缓冲板远离进料仓的一侧固定连接有移动柱,所述移动柱远离缓冲板的一侧滑动连接有固定柱。
[0013]优选的,所述悬挂组件包括悬挂框架,所述悬挂框架固定连接在进料仓的一侧,所述悬挂框架远离进料仓的一端固定连接有第三电机,所述第三电机靠近悬挂框架的一侧转动连接有第三转动轴,所述第三转动轴的外部滑动连接有移动杆,所述移动杆的顶端固定连接有圆柱杆,所述圆柱杆的顶端固定连接有固定杆,所述固定杆的底端固定连接有两个液压柱,所述液压柱的底部滑动连接有伸缩杆,所述伸缩杆的外部固定连接有限位板,所述伸缩杆的底端固定连接有第一连杆。
[0014]优选的,所述第一连杆的一侧设置有夹紧组件,所述夹紧组件包括第二固定座,所述第二固定座固定连接在第一连杆的一侧,所述第二固定座的顶端固定连接有第四电机,所述第四电机靠近第一连杆的一侧转动连接有第四转动轴,所述第四转动轴远离第四电机的一侧固定连接有双向螺纹杆,所述双向螺纹杆转动连接在第一连杆的内部,所述双向螺纹杆的外部螺纹连接有两个导向环,所述第一连杆的底端固定连接有两个第二连杆,所述导向环的底端固定连接有第三连杆,所述第三连杆滑动连接在第二连杆的内部,所述第二连杆的顶端开设有多个移动槽,所述第三连杆的顶端固定连接有多个导向块,所述导向块滑动连接在移动槽的内部,所述第三连杆的底端固定连接有多个夹紧块,两个所述夹紧块相对的一侧均固定连接有圆块。
[0015]优选的,所述支撑板的一端固定连接有处理仓,所述处理仓的一侧固定连接有出液口,所述处理仓的另一侧固定连接有进液口,所述处理仓的内部开设有两个方槽,其中一个所述方槽的内部固定连接有液压缸,所述液压缸的其中一端滑动连接有液压杆,所述液压杆远离液压缸的一侧固定连接有推动板,所述处理仓的中部固定连接有挡板,所述挡板的内部转动连接有第一转动板,所述第一转动板的其中一端固定连接有圆柱体,所述圆柱体转动连接在处理仓的内部,所述圆柱体的外部固定连接有两个连接杆,所述连接杆的固定连接有弹簧,所述弹簧远离连接杆的一端固定连接有方块,所述方块固定连接在处理仓的外部。
[0016]优选的,另一个所述方槽的顶端固定连接有第三固定座,所述第三固定座的内部固定连接有第五电机,所述第五电机的底部转动连接有第五转动轴,另一个所述方槽内部滑动连接有过滤板,所述过滤板的两侧分别与两个第五转动轴螺纹连接。
[0017]优选的,另一个所述方槽的内部转动连接有第二转动板,所述第二转动板靠近进料仓的一侧固定连接有凸块。
[0018]优选的,所述凸块的两侧均固定连接有转动杆,所述转动杆的外部套设有扭簧。
[0019]优选的,另一个所述方槽的内部固定连接有两个固定块,两个所述固定块相对的一侧分别与两个转动杆转动连接,所述处理仓远离支撑板的一侧固定连接有出料斜板。
[0020]本专利技术的技术效果和优点:
[0021]1、本专利技术设置了转动组件,利用转动组件的设计,弧形板与第一转动轴,两者相互配合,在第一电机的作用下,带动第一转动轴进行转动,使弧形板跟随第一转动轴进行转动,半导体基片在通过固定斜板后与弧形板相互贴合,在弧形板的带动下,有助于半导体基片单个有序的进行移动,便于半导体基片通过进料仓移动至移动板的顶部,当移动板的顶部盛放够半导体基片后,第一电机停止转动,而限位弧片限制住齿轮进行转动,使弧形板在进料仓的内部进行固定,而半导体基片与弧形板相互贴合,无法继续进行移动,避免半导体基片在进行运输时,发生碰撞的情况。
[0022]2、本专利技术设置了驱动组件,利用驱动组件的设计,第一电机与齿轮,两者相互配合,在通电后,可带动转动组件进行转动,有助于半导体基片有序的进行运输,第二电机与第二转动轴,可带动移动组件进行水平移动,有助于带动半导体基片进行运输,第三电机与第三转动轴,起到驱动悬挂组件的作用,有助于带动悬挂组件在固定框架的内部进行水平移动,第四电机与第四转动轴,带动夹紧组件进行夹紧处理,有助于将移动板上的半导体基片进行夹紧后移动,第五电机与第本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置,包括进料仓(1),其特征在于:所述进料仓(1)的顶端开设有方口,所述进料仓(1)的内部固定连接有固定斜板(2);所述进料仓(1)的内部设置有转动组件,所述转动组件包括弧形板(3),所述弧形板(3)设置有多个,所述弧形板(3)转动连接在进料仓(1)的内部;所述进料仓(1)的外部设置有驱动组件;所述进料仓(1)的底端固定连接有支撑板(16),所述支撑板(16)的顶端设置有移动组件;所述进料仓(1)的一侧设置有悬挂组件。2.根据权利要求1所述的一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置,其特征在于:所述驱动组件包括第一固定座(4),所述第一固定座(4)固定连接在进料仓(1)的外部,所述第一固定座(4)的顶端固定连接有第一电机(5),所述第一电机(5)靠近进料仓(1)的一侧转动连接有第一转动轴(6),所述第一转动轴(6)的外部固定连接有齿轮(7),所述进料仓(1)的外部固定连接有固定架(8),所述固定架(8)的内部转动连接有转动柱(9),所述转动柱(9)靠近进料仓(1)的一侧固定连接有限位弧块(10)。3.根据权利要求1所述的一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置,其特征在于:所述移动组件包括第二电机(15),所述第二电机(15)固定连接在支撑板(16)的顶端,所述第二电机(15)靠近进料仓(1)的一侧转动连接有第二转动轴(14),所述第二转动轴(14)的外部螺纹连接有移动环(13),所述移动环(13)的外部固定连接有连接块(12),所述连接块(12)的顶端固定连接有移动板(11),所述支撑板(16)的顶端固定连接有两个固定导轨(17),所述第二电机(15)位于两个固定导轨(17)之间,所述移动板(11)滑动连接在固定导轨(17)的顶端,所述固定导轨(17)的内部滑动连接有缓冲板(20),所述缓冲板(20)远离进料仓(1)的一侧固定连接有移动柱(19),所述移动柱(19)远离缓冲板(20)的一侧滑动连接有固定柱(18)。4.根据权利要求1所述的一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置,其特征在于:所述悬挂组件包括悬挂框架(21),所述悬挂框架(21)固定连接在进料仓(1)的一侧,所述悬挂框架(21)远离进料仓(1)的一端固定连接有第三电机(2101),所述第三电机(2101)靠近悬挂框架(21)的一侧转动连接有第三转动轴(2102),所述第三转动轴(2102)的外部滑动连接有移动杆(22),所述移动杆(22)的顶端固定连接有圆柱杆(23),所述圆柱杆(23)的顶端固定连接有固定杆(24),所述固定杆(24)的底端固定连接有两个液压柱(25),所述液压柱(25)的底部滑动连接有伸缩杆(26),所述伸缩杆(26)的外部固定连接有限位板(2601),所述伸缩杆(26)的底端固定连接有第一连杆(27)。5.根据权利要求4所述的一种用于半导体基片反应室的微弧氧化处理装置,其特征在于:所述第一连杆(27)的一侧设置有夹紧组件,所述夹紧组件包括第二固定座(28),所述第二固定座(28)固定连接在第一连杆(27)的一侧,所述第二固定座(...

【专利技术属性】
技术研发人员:王乃奎
申请(专利权)人:无锡纳斯凯半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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